Nachhaltige Energieversorgung trifft auf smarte Sicherheit: Hybrid-Stringwechselrichter machen Photovoltaik-Anlagen effizienter und zuverlässiger. Mit intelligentem Energiemanagement sorgen sie dafür, dass Sonnenstrom auch nachts und bei Ausfällen verfügbar bleibt.

Silizium stößt in der Leistungselektronik an physikalische Grenzen. Genau hier setzen Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) an. Schnellere Schaltgeschwindigkeiten, höhere Leistungsdichte, kleinere Systeme. Doch welche Rolle spielt Europa in dieser Technologie?

Moderne Satelliten benötigen immer leistungsfähigere Stromversorgungs-Systeme, die sowohl die Satelliten-Subsysteme als auch die beförderten Nutzlasten versorgen. Eine Optimierung von Größe, Gewicht und Stromverbrauch ist hier aus mehreren Gründen unumgänglich. Wie eine SWaP-Optimierung funktioniert.

Es ist ein Meilenstein in der Fertigung von GaN-Leistungshalbleitern: Infineon hat in der Power-Fab im österreichischen Villach die Serienproduktion hochgefahren. Damit sind die Power-Spezialisten weltweit die ersten, die eine vollautomatisierte Hochvolumenfertigung auf 12-Zoll-Wafern beherrschen.

Jedes Jahr erweitert Nexperia sein Produktsortiment um circa 800 neue Produkttypen.Auch Farnell hat sein Angebot entsprechend dem wachsenden Produktportfolio erweitert und präsentiert einige Neuerungen.

60 Jahre Elektronikpraxis hinterlassen Spuren. Unser Archiv zeigt: Vieles kommt uns bekannt vor. Technologien erleben ein Comeback, Krisen folgen alten Mustern, und bewährtes Fachwissen bleibt relevant. In der Rubrik Damals wie heute schauen wir uns diese Parallelen an.

GaN und SiC spielen in der Welt des Power-Designs eine wichtige Rolle. Wie sieht das Wärmemanagement bei hohen Leistungen bis 50 kW aus? Unser Referent gibt einen Einblick auf verbesserte Kühlkonzepte und verkleinerte Kühlkörper.

X-FAB Silicon Foundries hat im Sommer 2025 in seiner 8-Zoll-Fab in Dresden GaN-on-Si-Foundry-Services gestartet. Mit der XG035-Plattform stehen ab sofort offene MPW-, Prototyping- und Produktionsoptionen für dMode-Geräte zur Verfügung.

In erster Instanz bekommt Infineon im GaN-Patentverletzungsverfahren gegen Innoscience Recht. Damit verbunden sind ein Verbot entsprechende Produkte in Deutschland zu verkaufen und eine Schadensersatzzahlung.

Moderne elektronische Systeme sind auf kleine, leichte und hocheffiziente Stromversorgungen angewiesen. In diesen Stromversorgungen müssen kosteneffektive Methoden genutzt werden, um die Energie aus dem Wechselstromnetz so umzuwandeln, dass sie von der Elektronik genutzt werden kann.