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Kleinster IGBT-Gate-Treiber für 90- bis 500-kW-Wechselrichter

Mit dem 2SC0115T2A0-12 präsentiert Power Integrations den nach eigenen Angaben kleinsten Zweikanal-Gate-Treiberkern für Wechselrichter und Umrichter mit Ausgangsleistungen von 90 bis 500 kW (Grundfläche 53,2 mm x 31 mm und Höhe 13 mm)

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GaN Systems: Der E-Mode-GaN-on-Silicon-Leistungstransistor hat 60 A Strombelastbarkeit und erweitert das Angebot von GaN Systems bei Hochleistungs-Halbleiterschaltern.(Bild: GaN Systems)

Power Integrations: kleinster IGBT-Gate-Treiber für 90- bis 500-kW-Wechselrichter.(Bild: Power Integrations)

CREE: Das Leitprodukt C3M0065090J der 900-V-MOSFET-Plattform ist für 900 V und 32 A spezifiziert und besitzt bei 25 °C einen RDS(on) von 65 mΩ. Bei höheren Temperaturen (TJ = 150 °C) steigt der RDS(on) auf 90 mΩ an.(Bild: CREE)

Toshiba: Die Multi-Chip-Konfiguration des IPD TPD4204F integriert sechs MOSFETs und einen Treiber-IC. (Bild: Toshiba Electronics Europe)

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Der neue Treiberkern verwendet zur DC/DC-Energie- und Schaltsignalübertragung die IC- und Trenntransformator-Technologie SCALE-2+, die ohne Optokoppler auskommt und dadurch die Systemzuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit erhöht.

Der Treiber bietet eine verstärkte Isolation und ist für Zielsysteme mit einer für 1200-V-IGBT-Module typischen Arbeitsspannung von 900 V vorgesehen und erfüllt die PD2- und OV-II-Anforderungen der Standards IEC 60664-1 und IEC 61800-5-1.

Der Gate-Treiberkern 2SC0115TA0-12 unterstützt Module mit Ausgangsströmen bis 2400 A und Schaltfrequenzen bis 50 kHz.

Der hochintegrierte Chipsatz SCALE-2+ erfordere etwa 85% weniger externe Bauteile als andere Produkte und ist aufgrund der Vce(sat)-Überwachung und separater Betriebsspannungsüberwachung auf der Primär- und Sekundärseite kurzschlusssicher.

Der Gate-Treiberkern bietet SSD-Schutz (Soft Shut Down) für Anwendungen mit kleiner Streuinduktivität und unterstützt Advanced Active Clamping (AAC) zur Begrenzung des IGBT-Spannungsüberschwingens beim Ausschalten.

Artikelfiles und Artikellinks

Link: Weitere IPDs von Toshiba

Link: Herausforderungen & Lösungen mit GaN Systems

Link: Details zum IGBT-Treiver von Power Integrations

Link: Das Leitprodukt C3M0065090J der 900-V-SiC-MOSFETvon Cree

Link: Power Devices von ROHM

Link: IGBT-Module von Infineon

Link: PIM-Bausteine von ON Semiconductor

Link: DIPIPM und mehr von Mitsubishi

Link: Datenblätter des SKYPER Prime von Semikron

Link: Mitmachen: POWER DEVICES für die erlektrische Antriebstechnik

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Stand: 08.12.2025

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