40-V-GaN-FET Efficient Power Conversion startet Gen-7-eGaN in die Serie

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Ein neuer GaN-Leistungstransistor zeigt, wie sich niedriger Einschaltwiderstand, geringe Gate-Ladung und gute Thermik erstmals konsequent kombinieren lassen. Das hat direkte Auswirkungen auf die Auslegung kompakter DC-DC-Wandler und moderner Netzteile.

Mit dem EPC2366 bringt Efficient Power Conversion (EPC) den ersten Leistungstransistor seiner siebten eGaN-Generation in die Massenfertigung. Das Bauteil adressiert den 40-V-Bereich und zielt damit genau auf jene Architekturen, in denen heute die Leistungsdichte entscheidet: synchrone Gleichrichtung, hochverdichtete DC-DC-Wandler, Netzteile für AI-Server und kompakte Motorantriebe. Nach Angaben des Herstellers erreicht der Transistor in diesen Anwendungen eine bis zu dreifach bessere Performance als vergleichbare Silizium-MOSFETs.

Ein Technologiesprung, der sich im Zusammenspiel zeigt

Der Fortschritt dieser Generation lässt sich nicht an einer einzelnen Kennzahl festmachen. Entscheidend ist das Zusammenspiel aus sehr niedrigem R_DS(on), geringer Gate-Ladung und einer auffällig guten thermischen Anbindung. Mit einem typischen R_DS(on) von 0,84 mΩ und einem R_DS(on) × Q_G-Wert von unter 12 mΩ·nC reduziert der EPC2366 Leit- und Schaltverluste gleichzeitig. Genau dieser Zielkonflikt ist bei Silizium seit Jahren bekannt: Wer den Einschaltwiderstand senkt, bezahlt meist mit höherer Gate-Ladung. GaN verschiebt diese Grenze – Gen 7 deutlich sichtbar.

Der Transistor ist für Drain-Source-Spannungen bis 40 Volt ausgelegt, toleriert Transienten bis 48 V und erlaubt hohe Dauer- und Pulsströme. Damit passt er ideal in moderne Niederspannungsrails, wie sie in Servern, Datenzentren und leistungsstarken Embedded-Systemen dominieren.

Thermik als Schlüssel zur realen Leistungsdichte

Mindestens ebenso relevant wie die elektrischen Kennwerte ist das Gehäuse. Der EPC2366 sitzt in einem nur 3,3 mm × 2,6 mm großen PQFN-Package mit einem thermischen Widerstand von lediglich 0,6 °C/W vom Chip zum Gehäuse. In der Praxis ist das oft der limitierende Faktor: Nicht die maximalen Stromangaben entscheiden, sondern wie schnell die entstehende Verlustleistung aus dem Bauteil herauskommt.

Gerade in AI-Server-Netzteilen und hochverdichteten Point-of-Load-Wandlern steigen die Ströme, während die verfügbare Fläche sinkt. Hier wird Thermik zum Engpass – und genau hier setzt der EPC2366 an.

Referenzdesign statt Layout-Risiko

Parallel zum Transistor bietet EPC mit dem EPC90167 ein Half-Bridge-Evaluationsboard an, das zwei dieser Bauteile in einem parasitenarmen Layout integriert. Für Entwickler ist das mehr als ein Demo-Board. Gerade bei GaN entscheidet das Leiterplattenlayout über Schaltverhalten, Verluste und EMV. Ein sauberes Referenzdesign spart hier Zeit und reduziert das Risiko, die Vorteile der Technologie durch Layoutfehler zu verschenken.

Plattformstrategie statt Einzelbauteil

EPC sieht den EPC2366 nicht als Solitär, sondern als Auftakt einer breiteren Gen-7-Plattform. Laut CEO und Mitgründer Alex Lidow werden bereits 25-Volt- und 15-Volt-Varianten dieser Generation bemustert. Weitere Produkte sollen im ersten Halbjahr 2026 in die Serienfertigung übergehen. Das deutet darauf hin, dass EPC seine neue Technologie über mehrere Spannungsbereiche ausrollen will.

Verfügbarkeit und Einordnung

Der EPC2366 befindet sich in Serienproduktion. Für Entwickler, die einen Ersatz für bestehende Silizium-MOSFETs suchen, stellt EPC zudem ein Cross-Reference-Werkzeug in seiner „GaN Power Bench“ bereit, das anhand realer Betriebsparameter passende GaN-Alternativen vorschlägt.

Warum Gen 7 mehr ist als ein inkrementelles Update

Mit der siebten eGaN-Generation zeigt sich ein Trend deutlich: GaN wird nicht nur schneller und verlustärmer, sondern zunehmend auch thermisch leichter beherrschbar. Für Entwickler bedeutet das höhere Schaltfrequenzen, kleinere induktive Bauelemente, bessere Effizienz und mehr Leistungsdichte. (mr)

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