Auf die schnell ansteigende Nachfrage nach Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) reagiert Mitsubishi Electric mit der Ankündigung, eine neue SiC-Waferfab in der japanischen Präfektur Kumamoto zu bauen. Ab Frühjahr 2026 sollen dort die ersten 200-mm-SiC-Wafer prozessiert werden.
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