Nominelle 28-V-Bordnetze können im Betrieb hohen Schwankungen ausgesetzt sein. Soll daraus eine stabile Versorgung entstehen, muss der Wandler sowohl hoch- als auch tiefsetzen können. GaN ermöglicht kompaktere Wandler, erhöht aber den Entwicklungsaufwand.

Belgische Ermittler haben einen früheren Forscher des insolventen belgischen Halbleiterherstellers BelGaN verhaftet. Dem 52-Jährigen, der sowohl die belgische als auch chinesische Staatsbürgerschaft besitzt, wird vorgeworfen, Firmengeheimnisse zur GaN-Chipfertigung an ein chinesisches Start-up übertragen zu haben.

Ein Demonstrator auf Basis eines 1.200-V-GaN-Leistungsmoduls verlagert die Leistungselektronik aus dem Fahrzeug in ein kompaktes externes DC-Ladegerät. Der Ansatz soll bidirektionales Laden für 800-V-Elektrofahrzeuge ermöglichen.

Der Verkaufsstopp für bestimmte CoolGaN-Produkte in China ist nur ein Ausschnitt eines größeren Patentstreits zwischen Infineon und Innoscience. Ein Überblick über Verfahren, Märkte und die Bedeutung für GaN-Leistungshalbleiter.

Breitbandige Motorregelung, GaN-Leistungsstufen und Edge-KI verbessern die Bewegungsqualität humanoider Roboter – trotz begrenztem Bauraum und im Rahmen wachsender Safety-Anforderungen.

GaN ermöglicht hohe Schaltfrequenzen, minimale Verluste und maximale Leistungsdichte. Doch genau diese Stärken werden im System zur Herausforderung. Wie lassen sich Dynamik, EMV und Stabilität in den Griff bekommen?

Wide-Bandgap-Anwendungen fordern die Messtechnik heraus. Isolierte Stromsonden von Tektronix nutzen HF-Modulation, um Schaltverluste in SiC- und GaN-Designs mit einer bisher nicht erreichbaren Präzision zu analysieren.

GaN revolutioniert die Antriebstechnik humanoider Roboter, doch die Herausforderungen gehen weit über kompakte Gelenke hinaus. Ein leistungsfähiges Nervensystem aus Ethernet und quantenresistenter Hardware-Sicherheit entscheidet über den Erfolg der Maschinen.

Wide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN sind Grundlage für eine effiziente Leistungselektronik, doch Ausfälle in E-Mobilität und regenerativen Energiesystemen lassen sich mit Standard-Funktionstests nicht zwingend mehr verhindern. Notwendig sind Testplattformen, die elektrische Parameter und thermisches Verhalten unter Realbedingungen validieren.

SiC- und GaN-Halbleiter ermöglichen deutlich höhere Schaltfrequenzen, weswegen die Anforderungen an Kondensatoren steigen. Low-ESL-Trockenfilm-Kondensatoren sollen parasitäre Effekte reduzieren und hohe Frequenzen beherrschbar machen.