PCIM-Nachlese Zehn Spitzenreiter der Leistungselektronik

Anbieter zum Thema

EBV Elektronik GmbH & Co. KG

ROHM Semiconductor GmbH

MEV Elektronik Service GmbH

Infineon Technologies AG

Die nachfolgenden zehn Neuheiten und Produktverbesserungen bei Leistungshalbleitern sind uns in den letzten Wochen besonders aufgefallen.

Am Gesamtbedarf an Halbleitern haben Power Devices gerade einmal einen Anteil von 7%. Aber ohne sie geht nichts, etwa bei der Energieeffizienz, Elektromobilität, Energieerzeugung oder Konsumelektronik. Weil das Optimierungspotenzial bei Silizium imgrunde ausgereizt ist, ermöglichen Wide-Bandgab-Halbleitermaterialen wie SiC und GaN die neuerliche Steigerung der Performance.

Bildergalerie

Bildergalerie mit 9 Bildern

Fuji Electric bringt mit der siebten Generation für 1200 V einen verbesserten IGBT und eine weiter optimierte Freilaufdiode auf den Markt. Die Durchlassspannung des IGBT sinkt um 0,3 V auf deutlich unter 2 V (150 °C). Da die Massenanwendung für IGBTs 1200 V ist, kann dieser Entwicklungsfortschritt als Beitrag zur Energieeffizienz als sehr hoch eingeschätzt werden.

Zur Sinusansteuerung bürstenloser Gleichstrommotoren hat Toshiba ein Hochvolt-IPD mit der Bezeichnung TPD4204F entwickelt. Einsatzbereiche sind beispielsweise Waschmaschinen, Geschirrspüler und Ventilatoren. Mit den Nennwerten 600 V und 2,5 A bietet der TPD4204F sechs MOSFETs und einen Treiber-IC in einer Multi-Chip-Konfiguration.

Der Baustein wird im 30-Pin-SMD-Gehäuse (SOP30) ausgeliefert und misst gerade einmal 20 mm x 11 mm x 2 mm. Alle Signalanschlüsse sind von den Leistungsanschlüssen getrennt. Der TPD4204F ist geschützt vor Überstrom, Übertemperatur und Unterspannung und lässt sich mit MCUs oder MCDs kombinieren.

GaN-Leistungstransistor mit 60 A Strombelastbarkeit

GaN Systems hat seine E-Mode-GaN-on-Silicon-Leistungstransistorfamilie, die auf den drei proprietären Kerntechnologien des Unternehmens basiert, um den Typ GS65516T erweitert.

Dieser GaN-Enhancement-Mode-Leistungstransistor bietet laut Hersteller unter allen vergleichbaren Produkten auf dem Markt mit 60 A die höchste Strombelastbarkeit und erweitert das Angebot von GaN Systems bei Hochleistungs-Halbleiterschaltern.

Der E-Mode-Leistungsschalter verwendet die im März dieses Jahres von GaN Systems vorgestellte proprietäre Technologie mit oberseitiger Kühlung (mittels herkömmlicher Kühlkörper oder Lüfter).

Basis dazu ist das Ultra-low-FOM-Island-Technology-Die-Design von GaN Systems. Der 650-V-E-HEMT GS65516T hat ein thermisch optimiertes GaNPX-Gehäuse, ist 9,0 mm x 7,6 mm x 0,45 mm groß und widersteht Rückströmen, besitzt einen internen Source Sense und ist nach Herstellerangaben frei von Reverse-Recovery-Verlusten.

Der Transistor besitzt zwei Gate-Pads, um die Optimierung des Leiterplatten-Layouts zu erleichtern. Der GS65516T eignet sich für wirkungsgradstarke Hochfrequenz-Spannungswandler-Anwendungen wie On-board-Akkuladegeräte, 400-V-Gleichspannungswandler, Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), VFD-Motorsteuerungen, AC/DC-Stromversorgungen (PFC und primär) und kompakte VHF-Netzadapter.

Es gibt den GS65516T in kundenspezifischer Tape/Reel- oder Mini-Reel-Verpackung und ist über die weltweiten Vertriebspartner von GaN Systems erhältlich.

(ID:43492585)