Wegen Speicherkrise zurück zu den Wurzeln? Intel-CEO erwägt Rückkehr zur Speicherproduktion

Von Sebastian Gerstl 3 min Lesedauer

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Lip-Bu Tan sieht Speicher nicht länger als reines Massengeschäft: In einem Podcast-Gespräch deutete der Intel-CEO an, dass sich das Unternehmen wieder mit der Forschung an und möglichen Produktion von Speichertechnologien auseinandersetzt. Neue Architekturen, 3D-Stacking und Speicherkonzepte wie ZAM oder XBM könnten dem Konzern neue Chancen eröffnen.

Bereits 1980 war Intel aus der Fertigung von DRAM-Chips ausgestiegen, 2022 wurde mit der im 3D-Xpoint-Verfahren gefertigten Optane-Reihe der bislang letzte kommerzielle Vorstoß im Bereich der Speichertechnologien eingestellt. Angesichts der Speicherkrise und des steigenden Bedarfs an schnellen Memory-Chips scheint Intel-CEO Lip-Bu Tan aber nun über eine mögliche Rückkehr ins Speichergeschäft nachzudenken.(Bild:  Intel)
Bereits 1980 war Intel aus der Fertigung von DRAM-Chips ausgestiegen, 2022 wurde mit der im 3D-Xpoint-Verfahren gefertigten Optane-Reihe der bislang letzte kommerzielle Vorstoß im Bereich der Speichertechnologien eingestellt. Angesichts der Speicherkrise und des steigenden Bedarfs an schnellen Memory-Chips scheint Intel-CEO Lip-Bu Tan aber nun über eine mögliche Rückkehr ins Speichergeschäft nachzudenken.
(Bild: Intel)

Intel könnte sich wieder stärker im Speichergeschäft engagieren. CEO Lip-Bu Tan hat in einem Podcast-Gespräch mit TechSurge neue Speicherarchitekturen als eines seiner besonderen Interessengebiete bezeichnet und angedeutet, dass der Konzern unter anderem an einer engeren Verbindung von Prozessoren und Speicher arbeitet. Konkrete Pläne für eine Rückkehr in das klassische DRAM- oder NAND-Geschäft nannte Tan allerdings nicht.

Der Intel-Chef begründete seinen Sinneswandel mit der veränderten Bedeutung von Speichertechnologien. Früher habe er Speicher wegen seines Charakters als weitgehend austauschbares Massengeschäft für wenig attraktiv gehalten. Inzwischen sei die Lage eine andere, da zahlreiche neue Technologien entstünden. Dass Intel mit Seok-Hee Lee einen alten Intel-Veteranen und früheren Chef von SK Hynix verpflichtet hat, wertete Tan selbst als Hinweis darauf, in welche Richtung seine Überlegungen gehen könnten. „Es kommen gerade viele neue Technologien auf den Markt. Deshalb beschäftigen wir uns gerade mit einem meiner Lieblingsprojekte, nämlich einigen neuen Speicherarchitekturen. Ich glaube, Sie haben gerade die Nachrichten gesehen: Ich habe meinen guten Freund Seok-Hee Lee eingestellt, der früher SK Hynix geleitet hat. Sie ahnen also schon, worüber ich nachdenke. Wir sind aber noch nicht so weit, das zu enthüllen,“ sagte der Intel-CEO im Wortlaut.

CPU und Speicher sollen enger zusammenrücken

Besonders interessant erscheint Intel die räumliche Verbindung von Rechenlogik und Speicher. Tan sieht nach eigenen Angaben mehrere Möglichkeiten, CPUs und Speicher übereinander zu stapeln. Ein solcher Ansatz könnte die Wege verkürzen, über die Daten zwischen beiden Komponenten übertragen werden müssen. Gerade bei KI-Beschleunigern sind Speicherbandbreite, Energieverbrauch und Datentransfer inzwischen entscheidende Faktoren für die Leistung des Gesamtsystems.

Zu diesen Überlegungen passt ein von Intel entwickeltes Konzept namens XBM. Die Architektur soll im Gegensatz zu herkömmlichem High Bandwidth Memory ohne den bislang benötigten Silizium-Interposer auskommen und unter anderem UCIe-Verbindungen nutzen. Speicher und Logik könnten dadurch enger miteinander kombiniert werden. Das Konzept befindet sich noch in einem frühen Stadium, könnte langfristig aber helfen, Kosten und Engpässe beim Datentransfer in KI-Systemen zu reduzieren.

Daneben arbeitet Intel gemeinsam mit Partnern in Japan an Z-Angle Memory, kurz ZAM. Die gestapelte DRAM-Architektur soll mit mehreren Speicherchips und einem Logik-Controller eine energieeffizientere und kostengünstigere Alternative beziehungsweise Ergänzung zu HBM ermöglichen. Unterstützt wird die Entwicklung unter anderem über das Gemeinschaftsunternehmen Saimemory mit SoftBank und weiteren japanischen Partnern.

Viele Fragen bleiben noch offen

Für Intel wäre ein neues Engagement im Speicherbereich zugleich eine Rückkehr zu den eigenen Wurzeln. Das 1968 gegründete Unternehmen begann als Speicherhersteller, zog sich jedoch in den 1980er-Jahren angesichts des wachsenden Wettbewerbs aus Japan aus dem DRAM-Geschäft zurück und konzentrierte sich auf Mikroprozessoren. Später folgten neue Anläufe mit NAND-Flash und Optane. Das NAND-Geschäft wurde schließlich 2020 an SK Hynix veräußert, während Intel 2022 auch die Optane-Aktivitäten einstellte.

Dass Intel nun erneut Interesse an Speichertechnologien zeigt, bedeutet deshalb noch nicht zwangsläufig den Aufbau einer eigenen großvolumigen DRAM-Produktion. Ein solcher Schritt würde hohe Investitionen in Fabriken, Fertigungsprozesse und Forschung erfordern. Gleichzeitig steckt Intel erhebliche Mittel in neue Prozessoren, die eigene Foundry-Sparte sowie moderne Packaging-Technologien. Wahrscheinlicher erscheint daher zunächst ein Fokus auf spezialisierte Speicherarchitekturen, die sich eng mit CPUs, KI-Chips und Intels Fertigungsangebot verbinden lassen.

Auch technologisch bleiben Hürden. Direkt auf leistungsstarke Logikchips gestapelter DRAM stellt hohe Anforderungen an Kühlung und Fertigungsausbeute. Zudem verfügt HBM bereits über ein etabliertes Ökosystem, das besonders durch Nvidias dominante Stellung bei KI-Beschleunigern gestützt wird. Ob XBM, ZAM oder weitere Intel-Entwicklungen daraus ein eigenständiges Geschäft machen können, ist daher weiter offen. Angesichts des steigenden Bedarfs an leistungsfähigen Speicherchips lassen Tan's Aussagen darauf schließen, dass sich das Unternehmen ernsthaft mit diesem Technologiefeld beschäftigt.

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