Vektor-Netzer-Analysator Millimeterwellen bis 220 GHz mit einem VNA messen

Von Jon Marten, Tom Roberts, Andrej Rumiantzev und Kooho Jung*

Anbieter zum Thema

Messungen an Millimeterwellen mit einem Vektor-Netzwerk-Analysator (VNA) sind zunehmend auch für höhere Frequenzen bis 220 GHz notwendig. Doch die entsprechende Messtechnik muss mithalten können.

HF-Messtechnik: Anwendungen mit höheren Millimeterwellen-Frequenzen wachsen beständig. Mit einem Vektror-Netzwerk-Analysator lassen sich Frequenzen bis 220 GHz messen.
HF-Messtechnik: Anwendungen mit höheren Millimeterwellen-Frequenzen wachsen beständig. Mit einem Vektror-Netzwerk-Analysator lassen sich Frequenzen bis 220 GHz messen.
(Bild: © Yanawut Suntornkij – adobe.stock.com)

Anwendungen mit höheren Millimeterwellen-Frequenzen wie 5G nehmen zu. Damit einher geht die Modellierung von Baugruppen und ihren Subsystemen, damit Messungen bei noch höheren Frequenzen möglich werden. Allerdings können Unzulänglichkeiten der Mess- und Prüfsysteme erhebliche Probleme verursachen. Über die grundlegenden S-Parameter-Daten hinaus sind Messungen der Verstärkungskompression, Intermodulationsverzerrung oder Frequenzumsetzung notwendig. Allerdings erstrecken sich diese hinsichtlich des Entwicklungs- und Testaufwands über einen sehr weiten Frequenzbereich.

Die Verknüpfung von bandbegrenzten Messdaten kann dabei funktionieren – aber die Aufbau- und Kalibrierungszeiten werden drastisch länger. Da sich die Messunsicherheiten je nach Frequenzband unterscheiden, kann das Zusammenfügen der einzelnen Datensätze zu Diskontinuitäten führen, was eine Problemlösung erfordert. Dabei helfen ein Breitband-VNA (Vektor-Netzwerk-Analysator), welcher niedrige Frequenzen bis hin zu 220 GHz überstreicht und die zugehörigen Messspitzen.

Zu den Anforderungen zählen: Frequenzvervielfacher mit ausreichender Leistung und weitem Pegelbereich; Umsetzer mit geringem Rauschen und ausreichender Linearität; ein Gerätekonzept, das auf der Sende- und Empfängerseite unterschiedliche Frequenzbereiche verarbeiten kann; und ein breitbandiges Steckerinterface, die eine durchgängige Messung auf dem Wafer über den gesamten Frequenzbereich ermöglicht.

Die notwendigen Anforderungen bei breitbandigen Messungen

Breitbandige S-Parameter-Daten und andere Mikrowellen-Messungen sind für viele Modellextraktionsverfahren von entscheidender Bedeutung [1] bis [6]. In anderen Fällen dienen die Messdaten dazu, nur die parasitären Elemente in Bauteilmodellen zu erzeugen. In beiden Fällen ist die Genauigkeit der zugrunde liegenden Messdaten wichtig für die Qualität des Modells oder für jede Art beschreibender Analyse.

In der Regel ist das De-Embedding in irgendeiner Form bei allen Messgrößen erforderlich, die von der Messspitze zu den Baugruppen- oder Subsystemgrenzen gelangen. Die Messungen gehen oft über die rein lineare Kleinsignalanalyse hinaus und umfassen Kompression (AM/AM, AM/PM), Oberwellen, Intermodulationsverzerrung oder Nachbarkanalanalyse und andere Größen. Diese linearen oder nichtlinearen Größen können Teil einer umfassenden nichtlinearen Bauteilemodellierung sein oder als grundlegendes Charakterisierungstool verwendet werden.

Einige dieser genannten Größen werden manchmal nur auf Baugruppenebene benötigt, und in dieser Phase kommen auch andere Messungen ins Spiel: Frequenzumwandlung (Verstärkung und Phase) und Modulationsverzerrung. Allen gemeinsam ist, dass die Analyse über einen sehr weiten Frequenzbereich und mit einem Instrument durchzuführen ist, dessen eigene Linearität die Messung nicht beeinflusst.

Probleme bei Breitbandmessungen oberhalb des F-Bandes

Bei dieser Art von Messungen ergeben sich einige neue Herausforderungen. Ein derzeit typischer Aufbau besteht aus einem Breitbandsystem mit 110 oder 125 GHz, gefolgt von Messungen mit bandbegrenzten Hohlleitermodulen (110 bis 170 und 170 bis 260 oder 90 bis 140 und 140 bis 220). Bei der Montage und Demontage dieser Module und entsprechender Messspitzen auf dem Waferprober, treten unteschiedliche Probleme auf.

Für die Extraktion der breitbandigen Modellparameter und die Überprüfung der IC-Performance verlangen die Spezifikationen des Produkt- und Prozessdesign-Kits (PDK), dass derselbe Prüfling an mehreren (üblicherweise, fünf oder mehr) Temperaturpunkten gemessen wird, was daher mit mehreren Aufsetzzyklen der Messspitzen an den DUT-Kontakten verbunden ist.

Eine Messung über einen weiten Frequenzbereich

Die für Sub-Millimeterwellen-Spitzen geeigneten DUT-Kontaktpads sind sehr klein, da ansonsten die parasitäre Reaktanz des Pads mit der Frequenz zunimmt. Da kleine Pads nur wenige Kontaktierungen für Messspitzen erlauben, wird es unmöglich, dasselbe DUT über den gesamten Frequenzbereich (bestehend aus mehreren Bändern) und über alle Temperaturpunkte zu messen.

Oft sind Entwickler gezwungen, verschiedene DUTs bei unterschiedlichen Temperaturen oder Frequenzbändern zu wählen, was die Unsicherheit im gemessenen Modell oder der spezifizierten Parameter erheblich erhöht. Daher hilft ein Messsystem, das die erforderliche Anzahl von Kontaktierungen reduziert und One-Touchdown-Messungen in einem weiten Frequenzbereich ermöglicht.

Jetzt Newsletter abonnieren

Verpassen Sie nicht unsere besten Inhalte

Mit Klick auf „Newsletter abonnieren“ erkläre ich mich mit der Verarbeitung und Nutzung meiner Daten gemäß Einwilligungserklärung (bitte aufklappen für Details) einverstanden und akzeptiere die Nutzungsbedingungen. Weitere Informationen finde ich in unserer Datenschutzerklärung.

Aufklappen für Details zu Ihrer Einwilligung

Herkömmliche VNA-Frequenzextender reagieren empfindlich auf selbst kleinste Instabilitäten der Messlaborumgebung. Aufgrund der abgesetzten Position des Moduls, ohne weitere Kontrollkreise, können die Eigenschaften des Breitband-Messsystems schneller driften als die des Basis-VNA. Dies erhöht die effektive Messzykluszeit und führt zu häufigeren Neukalibrierungen des Systems.

Häufige System-Rekonfigurationen und -Umstellungen, die für Messungen in einem großen Frequenzbereich erforderlich sind, erhöhen die Ausfallzeit des Messsystems und das Risiko, teure Systemkomponenten wie Testspitzen und VNA-Extender zu beschädigen. All das erhöht die ohnehin schon hohen Testkosten.

Ein Blick auf die Datenintegrität

Bild 1: Beispiel für Anomalien bei der Zusammenführung von unterschiedlichen Messdaten – einschließlich einer Änderung der erwarteten Unsicherheiten an einer Bandgrenze. Die Messeigenschaften ändern sich durch unterschiedliche Hardware, Messspitzen und (manchmal) unterschiedliche Kalibrierungselemente.
Bild 1: Beispiel für Anomalien bei der Zusammenführung von unterschiedlichen Messdaten – einschließlich einer Änderung der erwarteten Unsicherheiten an einer Bandgrenze. Die Messeigenschaften ändern sich durch unterschiedliche Hardware, Messspitzen und (manchmal) unterschiedliche Kalibrierungselemente.
(Bild: Anritsu)

Datenintegrität ist ebenfalls ein Problem. Da in den verschiedenen Bändern unterschiedliche Messspitzen mit möglicherweise verschiedenen Aufsetzcharakteristiken und abweichenden Dämpfungs- und Anpassungsparametern sowie unterschiedliche Messmodule zum Einsatz kommen (mit abweichender Anpassung, Effizienz, spektraler Reinheit, Stabilität und Rauschcharakteristik), werden die Daten in den verschiedenen Bändern unter unterschiedlichen Bedingungen erfasst.

Während die Kalibrierung die meisten dieser Unterschiede korrigiert (jedoch nicht Unterschiede in Bezug auf Linearität, Rauschen, spektrale Reinheit, Drift oder Wiederholbarkeit), unterscheiden sich die Unsicherheiten und Verteilungen in den verschiedenen Bändern. Dies wirft einige Fragen auf, wie mit den unvermeidlichen Sprüngen in den Messdaten an den Bandgrenzen umzugehen ist (Bild 1).

Die Unsicherheitsbereiche in den beiden Bändern überlappen sich, und es ist nichts grundsätzlich falsch an beiden Messungen – aber die Diskontinuität bringt weitere Komplikationen mit sich. Da einzelne Module (und möglicherweise Messspitzen) die Unsicherheiten an den Bandgrenzen verschlechtern können, kann die Analyse noch detaillierter erfolgen [7].

Sind die Daten einmal erfasst, kann das De-Embedding auf die gewünschte Referenzebene eine Herausforderung sein. Insbesondere bei neueren BiCMOS- und CMOS-Prozessen können fünf bis neun Metallebenen (Layer) vorliegen, und die gewünschte Transistor-Referenzebene kann sich auf der unteren Ebene befinden, während sich die Pads zur Kontaktierung ganz oben befinden. Dies führt zum De-Embedding eines kompletten Netzwerks, das aus vielen Durchkontaktierungen und Übergängen, erheblichen Dämpfungen und Fehlanpassungen besteht [7] bis [9].

Wie erwähnt, beeinflussen höhere Verluste und Fehlanpassungen den De-Embedding-Prozess und die zugrunde liegenden Messdaten (insbesondere im Hinblick auf die Drift) wesentlich stärker [10] bis [11]. Da solche Fertigungsprozesse bei den Millimeterwellen zunehmend interessant sind, kann die Stabilität und grundlegende Genauigkeit der S-Parameter-Daten kritisch sein (was auf das Zusammenfügen von einzelnen Frequenzbändern und die unterschiedlichen Messunsicherheiten in allen Bändern einschließlich der Wiederholbarkeit der Kontaktierung zurückgeht).

Der Leistungspegel ist entscheidend bei Transistoren

Bild 2: Messung eines 120 GHz-Verstärkers bei nominalen und geregelten (-40 dBm) Leistungspegel. Der nominelle Aufbau verursachte enorme und veränderliche Verstärkungskompressionen.
Bild 2: Messung eines 120 GHz-Verstärkers bei nominalen und geregelten (-40 dBm) Leistungspegel. Der nominelle Aufbau verursachte enorme und veränderliche Verstärkungskompressionen.
(Bild: Anritsu)

Ein weiterer Aspekt der Messung ist der Leistungspegel. Er ist für Transistoren und bestimmte Verstärker bei höheren Frequenzen wichtig, da der eingangsbezogene Kompressionspunkt häufig sehr niedrig ist. In einigen Fällen muss die Treiberleistung -40 dBm oder weniger betragen, und es kommt auf die genaue Steuerung dieser Leistung an (damit man nicht unbeabsichtigt das Messobjekt in Kompression betreibt). Für die quasi-linearen Messungen ist diese genaue Leistungsregelung noch wichtiger [12]. Die veraltete Lösung eines mechanischen variablen Dämpfungsgliedes bietet keine ausreichende Pegelkonstanz für diese Art von Messungen.

Bild 2 beschreibt die Messung eines Low Noise Amplifiers (LNA) mit 120 GHz, bei der der Ansteuerungspegel nicht ausreichend berücksichtigt wurde (als „Nominal“ bezeichnet, nicht konstant und stellenweise bis zu einem Pegel von-15 dBm) – zusammen mit einer Messung, bei der die Leistung konstant auf -40 dBm eingestellt wurde. Bei der ersten Messung wurde nicht nur die Verstärkung stark komprimiert, sondern aufgrund von Problemen mit der Pegelkonstanz variierte die Kompressionsstärke erheblich mit der Frequenz. Das Beispiel ist insofern extrem, als das DUT bei nominaler Leistung stark komprimiert wurde, was die Millimeterwellen und insbesondere bei Transistoren mit früh einsetzender Kompression nicht ungewöhnlich ist.

Ein Blick auf die Linearität und den internen LO

Bild 3: Die Intermodulationsverzerrung ist für zwei verschiedene mmWellen-Empfänger dargestellt. Während viele Variablen wichtig sind (LO-Wellenform und Ansteuerungspegel oder Wandlertechnik), können die verfügbaren Linearitätspegel stark variieren.
Bild 3: Die Intermodulationsverzerrung ist für zwei verschiedene mmWellen-Empfänger dargestellt. Während viele Variablen wichtig sind (LO-Wellenform und Ansteuerungspegel oder Wandlertechnik), können die verfügbaren Linearitätspegel stark variieren.
(Bild: Anritsu)

Ist die Ansteuerungsleistung genau geregelt, muss die Linearität des Empfängers im VNA beachtet werden, da eine Korrektur der Empfängerverzerrung schwierig sein kann. Da viele Empfänger für Millimeterwellen sogenannte Oberwellenmischer relativ hoher Ordnung verwenden, kommt es auf die Einstellung des internen LO (lokaler Oszillator) an, um die Linearität am Messport aufrechtzuerhalten.

Beispiele für zwei unterschiedliche Empfängerkonzepte sind in Bild 3 dargestellt. Für zwei Empfänger mit derselben Oberwellenzahl, aber unterschiedlichen LOs (leichte Modifikation / Clipping und stärkere Modifikation / Clipping und Edge Sharpening) wurde eine Messung der Intermodulationsverzerrung (Tonabstand 100 MHz) durchgeführt.

Die Linearität (Third Order Intercept Point bezogen auf die Messebene) unterschied sich um fast 10 dB. Die verwendete Konvertertechnologie war in diesem Experiment nicht gleich (unterschiedliche Durchbruchspannungen), so dass keine eindeutigen Schlussfolgerungen möglich sind, aber eine deutliche Varianz der Empfänger-Linearitätspegel in diesem Frequenzbereich ist durchaus üblich.

Der Einsatz eine Breitband-VNA für mehr Stabilität

Bild 4: Blockdiagramm eines Breitbandsystems mit 220 GHz. Eine einzige Schnittstelle ermöglicht Messungen ohne Stitching, hohe Linearität und Stabilität des Empfängers sowie eine umfassende Leistungsregelung.
Bild 4: Blockdiagramm eines Breitbandsystems mit 220 GHz. Eine einzige Schnittstelle ermöglicht Messungen ohne Stitching, hohe Linearität und Stabilität des Empfängers sowie eine umfassende Leistungsregelung.
(Bild: Anritsu)

4a: Zwei Module sind dargestellt, die mit On-Wafer-Tastköpfen verbunden sind und den gesamten Frequenzbereich des Instruments von 70 kHz bis 220 GHz abdecken (Betrieb ist bis 226 GHz möglich).
4a: Zwei Module sind dargestellt, die mit On-Wafer-Tastköpfen verbunden sind und den gesamten Frequenzbereich des Instruments von 70 kHz bis 220 GHz abdecken (Betrieb ist bis 226 GHz möglich).
(Bild: Anritsu)

Eine Möglichkeit, um die bereits beschriebenen Probleme anzugehen, ist ein Breitband-VNA mit einem ausreichenden Maß an Integration und Systemsteuerung. Mit ihm lässt sich eine angemessene Stabilität und relativ hohe Linearität der Empfänger ermöglichen.

Das Blockschaltbild eines solchen Systems ist in Bild 4 (ME7838G) dargestellt und besteht aus einem Basis-VNA- und den mmWellen-Modulen. Die Module übernehmen die Signalverarbeitung von 30 bis 226 GHz unter Verwendung breitbandiger Richtkoppler und eines Abtastsystems mit hoher LO-Frequenz, das auf nichtlinearen III-V-Übertragungsleitungen basiert [13].

Das portbezogene Intermodulationsprodukt dritter Ordnung dieser Konverter überschreitet 30 dBm, was den Anforderungen an die Linearität entgegenkommt. Die Module übernehmen die Signalerzeugung oberhalb von 54 GHz und verwenden vier Multiplexer (vor den Messkopplern), um das Signal der jeweiligen Vervielfacher einzuspeisen. Da bei den höheren Millimeterwellen-Frequenzen zunehmend weniger Leistung zur Verfügung steht, ist der Multiplexer mit der höchsten Frequenz der letzte und weist die engste Kopplung auf. Regelschleifen für RF und LO wurden in die Module integriertum die Messstabilität nochmals zu verbessern.

Die Integration der Empfänger, Koppler und Vervielfacher auf kleinem Raum trägt zur thermischen Gleichmäßigkeit und damit zur Stabilität bei – ebenso wie die Nähe der Koppler zur Messspitze. Der Testport ist eine neuartige Entwicklung, der einen koaxialen Aufbau (0,6 mm Außenleiterdurchmesser) verwendet, jedoch einen Präzisionsflansch UG-387 anstelle eines Gewindes besitzt, um den Außenanschluss zu bilden.

Der vergrößerte Auflagebereich der Flanschschnittstelle verbessert die Haltbarkeit und reduziert die Axialkräfte und Biegemomente der Verbindung erheblich. Die Wiederholbarkeit mit und ohne Drehung wird durch einen präzisen, stiftgeführten UG-387-Flansch und begrenzte Montagemöglichkeit der Verbindung verbessert: nur 0 und 180° sind möglich. Eine solche Steckverbindung ermöglicht den Einsatz einer einzigen Messspitze, um Messungen von 70 kHz bis 226 GHz durchzuführen.

Auf die Messspitzen kommt es an

HF-Messspitzen wandeln die elektromagnetische Energie, die sich entlang des dreidimensionalen Mediums (Koaxkabel oder Rechteck-Hohlleiter) ausbreitet, in das DUT auf dem Wafer und seine Kontakt-Pads um. Dieser Übergang darf nur minimalen Einfluss auf die Impedanz und die Feldanpassung aufweisen. Das ist besonders bei Frequenzen im Sub-Millimeterbereich schwer zu erreichen: Präzise On-Wafer Prozesse sind dabei entscheidend für die Gesamtleistungsfähigkeit des Systems.

Gut angepasste Messspitzen tragen einen Teil dazu bei, um die Kalibrierungs- und Messergebnisse über eine breite Frequenz zu verbessern. Die MPI-TITANTM-Messspitzen für Frequenzen bis 220 GHz verfügen über angepasste 50-Ohm-MEMS-Kontaktspitzen. Ein weiterer wichtiger Aspekt des Designs ist die Sichtbarkeit der Spitzenkontakte. Bei den TITAN-Messspitzen sind die Kontakte beim Aufsetzen voll einsehbar, um eine präzise Anwendung zu garantieren. Das ermöglicht eine wiederholbare Positionierung der HF-Messspitze auf Kalibrierstandards und kleinen DUT-Pads und trägt dazu bei, auch für unerfahrene Bediener eine bessere Wiederholbarkeit und Reproduzierbarkeit zu erreichen.

Der Verschleiß einer Messspitze

Bild 5: Empfängerkompression des Systems in Bild 4 mit einem +5dBm-Port relativ zu -20 dBm Portleistung.
Bild 5: Empfängerkompression des Systems in Bild 4 mit einem +5dBm-Port relativ zu -20 dBm Portleistung.
(Bild: Anritsu)

Ein häufig übersehener Aspekt der Messspitzentechnik ist ihr Verschleiß – nach vielen Aufsetzzyklen verringert sich automatisch die Länge der Spitze. Aufgrund des einzigartigen Designs des TITAN-220 GHz-Tastkopfs bleiben die elektrischen Eigenschaften auch nach Hunderttausenden von Zyklen unverändert. Somit übertrifft die Lebensdauer des Tastkopfs die Lebensdauer vergleichbarer Tastköpfe – selbst bei Al-DUT-Pad-Metallisierung, was die Testkosten verringert und die Rendite des Testsystems erhöht.

Die Empfängerlinearität wurde besprochen, und ein Diagramm der Empfängerkompression ist in Bild 5 dargestellt. Das wurde bei einer Leistung von +5 dBm mit einem externen Stimulus analysiert und stellt die Verzerrung der Transmission relativ zur Übertragung bei -20 dBm dar. Diese für einen Millimeterwellen-VNA sehr guten Werte werden durch die sorgfältige Auswahl der LO-Wellenform möglich, die bei der Ansteuerung der Empfänger zum Einsatz kommt [14].

Bild 6: Leistungsregelbereich bei 225 GHz für das System in Bild 4. Eine rekonfigurierbare Pegelschleife ermöglicht eine weite Leistungsregelung über die Millimeterwellen.
Bild 6: Leistungsregelbereich bei 225 GHz für das System in Bild 4. Eine rekonfigurierbare Pegelschleife ermöglicht eine weite Leistungsregelung über die Millimeterwellen.
(Bild: Anritsu)

Auch die Leistungsregelung wurde bereits als wichtige Messgröße erörtert. Eine Möglichkeit, die Leistung anzupassen, erfolgt über einen heterodynen Detektor, der eine Pegelregelschleife mit einstellbaren Zeitkonstanten und Verstärkungen speist. In unserem Beispiel ermöglicht dies einen weiten Regelbereich (~35 dB bei 225 GHz wie in Bild 6 und im Allgemeinen >40 dB unter 220 GHz) mit guter Regellinearität.

Bild 7: Messung der Stabilität einer Durchgangsleitung über 18 Stunden für das System in Bild 4.
Bild 7: Messung der Stabilität einer Durchgangsleitung über 18 Stunden für das System in Bild 4.
(Bild: Anritsu)

Stabilität ist wichtig, um die Intervalle zwischen den Kalibrierungen an den Messspitzen zu maximieren und Messfehler zu vermeiden, die die Modellierung oder andere Analysen komplizierter gestalten. Die Messung einer Durchgangsleitung (basierend auf einer koaxialen Struktur) über 18 Stunden bei 25 ±3 °C ist in Bild 7 dargestellt. Wie bei Temperaturschwankungen an den LO Kabeln zu erwarten, nimmt die Drift etwas mit der Frequenz zu, da der LO-Multiplikationsfaktor mit höherer Frequenz zunimmt. Die internen VNA-Empfänger werden unterhalb von 30 GHz verwendet, sodass die RF-Kabel zu den Modulen (Bild 4) in diesem Bereich eine größere Bedeutung für die Stabilität der Messung hat.

Referenzen

[1] H. Chen, H. Zhang, S. Chung, J. Kuo und T. Wu, “Accurate systematic model-parameter extraction for on-chip spiral inductors,” IEEE Trans. Elec. Dev., vol. 55, pp. 3267-3273, Nov. 2008.

[2] I. Angelov, K. Kanaya, S. Goto und M. Addasi, “On the high frequency de-embedding and modeling of FET devices,” 73rd ARFTG-Konf. Dig., pp. 1-4, Juni 2009.

[3] C. Fager, L. J. P. Linner und J. C. Pedro, “Optimal parameter extraction and uncertainty estimation in intrinsic FET small-signal models,” IEEE Trans. Micr. Theory Techn., vol. 50, pp.2797-2803, Dez. 2002.

[4] M. T. Yang, P. P. C. Ho, Y. J. Wang, T. J. Yeh und Y. T. Chia,” Broadband small-signal model and parameter extraction for deep sub-micron MOSFETS valid up to 110 GHz,” 2003 RFIC-Symposium Dig., pp. 369-372, Juni 2003.

[5] D. Williams, W. Zhao, R. A. Chamberlin, J. Cheron und M. Urteaga, “Verification of a foundry-developed transistor model including measurement uncertainty,” 87. ARFTG-Konf. Dig., Juni 2016, pp. 1-4.

[6] J. Martens, “Parameter extraction from 110+ GHz S-parameter measurements: a heuristic analysis of sensitivity and uncertainty propagation,” 2011 COMCAS-Konf. Dig., Nov. 2011, pp. 1-4.

[7] D. F. Williams, A. C. Young und M. Urteaga, "A prescription for sub-millimeter-wave transistor characterization," IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, vol. 3, pp. 433-439, April 2013.

[8] N. Derrier, A. Rumiantsev und D. Celi, "State-of-the-art and future perspectives in calibration and de-embedding techniques for characterization of advanced SiGe HBTs featuring sub-THz fT/fMAX," IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), Portland, Oregon, 2012.

[9] D. F. Williams et al., "Calibration-kit design for millimeter-wave silicon integrated circuits," IEEE Trans. On Micr. Theory and Techn., vol. 61, pp. 2685-2694, Juli 2013.

[10] X. Ye, “De-embedding errors due to inaccurate test fixture characterization,” IEEE Electromagnetic Compatibility Mag., Vol. 1 No. 4, April 2012.

[11] J. Martens, “Common adapter/fixture extraction techniques: sensitivities to calibration anomalies,” 74. ARFTG-Konf. Dig., Dez. 2009, pp. 1-11.

[12] L. Galatro, S. Galbano, A. Santaniello und M. Spirito, “Power control for S-parameters and large signal characterization at (sub)-mmWave frequencies,” 85. ARFTG-Konf. Dig., Juni 2015, pp. 1-4.

[13] J. Martens, K. Noujeim und T. Roberts, “An Improved Stability Broadband/mmWave VNA Structure,” 77. ARFTG-Konf. Dig., Juni 2011, pp. 1-4.

[14] J. Martens, “Sub-mmWave and THz frequency conversion: LO waveform control and sampling technologies,” 8. ESA-Workshop Millimeterwellen-Technik und -Anwendungen, Dez. 2018.

* Jon Marten und Tom Roberts arbeiten bei Anritsu. Andrej Rumiantzev und Kooho Jungarbeiten bei MPI.

(ID:48105259)