Power Briefing Die wichtigsten Entwicklungen der Leistungselektronik im Juli 2026

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Welche Entwicklungen haben die Leistungselektronik im vergangenen Monat besonders geprägt? Das Power Briefing ordnet die wichtigsten Trends und Innovationen aus Stromversorgung, Leistungshalbleitern und Power-Management ein.

Die Leistungselektronik wird im Juli 2026 vor allem durch drei Entwicklungen geprägt: den Aufbau neuer Gleichspannungsarchitekturen für KI-Rechenzentren, die Ausweitung von SiC und GaN auf neue Leistungsklassen sowie die stärkere Integration von Leistungshalbleitern, Treibern, Schutzfunktionen und passiven Komponenten. Gleichzeitig investieren Hersteller Milliarden in neue Fertigungskapazitäten und ordnen ihre Produktionsnetzwerke neu.

Die Juli-Meldungen zeigen zwei Ebenen: Auf Bauteilebene verbessern Hersteller weiterhin MOSFETs, Treiber, Wandler-ICs, Drosseln und Gehäuse. Gleichzeitig entstehen auf Systemebene neue Stromversorgungsarchitekturen für KI-Rechenzentren, Megawattladesysteme, softwaredefinierte Fahrzeuge und Satelliten.

Auffällig ist, dass nicht allein Wide-Bandgap-Halbleiter im Mittelpunkt stehen. Silizium-Superjunction-MOSFETs, hochintegrierte Offline-Wandler, elektronische Sicherungen und passive Filterkomponenten bleiben für viele Anwendungen unverzichtbar. Zugleich verschiebt sich die Wertschöpfung. Halbleiterhersteller entwickeln gemeinsam mit Systemanbietern vollständige Lösungen aus Leistungsschalter, Treiber, Controller, Schutz, Telemetrie und Referenzdesign. Die eigentliche Differenzierung entsteht zunehmend an den Schnittstellen zwischen diesen Komponenten.

Infineon investiert fünf Milliarden Euro in eine neue Power-Halbleiterfabrik

Infineon hat Anfang Juli den weiteren Ausbau seines Standorts Dresden konkretisiert. Rund fünf Milliarden Euro fließen in eine neue Smart Power Fab, in der analoge, Mixed-Signal- und Leistungshalbleiter gefertigt werden sollen. Das Werk ist als hochautomatisierte 300-mm-Fabrik konzipiert und soll etwa 1.000 zusätzliche Arbeitsplätze schaffen.

Die Investition ist nicht nur industriepolitisch relevant. Bei Leistungshalbleitern entscheidet die Fertigungsstruktur zunehmend über Kosten, Lieferfähigkeit und die Geschwindigkeit, mit der neue Technologien in größere Stückzahlen überführt werden können. 300-mm-Wafer bieten vor allem bei siliziumbasierten Leistungs- und Power-Management-Produkten erhebliche Skaleneffekte. Gleichzeitig stärkt Infineon damit seine europäische Fertigungsbasis in einem Markt, der von staatlichen Förderprogrammen und geopolitischen Risiken geprägt ist.

Für Entwickler bedeutet der Ausbau zunächst keine neue Bauteilgeneration. Langfristig kann eine größere Fertigungskapazität jedoch die Verfügbarkeit von Leistungshalbleitern, Treibern, Sensoren und Power-Management-ICs verbessern.

Infineon – Investition in die Smart Power Fab in Dresden, 2. Juli 2026.

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Infineon und LS Electric entwickeln DC-Infrastruktur für KI-Rechenzentren

Infineon und der südkoreanische Energie- und Automatisierungskonzern LS Electric wollen gemeinsam Lösungen für die Gleichstromversorgung von KI-Rechenzentren entwickeln. Im Mittelpunkt stehen Energieumwandlungssysteme, Solid-State-Transformatoren, Energiespeicher und Halbleiterschutzschalter.

Die Kooperation adressiert einen grundlegenden Architekturwechsel. Mit steigenden Rackleistungen wachsen bei klassischen Niederspannungsverteilungen die Ströme, Leitungsverluste und Anforderungen an Kupferschienen erheblich. Höhere Gleichspannungen können diese Belastung reduzieren, verlangen aber nach neuen Wandler-, Schutz- und Isolationskonzepten.

Besonders interessant ist die Kombination aus Halbleiter- und Systemkompetenz. Infineon liefert Si-, SiC- und GaN-Bauelemente sowie Treiber und Controller. LS Electric bringt Erfahrung mit elektrischer Energieverteilung und industriellen Stromversorgungssystemen ein. Damit verschiebt sich der Wettbewerb von einzelnen Leistungshalbleitern zu kompletten DC-Infrastrukturen.

Infineon – Kooperation mit LS Electric für hocheffiziente DC-Lösungen, 13. Juli 2026.

SiC soll das Megawattladen effizienter machen

Infineon liefert SiC-Technologie an Advantics, einen Anbieter von Leistungselektronik für Hochleistungsladesysteme. Die Bauelemente sollen in Stromrichtern für Megawatt-Charging-Systeme eingesetzt werden. Solche Systeme sind insbesondere für schwere Nutzfahrzeuge, Busse, Baumaschinen und andere Anwendungen mit großen Traktionsbatterien vorgesehen.

Mit Ladeleistungen im Megawattbereich steigen die Anforderungen an Wirkungsgrad und Wärmemanagement deutlich. Selbst geringe zusätzliche Verluste führen zu erheblichen Wärmeströmen, die über Flüssigkeitskühlung, massive Kühlkörper oder aufwendige thermische Strukturen abgeführt werden müssen. SiC-MOSFETs können gegenüber klassischen Siliziumbauelementen vor allem bei höheren Spannungen und Schaltfrequenzen Vorteile bieten.

Die Meldung zeigt, dass sich SiC zunehmend von Pkw-Traktionsinvertern auf schwere elektrische Mobilität ausweitet. Entscheidend bleiben allerdings die Systemkosten. Neben dem Halbleiter müssen auch Transformatoren, Filter, Stecksysteme, Kühlung und Netzanschluss auf die hohen Leistungen ausgelegt werden.

Infineon – SiC-Technologie für Advantics-Megawattladesysteme, 8. Juli 2026.

Analog Devices übernimmt Empower Semiconductor

Analog Devices hat die Übernahme von Empower Semiconductor abgeschlossen. Empower entwickelt integrierte Spannungsregler und Power-Management-Lösungen für stromhungrige Prozessoren, Beschleuniger und KI-Systeme. ADI erweitert damit sein Portfolio für die Stromversorgung von der Netzseite bis unmittelbar an den Prozessor.

Die Übernahme ist strategisch bedeutsam, weil sich ein immer größerer Teil der Verluste in KI-Systemen in die letzten Wandlungsstufen nahe der Recheneinheit verlagert. Dort müssen hohe Ströme bei niedrigen Spannungen bereitgestellt werden. Gleichzeitig verlangen schnelle Lastsprünge nach kurzen Regelzeiten und niedrigen parasitären Widerständen und Induktivitäten.

Empowers integrierte Ansätze sollen Leistungsstufen, Regelung und passive Komponenten enger zusammenführen. Für ADI entsteht dadurch eine geschlossenere Power-Delivery-Kette, die neben Spannungswandlern auch Telemetrie, Strommessung, Power Sequencing und Systemmanagement umfasst.

Analog Devices – Abschluss der Übernahme von Empower Semiconductor, 7. Juli 2026.

Navitas und Magnachip kooperieren bei Hochvolt-SiC

Navitas Semiconductor und Magnachip haben eine strategische Partnerschaft für Hochvolt- und Ultrahochvolt-SiC-Produkte angekündigt. Navitas bringt seine GeneSiC-Technologie ein, während Magnachip über Fertigungs-, Entwicklungs- und Markterfahrung bei Leistungshalbleitern verfügt.

Die Zusammenarbeit zielt auf Anwendungen wie Energieinfrastruktur, Industrieantriebe, elektrische Mobilität und KI-Rechenzentren. Besonders relevant sind Spannungsklassen oberhalb klassischer 650- und 1.200-V-Produkte. Bei Mittelspannungsumrichtern, Solid-State-Transformatoren und Netztechnik kann eine höhere Sperrspannung die Zahl der in Serie geschalteten Bauelemente reduzieren.

Die Herausforderung liegt weniger im Erreichen einer hohen nominellen Sperrspannung als in der Kombination aus Schaltverhalten, Kurzschlussfestigkeit, Isolation und Packaging. Je höher die Spannung, desto stärker bestimmen Feldsteuerung, Teilentladungen und thermomechanische Belastungen die Systemzuverlässigkeit.

Navitas Semiconductor – Partnerschaft mit Magnachip, 23. Juli 2026.

Infineon bringt einen strahlungsgehärteten GaN-Treiber für Satelliten

Mit dem RIC70115 hat Infineon einen strahlungsgehärteten Treiber für GaN-HEMTs und Silizium-Leistungsschalter vorgestellt. Der Baustein ist für Satelliten und andere hochzuverlässige Raumfahrtanwendungen ausgelegt und kann sowohl in High-Side- als auch in Low-Side-Konfigurationen eingesetzt werden.

GaN ist für Raumfahrtanwendungen interessant, weil sich hohe Schaltfrequenzen, geringe Verluste und kompakte Wandler realisieren lassen. Gleichzeitig müssen die Bauelemente und ihre Treiber ionisierender Strahlung, Einzelereigniseffekten sowie extremen Temperaturbedingungen standhalten.

Der neue Treiber adressiert eine häufig unterschätzte Hürde bei GaN: Ein strahlungsfester Leistungstransistor allein reicht nicht aus. Auch Treiber, Versorgung, Isolation und Schutzfunktionen müssen für die Einsatzbedingungen qualifiziert sein. Infineon erweitert damit das verfügbare Ökosystem für GaN-basierte Satellitenstromversorgungen.

Infineon – RIC70115 für Raumfahrtanwendungen, 15. Juli 2026.

ST bringt GaN stärker in die Motorsteuerung

STMicroelectronics hat eine neue Evaluierungsplattform für den integrierten GaN-Motortreiber GANSPIN612 veröffentlicht. Gemeinsam mit dem leistungsstärkeren GANSPIN611 bildet der Baustein eine Familie integrierter Motorsteuerlösungen mit 650-V-GaN-Transistoren und Hochvolt-Gate-Treibern.

Der GANSPIN612 ist für Leistungen um 300 W ausgelegt, während der GANSPIN611 mehr als 400 W adressiert. Zielanwendungen sind unter anderem Kompressoren, Pumpen, Lüfter und kompakte Haushaltsgeräte. Dort können niedrigere Schaltverluste den Verzicht auf große Kühlkörper ermöglichen und die Baugröße der Elektronik reduzieren.

Bislang ist GaN vor allem aus Netzteilen und Schnellladegeräten bekannt. Die Integration in Motorantriebe eröffnet einen breiteren Markt, stellt Entwickler aber vor andere Anforderungen. Motorleitungen, hohe Spannungssteilheiten und wechselnde Betriebszustände können EMV-Probleme und zusätzliche Isolationsbelastungen verursachen.

STMicroelectronics – GANSPIN611, GANSPIN612 und neue Evaluierungsplattform, 27. Juli 2026.

Rohm bringt 600-V-Superjunction-MOSFETs in ein thermisch optimiertes SMD-Gehäuse

Rohm hat neue 600-V-Superjunction-MOSFETs vorgestellt, die in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse mit verbessertem thermischem Verhalten angeboten werden. Die Bauelemente richten sich unter anderem an Netzteile, Ladegeräte, industrielle Stromversorgungen und Leistungsfaktorkorrekturstufen.

Die Meldung ist ein wichtiger Gegenpol zur starken Fokussierung auf SiC und GaN. In vielen Anwendungen bleibt Silizium wirtschaftlich und technisch konkurrenzfähig. Moderne Superjunction-MOSFETs können besonders bei mittleren Schaltfrequenzen ein günstiges Verhältnis aus Kosten, Leitverlusten und Robustheit bieten.

Das neue Gehäuse soll die Wärmeabfuhr verbessern und gleichzeitig eine automatisierte SMD-Fertigung ermöglichen. Damit folgt Rohm dem allgemeinen Trend zu oberflächenmontierbaren Leistungshalbleitern mit klar definiertem thermischen Pfad. Der Wettbewerb findet nicht nur über den Chip, sondern zunehmend über Gehäuse, Layout und Kühlintegration statt.

Rohm – 600-V-Superjunction-MOSFETs im SMD-Gehäuse, 9. Juli 2026.

Infineon ersetzt klassische Fahrzeugsicherungen durch eine softwarekonfigurierbare eFuse

Infineon hat mit dem BTS80009 SWPx 1ES den ersten Baustein seiner neuen SPOC-Wire-Guard-Familie vorgestellt. Die elektronische 12-V-Sicherung kombiniert einen High-Side-Schalter mit I²t-Leitungsschutz, Strommessung, Diagnose und SPI-Schnittstelle.

Im Gegensatz zu einer Schmelzsicherung kann die eFuse Fehler innerhalb von Mikrosekunden isolieren und anschließend zurückgesetzt werden. Die Schutzparameter lassen sich softwareseitig konfigurieren. Das ist besonders für zonale E/E-Architekturen und softwaredefinierte Fahrzeuge interessant, bei denen Stromkreise nicht mehr ausschließlich durch fest ausgelegte Sicherungsboxen geschützt werden.

Ein weiterer Vorteil liegt in der Auslegung des Kabelbaums. Wenn Strom und thermische Belastung genauer überwacht werden, müssen Leitungen nicht mehr zwangsläufig für seltene Fehlerfälle überdimensioniert werden. Dem stehen höhere Bauteilkosten, Verlustleistung und Anforderungen an funktionale Sicherheit gegenüber.

Infineon – SPOC Wire Guard 12-V-eFuse, 29. Juli 2026.

Onsemi verkauft zwei Fertigungsstandorte

Onsemi hat Vereinbarungen zum Verkauf zweier Produktionsstandorte getroffen. Die Maßnahme ist Teil der sogenannten Fab-Right-Strategie, mit der das Unternehmen seine Fertigungskosten reduzieren und die Auslastung seiner verbleibenden Werke verbessern will.

Für die Power-Branche ist diese Meldung relevant, weil Onsemi zu den großen Anbietern von MOSFETs, IGBTs, SiC-Bauelementen, Sensoren und analogen Halbleitern gehört. Änderungen im Produktionsnetzwerk können langfristig die Herkunft, Lieferfähigkeit und Kosten einzelner Produktfamilien beeinflussen.

Die Strategie steht exemplarisch für eine Konsolidierung innerhalb der Halbleiterindustrie. Während gleichzeitig Milliarden in moderne 300-mm- oder SiC-Fabriken fließen, werden ältere und weniger ausgelastete Standorte verkauft. Hersteller konzentrieren Investitionen zunehmend auf Prozesse, bei denen sie technologische oder wirtschaftliche Vorteile sehen.

Onsemi – Verkauf zweier Fertigungsstandorte, 7. Juli 2026.

Rohm zeigt einen kompakten Buck-Boost-Wandler mit bis zu 97 Prozent Wirkungsgrad

Rohm hat ein Evaluierungsboard für einen kompakten Buck-Boost-DC/DC-Wandler vorgestellt. Die Lösung erreicht nach Herstellerangaben einen Wirkungsgrad von bis zu 97 Prozent und einen Ruhestrom von 2,8 µA.

Buck-Boost-Wandler sind vor allem dann relevant, wenn die Eingangsspannung sowohl oberhalb als auch unterhalb der gewünschten Ausgangsspannung liegen kann. Typische Anwendungen finden sich in batteriegespeisten Geräten, industriellen Sensoren und Automotive-Systemen. Ein niedriger Ruhestrom ist dort entscheidend, wo die Schaltung lange im Standby verbleibt.

Der technische Fortschritt liegt weniger in einem spektakulären neuen Schaltungskonzept als in der Kombination aus Wirkungsgrad, geringem Eigenverbrauch und kompakter Implementierung. Gerade bei kleinen Stromversorgungen entscheiden Layout, Regelstrategie und die Auswahl der passiven Komponenten häufig stärker über das Ergebnis als der nominelle Spitzenwirkungsgrad.

Rohm – kompaktes Buck-Boost-Evaluierungsboard, 22. Juli 2026.

TDK verkleinert Übertrager und Drosseln für isolierte Gate-Treiber

TDK hat kompakte SMD-Komponenten für Gate-Treiber und isolierte DC/DC-Wandler in Elektrofahrzeugen vorgestellt. Die Bauteile sind unter anderem für 500-V-Batteriesysteme, AC/DC-Stromversorgungen und industrielle Leistungselektronik vorgesehen.

Mit schnell schaltenden SiC- und GaN-Bauelementen steigen die Anforderungen an die isolierte Treiberversorgung. Die Übertrager müssen eine ausreichend hohe Isolationsfestigkeit bieten, gleichzeitig aber geringe parasitäre Kapazitäten aufweisen. Andernfalls fließen bei hohen Spannungssteilheiten zusätzliche Gleichtaktströme über die Isolation.

Derartige passive Komponenten werden in vielen Produktmeldungen kaum beachtet, bestimmen aber wesentlich die EMV, Sicherheit und Zuverlässigkeit einer Leistungsstufe. Die Miniaturisierung ist daher nur dann ein Fortschritt, wenn Isolation, Kriechstrecken, Temperaturverhalten und Teilentladungsfestigkeit erhalten bleiben.

TDK – SMD-Komponenten für Gate-Treiber und isolierte DC/DC-Wandler, 1. Juli 2026.

TDK entwickelt kompakte Gleichtaktdrosseln für 80 V und 35 A

TDK hat neue SMD-Gleichtaktdrosseln für Ströme bis 35 A und Spannungen bis 80 V vorgestellt. Die Komponenten sind für kompakte Leiterplattenlayouts in leistungsstarken Niederspannungssystemen vorgesehen.

Die Spannungsklasse ist unter anderem für 48-V-Bordnetze, Telekommunikationssysteme, Serverstromversorgungen und industrielle DC-Verteilungen interessant. Mit steigenden Strömen werden Filterkomponenten schnell groß und thermisch kritisch. Gleichzeitig erfordern hohe Schaltflanken eine wirksame Unterdrückung von Gleichtaktstörungen.

Die neue Drosselfamilie adressiert damit einen Engpass moderner Power-Systeme. Höhere Schaltfrequenzen können zwar Transformatoren und Energiespeicherdrosseln verkleinern, verschärfen aber häufig die EMV-Anforderungen. Filter bleiben deshalb ein wesentlicher Bestandteil der Leistungsdichte und lassen sich nicht allein durch schnellere Halbleiter ersetzen.

TDK – SMD-Gleichtaktdrosseln bis 80 V und 35 A, 23. Juli 2026.

Power Integrations überarbeitet den klassischen Offline-Sperrwandler

Power Integrations hat im Juli die fünfte Generation seiner TinySwitch-Familie dokumentiert. TinySwitch-5 integriert einen 725-V-Silizium-MOSFET mit einem Offline-Sperrwandler-Controller und ist für kompakte, hocheffiziente AC/DC-Stromversorgungen vorgesehen.

Die Familie arbeitet mit Schaltfrequenzen bis 150 kHz und soll Wirkungsgrade von bis zu 92 Prozent erreichen. Verschiedene Gehäusevarianten ermöglichen flache SMD-Aufbauten, vertikale Montage oder eine direkte Kühlkörperanbindung. Zielanwendungen sind Hilfsstromversorgungen, Haushaltsgeräte, IoT-Geräte und industrielle Elektronik.

Die Meldung zeigt, dass klassische Siliziumlösungen bei kleineren und mittleren Leistungen weiterhin weiterentwickelt werden. Nicht jede Stromversorgung benötigt GaN oder SiC. Hohe Integration, robuste Netzspannungsfestigkeit und ein einfacher Transformator können wirtschaftlich wichtiger sein als die maximal erreichbare Schaltfrequenz.

Power Integrations – Datenblatt der TinySwitch-5-Familie, Juli 2026.

Der Patentstreit um GaN erreicht den US-Markt

Die US International Trade Commission hat nach Angaben von Infineon Maßnahmen gegen bestimmte GaN-Produkte von Innoscience bestätigt, die Patente des Unternehmens verletzen sollen. Die Entscheidung kann den Import betroffener Produkte in die Vereinigten Staaten begrenzen.

Der Vorgang ist für den GaN-Markt von erheblicher strategischer Bedeutung. Mit wachsendem Absatz steigen nicht nur Investitionen in Fertigungskapazitäten, sondern auch Patentstreitigkeiten rund um Bauelementstrukturen, Prozesse und Integration. Hersteller müssen daher zunehmend prüfen, welche Technologien sie selbst entwickeln, lizenzieren oder über Partnerschaften absichern.

Für Anwender entsteht daraus ein Lieferkettenrisiko. Ein technisch geeignetes und günstiges Bauteil kann problematisch werden, wenn seine Verfügbarkeit in einzelnen Märkten rechtlich eingeschränkt wird. Zweitquellen und langfristige Liefervereinbarungen gewinnen dadurch zusätzlich an Bedeutung.

Infineon – Entscheidung der US International Trade Commission, 7. Juli 2026. (mr)

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