Der integrierte Pufferverstärker BUF802 offeriert eine Bandbreite bis 3 GHz und das ohne ASIC. Auch das Front-End-Design ist einfach gestaltet. Zielmarkt sind Anwendungen in der Prüf- und Messtechnik.

Hy-Line Power Components hat sein Portfolio um die kompakten TDK-Lambda-Hutschienen-Stromversorgungen der DRB-Serie erweitert, die aus einem Dreiphasen-Netz gespeist werden kann. Dies ist wesentlich nützlicher, als es auf den ersten Blick erscheint.

Toshiba Electronics Europe hat in Düsseldorf ein neues High-Voltage-Labor eingerichtet. Der Standort soll europäische Kunden insbesondere beim Einsatz von Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Technologien in industriellen oder Automotive-Anwendungen zu unterstützen.

Das CT-Röntgenprüfsystem VT-X750-V3 des Herstellers Omron inspiziert elektronische Baugruppen von beiden Seiten. Verbesserte Kameras und ein KI-Algorithmus helfen bei der Inspektion der Prüflinge.

Forscher des belgischen imec-Instituts haben erstmals eine erfolgreiche Simulation zum Entwickeln von Strukturgrößen kleiner als 3 nm präsentiert. Auf dem IEEE Electron Devices Meeting stellten Sie mit der Forksheet-Architektur eine Methode vor, um Technologie-Nodes in Größen von 2 nm zu ermöglichen.

Für das parametrische Testsystem S530 von Keithley bietet Tektronix die Software KTE V7.1 an. Sie bietet verbesserte Funktionen und damit auch einen höheren Testdurchsatz.

Mit einem IC lassen sich bei minimalem Bauteileaufwand, auf effiziente Weise und mit geringer Ruhestromaufnahme bis zu fünf Versorgungsspannungen für Kfz-Infotainment-Systeme erzeugen. Der LTC3372 ist ein als Komplettlösung realisierter Spannungsregler, der die Regelung auch bei den extremen Spannungsschwankungen aufrechterhalten kann.

Während SiC-Leistungshalbleiter kommerziell in Anwendungen der Spannungsklassen bis 3,3 kV etabliert sind, dominiert das Halbleitermaterial GaN im Spannungsbereich bis 650 V.

Dringend gesucht werden weiter miniaturisierte und schneller schaltende Leistungshalbleiter, um die Leistungsdichte der Systeme zu erhöhen. Ein GaN-Design-Wettbewerb zielte darauf ab, Innovationen der Leistungselektronik zu fördern. Es gibt drei Preisträger.

Forscher haben auf Basis von rotem Indiumgalliumnitrid (InGaN) ein Mikrodisplay entwickelt. Bisher waren mit GaN-basierten lichtemittierenden Bauteilen nur blaue und grüne Mikrodisplays möglich. Der neue Ansatz soll den Weg für kompaktere AR-Anwendungen ebnen.