EU genehmigt deutsche Halbleiterförderung 659 Millionen Euro für vier neue Chipfabriken

Von Sebastian Gerstl 2 min Lesedauer

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Die EU-Kommission genehmigt 659 Millionen Euro für vier neue Halbleiteranlagen in Deutschland. Gefördert werden SiC-Wafer, Leistungshalbleiter, Messtechnik und spezialisierte Detektorchips.

Halbleiterförderung: Mit 659 Millionen Euro unterstützt Deutschland vier neue Anlagen für SiC-Wafer, Leistungshalbleiter, Messtechnik und spezialisierte Detektorchips.(Bild:  Dall-E / KI-generiert)
Halbleiterförderung: Mit 659 Millionen Euro unterstützt Deutschland vier neue Anlagen für SiC-Wafer, Leistungshalbleiter, Messtechnik und spezialisierte Detektorchips.
(Bild: Dall-E / KI-generiert)

Die Europäische Kommission hat staatliche Beihilfen Deutschlands in Höhe von insgesamt 659 Millionen Euro für vier neue Anlagen innerhalb der Halbleiter-Wertschöpfungskette genehmigt. Die Investitionen sollen neue Fertigungskapazitäten in Europa schaffen, die Versorgungssicherheit erhöhen und die technologische Autonomie der Europäischen Union stärken.

Die direkten Zuschüsse werden gemeinsam aus dem Bundeshaushalt und von den jeweils beteiligten Bundesländern finanziert. 353 Millionen Euro entfallen auf Element 3-5 in Baesweiler, 214 Millionen Euro auf Vishay Siliconix in Itzehoe, 74,4 Millionen Euro auf KLA-Tencor MIE in Weilburg und 17,9 Millionen Euro auf KETEK in München.

Element 3-5 SiCnature will in Nordrhein-Westfalen eine neuartige Fabrik für Epiwafer aus Siliziumcarbid errichten. Ein weiterentwickeltes Beschichtungsverfahren soll gegenüber konventionellen Heißwand-CVD-Systemen die Energieeffizienz, Ausbeute und Produktivität verbessern. Vishay baut unterdessen in Itzehoe Kapazitäten für die nächste Generation von n- und p-Kanal-Leistungs-MOSFETs auf, die vor allem für Automotive-, Industrie- und kommerzielle Anwendungen vorgesehen sind.

Förderung entlang der gesamten Wertschöpfungskette

KLA erweitert seinen Standort in Weilburg um die Fertigung fortschrittlicher optischer Overlay- und Schicht-Messtechnik einschließlich wichtiger Unterbaugruppen. Die Systeme dienen der Prozesssteuerung und Qualitätssicherung in der Front-End- und Back-End-Fertigung. KETEK plant in München zwei Reinraum-Produktionslinien für Siliziumdriftdetektoren und Graphene Radiation Entry Windows, die unter anderem in industriellen Sortier- und Recyclingsystemen eingesetzt werden.

Mit den Beihilfen sind mehrere Verpflichtungen verbunden. Die Unternehmen sollen mit Start-ups, KMU, Universitäten und Forschungseinrichtungen zusammenarbeiten, Weiterbildungsangebote für Fachkräfte entwickeln und bei Versorgungsengpässen vorrangig Aufträge für den europäischen Markt bedienen. Projektgewinne, die über die bisherigen Erwartungen hinausgehen, müssen anteilig mit Deutschland geteilt werden.

Nach Einschätzung der EU-Kommission handelt es sich bei den geplanten Anlagen um die ersten Einrichtungen ihrer Art in Europa. Die Förderung sei erforderlich, da Element 3-5, Vishay und KLA ihre Investitionen ohne staatliche Unterstützung nicht innerhalb der EU realisieren würden und KETEK das Vorhaben ohne Beihilfe überhaupt nicht umsetzen würde. Gleichzeitig seien die Zuschüsse auf die nachgewiesenen Finanzierungslücken begrenzt und hätten nur geringe Auswirkungen auf Wettbewerb und Handel im Binnenmarkt.

Die vier Unternehmen haben zudem beantragt, ihre Werke als integrierte Produktionsstätten gemäß dem EU Chips Act anerkennen zu lassen. Die Förderung ist damit Teil der europäischen Strategie, mehr Fertigungsstufen und Schlüsseltechnologien innerhalb der EU anzusiedeln. Langfristig verfolgt die Union das Ziel, ihren Anteil an der weltweiten Halbleiterproduktion bis 2030 auf 20 Prozent zu erhöhen.(sg)

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