WBG-Leistungshalbleiter stellen hohe Ansprüche an beispielsweise Zwischenkreis-Kondensatoren. TDK entwickelte Kondensatoren, um die Vorteile der SiC- und GaN-Halbleiter bestmöglich nutzen zu können.

GaN und SiC schalten in Halbleiterbauelementen wesentlich schneller als Silizium und sind gleichzeitig effizienter. Mit einem passenden Tastkopf und Oszilloskop sind zuverlässige Messungen möglich.

Der weltweit größte Elektronikhersteller Foxconn will Mikrochips verstärkt selbst herstellen – vor allem für die Automobilbranche. Daher hat der Konzern eine Fabrik für 6-Zoll-SiC-Wafer von Macronix gekauft.

The superior performance of GaN power transistors and integrated circuits enable groundbreaking laser driver performance. provide the accuracy and robustness needed to ensure the performance and safety required for autonomous navigation.

Intel will wieder zum führenden Chip-Fertiger werden – und will dafür offenbar Globalfoundries für rund 30 Mrd. US-Dollar kaufen. Das würde zur neuen Strategie Integrated Device Manufacturing (IDM) 2.0 passen.

High voltage transient spikes generated during power conversion or gate-drive switching can be very harmful. In a motor drive application, the dV/dt transients may break the winding insulation, reducing motor life, and impacting system reliability.

Galliumnitrid-Leistungshalbleiter (auch) für E-Autos: Imec und Aixtron präsentieren eine 200-mm-GaN-Epitaxie für 1200-V-Anwendungen mit einem Breakdown bei über 1800 V.

Zuverlässige Stromversorgungen sind eine Grundvoraussetzung für geringe Ausfallraten von Elektrogeräten. Dieser Beitrag erklärt typische Probleme bei Stromversorgungen und wie man sie vermeidet.

Sind CMOS-Chips mit 1-nm-Knoten realistisch? Wird die Speicherbarriere in traditionellen Von-Neumann-Rechnerarchitekturen durchbrochen? Kommt echtes In-Memory-Computing? Diesen Fragen gehen wir in einer fünfteiligen Beitragsreihe auf den Grund. Teil 1 zeigt, welche Innovationen dafür sorgen, dass das Moore’sche Gesetz gültig bleibt.

Für mehr als 2 Mrd. Euro baut Infineon eine neue Frontend-Fertigung für Verbindungshalbleiter in Kulim, Malaysia. Damit will der Konzern seine Führungsposition im Wachstumsmarkt Leistungshalbleiter stärken. 2024 sollen erste Wafer die Produktion verlassen.