WBG-Leistungshalbleiter verändern die Art und Weise, wie PFCs zu entwickeln sind. Am Beispiel EV-Ladestation skizziert der Artikel eine Lösung mit dem SiC-MOSFET TW070J120B und Gate-Treiber TLP5214A.

Bosch will bis 2026 drei Milliarden Euro in sein Halbleitergeschäft investieren. In Reutlingen und Dresden sollen für zusammen mehr als 170 Millionen Euro neue Halbleiter-Zentren entstehen.

Auch TSMC ist nun dabei - FinFET wird durch Nanosheets abgelöst. Ein Grund für die Entscheidung ist der Wunsch der Kunden nach Energieeffizienz. 

US-Chiphersteller Intel lässt Worten offenbar Taten folgen: Für insgesamt 80 Mrd. Euro – davon 70 Prozent aus Eigenmitteln – will der Konzern acht neue hochmoderne Chipfabriken in der Europäischen Union bauen. Bis Jahresende soll klar sein, wo genau. Doch auch TSMC, Samsung & Co investieren kräftig in Forschung und Fertigung. Wer macht das Rennen?

Ideale Halbleiterschalter gibt es nicht. Aber mit GaN- oder SiC-Bauelementen kann man sich dem gewünschten Idealzustand zumindest annähern. Was aber ist bei der Auswahl konkret zu beachten?

Smart Grids müssen künftig die Erzeugung, Verteilung und Speicherung von dezentral erzeugtem Strom aus erneuerbaren Quellen koordinieren. Die electronica 2022 zeigt vom 15. bis 18. November 2022, welche grundlegende Rolle die Elektronik dabei spielt.

In diesem Jahr läuft bei TSMC die Serienfertigung im hauseigenen 3-nm-Prozess an, binnen zwei bis drei Jahren soll nun mit 2nm die nächstkleinere Stufe folgen. Das kündigte TSMC-CEO C.C. Wei bei der Vorstellung der jüngsten Quartalszahlen des Unternehmens an.

Das Verhalten von eGaN-FETs (GaN auf Silizium) ist dem Einsatz moderner Power-MOSFETs in Silizium sehr ähnlich. Phase 12 des Zuverlässigkeitsbericht ergänzt die bisherige Wissensbasis zu eGaN.

Die Struktur eines Flyback-Transformators hat Auswirkungen auf die Gleichtaktstörungen. Um diese zu kompensieren, muss die Transformatorstruktur entsprechend angepasst werden.

WBG-Leistungshalbleiter verändern die Art und Weise, wie PFCs zu entwickeln sind. Am Beispiel EV-Ladestation skizziert der Artikel eine Lösung mit dem SiC-MOSFET TW070J120B und Gate-Treiber TLP5214A.