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ROHMs neues TRCDRIVE pack™ mit 2-in-1 SiC-Modul verringert die Größe von xEV-Wechselrichtern
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GaN und SiP
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ROHMs neue 1200-V-IGBTs erreichen branchenführend geringe Verluste mit hoher Kurzschlusstoleranz
Nachrichten | 01.06.2026
SiC-MOSFET von ROHM wird in Battery Backup Units für KI-Server eingesetzt, HVDC-Architekturen entwickeln sich weiter
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Neue SiC-Leistungsmodule
Artikel | 19.05.2026
Skalierbare Stromversorgungslösungen für SoCs
Artikel | 08.05.2026
Denso zieht Rohm-Angebot zurück, aber die Partnerschaft wird ausgebaut
Artikel | 27.04.2026
Rohm: Denso erwägt Rückzug – Halbleiter-Trio bleibt im Rennen