Seit vielen Jahren sind NAND-Flash und DRAM für die meisten Computing-Anwendungen die Speichertechniken der Wahl. Doch das Ende ihres Lebenszyklus ist bereits sichtbar. Teil 4 unserer Serie zu Halbleiter-Technologietrends beschreibt mögliches Optimierungspotenzial – und welche neuen Techniken auf den Markt drängen.

Im Projekt GaN-HighPower werden Technologien für den Einsatz in Photovoltaik-Wechselrichtern der nächsten Generation entwickelt und erprobt. Ziel sind kostengünstigere, Ressourcen-schonendere und effizientere Stromrichter.

Entwickler des französischen Tech-Unternehmen Aledia lassen GaN-Nanodrähte mit einem Durchmesser im Submikron-Bereich auf großflächigem Silizium wachsen. Die Produktion ist in konventionellen Foundries möglich.

Ob Wechselrichter, AC-Servos oder Hausgeräte und Konsumprodukte, die Leistungshalbleiter der Serie BM2P06xMF-Z verzichten auf Kühler und zusätzliche passive Komponenten. Alles Nötige ist integriert.

Sie wirken täuschend echt, sind aber von Computern gemacht: Sogenannte Deep-Fake-Bilder werden mithilfe von maschinellem Lernen generiert und sind für menschliche Betrachter kaum von realen Fotos zu unterscheiden. Das soll sich nun mit einer neuen Methode ändern.

Damit der Low-Dropout-Regler (LDO) eine saubere Ausgangsspannung liefert und besonders bei höheren Strompegeln optimal funktioniert, sind entscheidende Parameter und Kenngrößen richtig auszuwählen.

Mit einer elektronischen DC-Last lassen sich Stromversorgungen und Leistungswandler testen. Doch wie lassen sich die verschiedenen Möglichkeiten in verschiedenen Anwendungen einsetzen?

Um positive und negative Spannungen zu generieren, sind keine speziellen Gate-Treiber nötig. Wir zeigen Ihnen, wie Sie einen unipolaren Gate-Treiber so adaptieren, dass Sie ihn bipolar treiben können und gleichzeitig den Miller-Effekt mindern.

Im Rahmen eines Verbundprojekts entwickeln Forscher spezielle UV-C-LEDs und untersuchen dabei Parameter wie Wellenlängen, Bestrahlungsdosen und Lebensräume der Viren.

Das französische Start-up Aledia setzt bei der Produktion von Mikro-LEDs für Displays auf GaN-on-Si-Wafer. In den nächsten Jahren will das Unternehmen weiter investieren und wachsen.