Speicherfertigung in China CXMT fährt DRAM-Produktion hoch und plant NAND-Pilotlinie

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Der chinesische DRAM-Chiphersteller CXMT hat die Serienproduktion der fünften Generation seiner Technologieplattform gestartet. Nach eigenen Angaben will das Unternehmen damit auf Augenhöhe in Konkurrenz zu den Konkurrenten und Marktführern Samsung, SK Hynix und Micron Technology treten. Parallel soll eine eigene NAND-Entwicklungslinie in Peking entstehen.

Der chinesische Speicherhersteller CXMT hat seine fünfte DRAM-Technologieplattform in die Serienfertigung überführt. Nach Angaben des Unternehmens beträgt der Abstand zentraler Strukturen im Speicherzellenbereich 11,95 nm. CXMT sieht den Fertigungsprozess damit auf einem vergleichbaren Niveau mit fortgeschrittenen, derzeit in Serie produzierten DRAM-Nodes internationaler Anbieter.

Für die Strukturierung verwendet CXMT unter anderem Quadruple Patterning. Dabei werden mehrere Belichtungs- und Prozessschritte kombiniert, um feinere Strukturen zu erzeugen, als sie mit einer einzelnen Strukturierungsstufe erreichbar wären. Nach eigenen Angaben entwickelte CXMT die Plattform mithilfe von Simulationen und in Zusammenarbeit mit chinesischen Anlagenherstellern bei kritischen Fertigungsschritten.

Auf der neuen Plattform fertigt CXMT zwei LPDDR5X-Bausteine mit jeweils 24 Gbit Speicherkapazität. Gegenüber den bisherigen vergleichbaren Produkten des Herstellers steigt die Kapazität damit um 50 Prozent. Beide Varianten befinden sich laut CXMT bereits in Serienproduktion und werden in unterschiedlichen Gehäuseausführungen für Smartphones und andere mobile Geräte angeboten. Bezogen auf einen 8-Gbit-Baustein soll die neue Plattform zudem mindestens 50 Prozent mehr Brutto-Dies pro Wafer ermöglichen als die vierte Generation. Diese Angabe beschreibt die Zahl potenzieller Dies vor der Aussortierung fehlerhafter Bausteine und ist daher nicht mit einer entsprechenden Steigerung der Ausbeute gleichzusetzen.

NAND-Entwicklungslinie in Peking geplant

Parallel zur Weiterentwicklung seines DRAM-Geschäfts bereitet CXMT laut einem Reuters-Bericht einen Einstieg in NAND-Flash vor. Demnach soll in einer neuen Fabrik in Peking eine Forschungs- und Entwicklungslinie für NAND entstehen. Zusätzlich hat das Unternehmen in der chinesischen Hauptstadt ein Forschungsinstitut eingerichtet, in dem NAND zu den Entwicklungsfeldern gehören soll. Wann die Pilotlinie ihren Betrieb aufnehmen könnte und ob daraus eine kommerzielle Großserienfertigung entsteht, ist bislang nicht bekannt.

CXMT soll seine NAND-Pläne bereits mit potenziellen Abnehmern diskutiert haben. Dazu gehört dem Bericht zufolge ein neu gegründetes Unternehmen, das NAND-Bausteine für Speichersysteme in KI- und Supercomputing-Anwendungen beziehen möchte. Der Eintritt würde CXMT in einen Markt führen, der deutlich stärker von etablierten internationalen Herstellern geprägt ist als das chinesische DRAM-Segment. Für das zweite Quartal 2026 weist TrendForce bei NAND Marktanteile von 29,3 Prozent für Samsung, 18,2 Prozent für SK hynix und 15,1 Prozent für Micron aus.

Die Erweiterung in Richtung NAND würde zugleich die bisherige Arbeitsteilung zwischen CXMT und YMTC aufweichen. CXMT konzentrierte sich bislang auf DRAM, während YMTC vor allem im NAND-Flash-Markt aktiv ist. YMTC arbeitet seinerseits an einem Einstieg in den DRAM-Bereich und hat laut Reuters bereits LPDDR-Muster an Kunden ausgeliefert. Rückmeldungen aus diesen Evaluierungen sollen bis Ende 2026 in die Entscheidung über eine mögliche DRAM-Produktion einfließen.

CXMT rückt auf Rang 4 der weltweiten DRAM-Hersteller vor

In seinem Kerngeschäft hat CXMT seinen Anteil am weltweiten DRAM-Markt zuletzt erhöht. TrendForce bezifferte ihn für das zweite Quartal 2026 auf 9,5 Prozent. Damit lag CXMT hinter Samsung mit 39,4 Prozent, SK hynix mit 24,9 Prozent und Micron mit 23,3 Prozent auf Rang vier. Gleichzeitig baut das Unternehmen seine Fertigungskapazitäten aus und plant einen weiteren Speicherchip-Standort in Peking.

Die Entwicklungen zeigen, dass sich Chinas größere Speicherhersteller zunehmend über ihre bisherigen Produktsegmente hinaus orientieren. Bei CXMT trifft der Ausbau der DRAM-Fertigung auf erste Aktivitäten im NAND-Bereich, während YMTC in die Gegenrichtung arbeitet. Wie schnell daraus relevante zusätzliche Produktionskapazitäten entstehen, hängt unter anderem vom Aufbau der Fertigungsprozesse, von Ausbeute und Skalierung sowie vom Zugang zu Fertigungsanlagen und Software ab. US-Exportbeschränkungen begrenzen seit 2022 den Zugang chinesischer Hersteller zu bestimmten fortgeschrittenen Halbleitertechnologien und bleiben damit ein wesentlicher Faktor für die weitere technische Entwicklung.(sg)

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