SiC-MOSFETs Generation 5 der SiC-MOSFETs: Wenn Kennzahlen allein nicht mehr reichen

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Wolfspeed und Rohm haben im Frühsommer 2026 jeweils ihre fünfte Generation von SiC-MOSFETs vorgestellt. Die Kennzahlen zeigen Fortschritte beim Durchlasswiderstand, bei Temperaturfestigkeit und Robustheit. Auf der PCIM wurde aber auch deutlich: Differenzierung entsteht zunehmend jenseits des Datenblatts.

Die Leistungshalbleiter-Hersteller Wolfspeed und Rohm haben innerhalb weniger Wochen ihre fünfte Generation von SiC-MOSFETs vorgestellt. Die Liste der technischen Eckdaten ist lang und liest sich recht ähnlich. Beide Hersteller versprechen geringere Verluste bei hohen Temperaturen, adressieren Anwendungen in E-Mobilität, Industrie und Rechenzentren und verweisen auf fertigungstechnische Reife.

Gerade diese Nähe macht den Vergleich interessant. Denn auf der PCIM 2026 zeigte sich: Im SiC-Wettbewerb geht es nicht mehr nur um die eine bessere Kennzahl im Datenblatt, sondern zunehmend um Fertigungskapazität, Kostenstruktur, Packaging, Lieferfähigkeit und die Frage, wie transparent Hersteller ihre Werte kommunizieren.

Ähnliche Richtung, unterschiedliche Vergleichsgrößen

Rohm kündigte die fünfte Generation von SiC-MOSFETs im April 2026 an, Wolfspeed folgte Anfang Juni. Verständlicherweise nutzten die Unternehmen die PCIM 2026, um ihre Produkte vorzustellen und zu besprechen. Beide Hersteller zielen auf Anwendungen, in denen Verluste, Baugröße und thermische Reserven besonders wichtig sind: Traktionswechselrichter, Onboard-Charger, DC/DC-Wandler, industrielle Stromversorgungen und zunehmend auch Stromversorgungssysteme für KI-Server und Rechenzentren. In der offiziellen Pressemitteilung zum Produkt nennen die Verantwortlichen von Rohm diese Anwendungsfelder ausdrücklich. Wolfspeed hingegen stellt Automotive- und Industrieanwendungen in den Vordergrund, verweist aber ebenfalls auf Anwendungen jenseits des Fahrzeugs.

Der gemeinsame technische Nenner ist der Durchlasswiderstand bei hoher Temperatur. Rohm spricht offiziell von rund 30 Prozent geringerem _ON-Widerstand bei 175 °C gegenüber der vierten Generation, und zwar bei gleicher Sperrspannung und Chipgröße. Möglich werde das durch strukturelle Verbesserungen und Prozessoptimierungen. Die Entwicklung der fünften Generation sei im März 2026 abgeschlossen worden; Bare Dies unterstützt Rohm bereits seit 2025, Muster diskreter Bauteile und Module sind jetzt im Sommer verfügbar.

Wolfspeed nennt für seine Gen-5-Technologie absolute Werte. Die neuen MOSFETs starten bei 750 V und 1.200 V im Format 5 mm × 5 mm. Beim 1.200-V-Typ QEM50120-025D10 gibt Wolfspeed einen chipbezogenen spezifischen Durchlasswiderstand von 3,4 mΩ·cm² bei 175 °C an. Beim 750-V-Typ QEM50075-025D10 sind es 2,0 mΩ·cm². Gegenüber heute kommerziell verfügbaren konkurrierenden 1.200-V-Lösungen spricht Wolfspeed von bis zu 27 Prozent geringerem spezifischem Durchlasswiderstand. Außerdem nennt das Unternehmen eine R_DS(ON)-Streuung von 18 Prozent für beide Spannungsklassen.

Wolfspeed setzt auf Planar und Transparenz

Technologisch bleibt Wolfspeed bei einem planaren MOSFET-Aufbau. Das ist nicht nur ein Detail, sondern Teil der Botschaft: Die neue Generation soll auf einer bekannten Plattform aufsetzen und ohne neue Fertigungswerkzeuge in die Volumenproduktion überführt werden. Entwickelt und gefertigt wird die Technologie auf Wolfspeeds 200-mm-Plattform in Mohawk Valley im US-Bundesstaat New York. Muster der beiden genannten Typen sind für ausgewählte Kunden verfügbar, weitere Produkte zwischen 750 V und 1200 V sollen 2026 und Anfang 2027 folgen.

Im Gespräch auf der PCIM betonte Adam Barkley, Vice President Power Device and Package Development bei Wolfspeed, uns gegenüber genau diesen Punkt. Die neue Generation sei weiterhin ein planarer MOSFET, nutze vorhandene Investitionen in der Fertigung und solle für Kunden wie eine vertraute Technologie wirken – nur mit geringerem R_DS(ON). Gleichzeitig verwies Barkley darauf, dass Wolfspeed bewusst absolute Werte veröffentliche. Prozentangaben allein seien schwer vergleichbar, wenn nicht klar sei, worauf sie sich beziehen. Mit den konkreten RSP-Werten wolle man eine ehrliche Diskussion erzwingen.

Als weitere Differenzierung nennt Wolfspeed die beibehaltene weiche Body-Diode aus der vierten Generation. Sie soll aggressives Schalten ermöglichen, ohne die sichere Betriebsgrenze zu verlassen. Hinzu kommt die höhere zulässige Sperrschichttemperatur: 200 °C im Dauerbetrieb, 215 °C als begrenzter Überlastfall. Für Kunden kann das zwei Wege öffnen: mehr Strom bei gleicher Chipfläche oder kleinere Chips bei gleicher Leistungsanforderung.

Rohm verbessert Body-Diode und Gate-Rating

Auch Rohm setzt bei seiner fünften SiC-MOSFET-Generation auf Planar-Technologie. Das ist deshalb bemerkenswert, weil das Unternehmen bei der dritten und vierten Generation stark mit Trench-Strukturen gearbeitet hatte. In der Pressefragerunde auf der PCIM wurde auf Nachfrage bestätigt, dass Generation 5 planar ausgelegt ist. Je nach Anwendung gebe es Raum für unterschiedliche Technologien; bei der fünften Generation passe Planar zu den Anforderungen der Kunden.

Neben dem geringeren Hochtemperatur-R_DS(ON) nennt Rohm mit einer verbesserten Body-Diode-Pulsstromfähigkeit und einem erweiterten Gate-Source-Spannungsrating weitere technische Fortschritte. Im PCIM-Gespräch wurde die Body-Diode-Pulsstromfähigkeit mit einer Steigerung von 130 A auf 285 A im Datenblatt bestätigt. Das statische V_GS-Rating wurde demnach auf −7 V bis +23 V erweitert, kurzzeitige Spannungsspitzen sollen im Bereich von −10 V bis +26 V möglich sein. Für das Abschalten empfiehlt Rohm je nach Design 0 V oder −3 V.

Zusätzlich verweist Rohm auf die Fertigung, denn die Massenproduktion der fünften Generation ist bereits auf 8-Zoll-Wafern angelaufen. Für das Unternehmen ist die Wafergröße auch ein Kostenargument: In einem Markt, in dem E-Mobilität langsamer wächst als zeitweise erwartet und chinesische Wettbewerber Preisdruck erzeugen, wird die Kostenstruktur zum Wettbewerbsfaktor.

Keine Wunder gegen die Physik

Gerade die Nähe der technischen Botschaften machte die Rohm-Fragerunde interessant. Worin liegt das Kaufargument, wenn die fünfte Generation der des Wettbewerbs so ähnlich ist? Die sinngemäße Antwort ist einfach: Physik bleibt Physik, Wunder gebe es nicht. Entscheidender würden vielmehr Lieferkettenkonsolidierung, Kosten und der Preis für die Endanwendung.

Die Hersteller bewegen sich bei den Grundparametern aufeinander zu: niedrigerer Durchlasswiderstand, bessere Hochtemperaturwerte, bessere Schaltperformance, mehr thermische Reserve. Die Unterschiede verschwinden damit nicht. Aber sie werden schwieriger zu kommunizieren. Ein einzelner Prozentwert reicht kaum noch aus, wenn nicht klar ist, ob er sich auf die Vorgängergeneration, einen Wettbewerber, eine bestimmte Temperatur, eine bestimmte Chipfläche oder eine konkrete Anwendung bezieht.

Wolfspeed nutzt diese Situation offensiv und setzt auf absolute Kennzahlen. Rohm argumentiert stärker über Anwendung, Kosten, Fertigung und Produktfamilien. Am Ende landet man damit weniger beim einzelnen Datenblattwert als bei der Frage, wer stabil, kostengünstig und in passenden Packages liefern kann.

Rechenzentren werden zum zweiten Zugpferd

E-Mobilität bleibt für beide Anbieter wichtig. Rohm nennt als Anwendungsbeispiele unter anderem Traktionswechselrichter, Onboard-Charger, DC/DC-Wandler und elektrische Kompressoren. Im Industriebereich nennt das Unternehmen Stromversorgungen für KI-Server und Rechenzentren, PV-Wechselrichter, Energiespeicher, USV-Anlagen, eVTOL und Servoantriebe.

Im Gespräch auf der PCIM bezeichnete man Automotive-Inverter weiterhin als aktuellen Haupttreiber des SiC-Umsatzes. Gleichzeitig verwies das Unternehmen auf deutlich schneller wachsende Nachfrage aus dem Bereich KI-Server und Rechenzentren. Die Umsätze mit Stromversorgungen für diesen Bereich sollen um das 2,5-Fache im Jahresvergleich wachsen.

Auch Wolfspeed betrachtet Rechenzentren nicht nur als klassische Serverstromversorgung, sondern als gesamte Power-Delivery-Kette. Barkley verwies im Gespräch auf die Netzanschlussseite, auf Solid-State-Transformatoren, auf die Umwandlung von höheren Gleichspannungen bis hinunter zu Zwischenkreisspannungen und schließlich auf niedrige Spannungen nahe der GPUs. Wolfspeed zeigte auf der PCIM zudem einen 10-kV-MOSFET für Solid-State-Transformer-Anwendungen. Solche Systeme sollen perspektivisch klassische 50- oder 60-Hz-Transformatoren teilweise ersetzen oder ergänzen.

PCIM 2026

Die schneller verfügbare Alternative zum klassischen Netztrafo

Rohm sieht ebenfalls höhere Spannungsebenen als künftiges Thema. Im Gespräch war von 2 kV, 2,3 kV und perspektivisch 3,3 kV die Rede, insbesondere für Solid-State-Transformer-Architekturen in Rechenzentren. Damit rückt SiC stärker in einen Bereich, der über den Fahrzeugantrieb hinausgeht: Netzanschluss, Energieverteilung, USV, Serverstromversorgung und industrielle Hochleistungswandler.

Der SiC-Wettbewerb wird erwachsener

Die fünften MOSFET-Generationen von Wolfspeed und Rohm sind deshalb weniger als Duell zweier Datenblätter interessant, sondern als Signal für den Reifegrad des SiC-Markts. Beide Hersteller liefern ähnliche Kernbotschaften: geringere Verluste bei hohen Temperaturen, bekannte Zielanwendungen, steigende Bedeutung von Rechenzentren und der Anspruch, SiC wirtschaftlicher und breiter einsetzbar zu machen.

Die Unterschiede liegen im Detail. Wolfspeed betont absolute R_SP-Werte, geringe Streuung, eine weiche Body-Diode, 200-mm-Fertigung und vertikale Integration von Substrat und Epitaxie bis zum Bauteil. Rohm verweist auf 8-Zoll-Fertigung, größere V_GS-Robustheit, verbesserte Body-Diode-Pulsstromfähigkeit, ein wachsendes Package-Portfolio und die Kostenfrage in einem härter werdenden Markt.

Damit verschiebt sich die Wettbewerbsfrage. SiC bleibt ein Material- und Bauteilthema. Aber der Markt entscheidet nicht mehr nur an der einzelnen Kennzahl im Datenblatt. Wer sich durchsetzen will, muss niedrige Verluste liefern, ja. Er muss aber auch genügend Kapazität, stabile Qualität, passende Packages, nachvollziehbare Werte, gute Applikationsunterstützung und wettbewerbsfähige Kosten bieten.

Genau das macht die fünfte Generation aufschlussreich: Wolfspeed und Rohm sind technisch nicht identisch. Aber sie zeigen, dass die großen Sprünge im SiC-Markt schwerer werden. Den einen spektakulären MOSFET-Trick gibt es offenbar immer seltener. Entscheidend wird, wer Technologie, Fertigung, Kosten und Kundennähe am besten zusammenbringt. (sb)

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