Leistungshalbleiter EU stimmt Fördergeldern für Onsemi-SiC-Fab in Höhe von 450 Millionen Euro zu

Von Susanne Braun 1 min Lesedauer

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Im tschechischen Rožnov pod Radhoštěm möchte Onsemi eine Fertigungsanlage für Siliziumkarbid-Halbleiter errichten. Die EU-Kommission unterstützt dieses Vorhaben mit der Zustimmung zu tschechischen Fördermitteln in Höhe von 450 Millionen Euro.

Onsemi errichtet in der Tschechischen Republik eine SiC-Fertigungsfabrik.(Bild:  Onsemi)
Onsemi errichtet in der Tschechischen Republik eine SiC-Fertigungsfabrik.
(Bild: Onsemi)

Die Europäische Kommission hat der Tschechischen Republik eine staatliche Beihilfe von rund 450 Millionen Euro für den Aufbau einer vollintegrierten Siliziumkarbid-Fertigung von On Semiconductor (Onsemi) genehmigt. Die Beihilfe unterstützt die Errichtung einer neuen Produktionsanlage für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter und soll moderne Fertigungsschritte von der Materialbearbeitung bis zur Endverarbeitung bündeln. Freilich sind die dort produzierten Lösungen insbesondere für Anwendungen in Elektrofahrzeugen, Ladeinfrastruktur und erneuerbaren Energiesystemen interessant. Die EU bewertet SiC-Technologie als wichtigen Baustein künftiger Energie- und Mobilitätsanwendungen.

Nach Prüfung durch die Europäische Kommission wurde bestätigt, dass die öffentliche Förderung einen anreizgebenden Effekt besitzt: Ohne die staatliche Unterstützung wäre die Investition voraussichtlich nicht in Europa erfolgt. Zugleich sieht die Kommission keine unverhältnismäßigen Wettbewerbsverzerrungen. „Wir begrüßen die Entscheidung der Europäischen Kommission nach gründlicher und sorgfältiger Prüfung. Dies ist ein positiver Schritt, der die Bedeutung der Technologien von Onsemi und unsere Rolle bei der Unterstützung der Führungsrolle der Europäischen Union im Bereich fortschrittlicher, energieeffizienter Leistungshalbleiter widerspiegelt. Wir konzentrieren uns weiterhin darauf, unsere Kunden während des gesamten laufenden Prozesses zu unterstützen“, kommentierte Onsemi in einer kurzen Mitteilung(sb)

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