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ON Semiconductor tritt in den Markt für PIMs ein

Ein typischer Vertreter der Power-Module ist das so genannte PIM, was für Power Integrated Module steht. Auf Basis von Trench Field Stop II und robusten, ultraschnellen FRDs (Fast Recovery Dioden) ist das PIM (NXH80T120L2Q0PG) von ON Semiconductor in 1200 V/80 A Halbbrücken- und 600 V/50 A Neutralpunkt-Topologie (T-Typ) ausgeführt. Damit wird laut ON ein Wirkungsgrad von über 98% erzielt.

Die konfigurierbare Gehäuseplattform besteht aus einem hochleistungsstarken DBC-Substrat (Direct-Bonded Copper) und proprietären Einpress-Anschlüssen. Beim Eintritt in den PIM-Markt kann ON auf 30 Jahre Erfahrung in den Bereichen Zündanlagen-IGBTs für Fahrzeuge und IPM-Entwicklung (Intelligent Power Module) zurückgreifen.

Bildergalerie

GaN Systems: Der E-Mode-GaN-on-Silicon-Leistungstransistor hat 60 A Strombelastbarkeit und erweitert das Angebot von GaN Systems bei Hochleistungs-Halbleiterschaltern.(Bild: GaN Systems)

Power Integrations: kleinster IGBT-Gate-Treiber für 90- bis 500-kW-Wechselrichter.(Bild: Power Integrations)

CREE: Das Leitprodukt C3M0065090J der 900-V-MOSFET-Plattform ist für 900 V und 32 A spezifiziert und besitzt bei 25 °C einen RDS(on) von 65 mΩ. Bei höheren Temperaturen (TJ = 150 °C) steigt der RDS(on) auf 90 mΩ an.(Bild: CREE)

Toshiba: Die Multi-Chip-Konfiguration des IPD TPD4204F integriert sechs MOSFETs und einen Treiber-IC. (Bild: Toshiba Electronics Europe)

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Alle Module arbeiten mit Sperrschichttemperaturen bis 175 °C. PIMs sind für ON ein wichtiger Bestandteil einer langfristigen Power-Strategie, um in die Industrie- und Automotive-Segmente mit hohem Leistungsbedarf zu expandieren.

Zur Strategie gehören auch die neuen n-Kanal-MOSFETs für den mittleren Spannungsbereich. Mit der Nenndurchbruchspannung von 40 V bieten die MOSFETs (NTMFS5C404NLT, NTMFS5C410NLT und NTMFS5C442NLT) einen maximalen RDS(on) (@ Ugs = 10 V) von 0,74; 0,9 bzw. 2,8 mΩ.

Die Drain-Ströme betragen 352, 315 bzw. 127 A. Hinzu kommen die Typen NTMFS5C604NL, NTMFS5C612NL und NTMFS5C646NL, die eine Durchbruchspannung von 60 V aufweisen. Der maximale RDS(on) dieser Bausteine beträgt 1,2; 1,5 bzw. 4,7 mΩ, und die Drain-Ströme betragen 287, 235 bzw. 93 A.

Sowohl die 40- als auch die 60-V-Varianten arbeiten mit Sperrschichttemperaturen bis 175 °C. ON will dieses Angebot um zusätzliche RDS(on)-Werte und verschiedene Gehäuse wie micro8FL, DPAK und TO220 erweitern.

Artikelfiles und Artikellinks

Link: Weitere IPDs von Toshiba

Link: Herausforderungen & Lösungen mit GaN Systems

Link: Details zum IGBT-Treiver von Power Integrations

Link: Das Leitprodukt C3M0065090J der 900-V-SiC-MOSFETvon Cree

Link: Power Devices von ROHM

Link: IGBT-Module von Infineon

Link: PIM-Bausteine von ON Semiconductor

Link: DIPIPM und mehr von Mitsubishi

Link: Datenblätter des SKYPER Prime von Semikron

Link: Mitmachen: POWER DEVICES für die erlektrische Antriebstechnik

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Stand: 08.12.2025

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