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DIPPM+ für Wechselrichter in Klimageräten und Industrie

Mitsubishi Electric startet die Markteinführung der DIPIPM+ und offeriert die ersten Engineering-Muster. Diese neuen Module integrieren Wechselrichter-, Gleichrichter- und Bremskomponenten (inklusive notwendigen Treiber- und Überwachungsfunktionen) zur vereinfachten Systemfertigung.

Außerdem ist eine Boostrap-Diode (BSD) mit zugehörigem Widerstand enthalten. Ermöglicht wird diese sehr kompakte Ausführung durch die von Mitsubishi Electric eigens entwickelte Bonding-Technologie; Gehäuseabmessungen sind 34 mm x 85 mm x 5,7 mm.

Bildergalerie

GaN Systems: Der E-Mode-GaN-on-Silicon-Leistungstransistor hat 60 A Strombelastbarkeit und erweitert das Angebot von GaN Systems bei Hochleistungs-Halbleiterschaltern.(Bild: GaN Systems)

Power Integrations: kleinster IGBT-Gate-Treiber für 90- bis 500-kW-Wechselrichter.(Bild: Power Integrations)

CREE: Das Leitprodukt C3M0065090J der 900-V-MOSFET-Plattform ist für 900 V und 32 A spezifiziert und besitzt bei 25 °C einen RDS(on) von 65 mΩ. Bei höheren Temperaturen (TJ = 150 °C) steigt der RDS(on) auf 90 mΩ an.(Bild: CREE)

Toshiba: Die Multi-Chip-Konfiguration des IPD TPD4204F integriert sechs MOSFETs und einen Treiber-IC. (Bild: Toshiba Electronics Europe)

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Die Module beinhalten Funktionen wie eine Kurzschlussüberwachung (durch einen Shunt-Widerstand), einen Schutz vor Versorgungsunterspannung (mit N-seitigem Fehlersignalausgang) und einen analogen Spannungsausgang mit nach außen geführtem Temperatursignal.

DIPIPM+-Module sind für Leistungsbereiche von 5 A/1200 V (PSS05MC1FT) bis 35 A/1200 V (PSS35NC1FT) ausgelegt. Im 600-V-Spannungsbereich offeriert Mitsubishi Electric eine zusätzliches 50-A-/600-V-Modul (PSS50MC1F6).

Bild 1: Vergleich des RDS(ON) über die Temperatur von 1200-V-Typen für Ströme von 30, 35, 40 und 50 A. (Quelle: Microsemi)

Artikelfiles und Artikellinks

Link: Weitere IPDs von Toshiba

Link: Herausforderungen & Lösungen mit GaN Systems

Link: Details zum IGBT-Treiver von Power Integrations

Link: Das Leitprodukt C3M0065090J der 900-V-SiC-MOSFETvon Cree

Link: Power Devices von ROHM

Link: IGBT-Module von Infineon

Link: PIM-Bausteine von ON Semiconductor

Link: DIPIPM und mehr von Mitsubishi

Link: Datenblätter des SKYPER Prime von Semikron

Link: Mitmachen: POWER DEVICES für die erlektrische Antriebstechnik

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Stand: 08.12.2025

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