Kyocera SLD Laser verfügt über umfassendes Know-how bei blauen und grünen Laserdioden auf GaN-Basis. Durch die Übernahme des Laserdioden-Geschäfts von Ushio integrieren die Japaner nun die fehlende rote Komponente auf Galliumarsenid-Basis (GaAs). Damit wird Kyocera zum Komplettanbieter für das gesamte RGB-Spektrum.

Der laufende Patentstreit zwischen Infineon und Innoscience legt an internationaler Brisanz zu. Nach dem jüngsten Erfolg in den USA hat nun ein Münchner Gericht nach zwei weiteren Verfahren entschieden, dass das chinesische Unternehmen mehrere Patente bei GaN-Technologien verletzt hat. In China sprach der oberste Gerichtshof jedoch ein Verkaufsverbot gegen Infineon aus.

Efficient Power Conversion (EPC) und Renesas Electronics Corporation bündeln ihre GaN-Kompetenz – und greifen damit die Effizienzgrenzen des Siliziums frontal an. Die Allianz könnte Power-Architekturen grundlegend verändern.

Am 29. und 30. September wird Würzburg wieder zum Zentrum der Elektronikentwicklung. Der Fachkongress Power of Electronics wächst weiter. Integriert sind die Technologietage Leiterplatte und das Anwenderforum Relaistechnik. Der größte Teil des Programms steht. Jetzt warten zwei intensive Tage mit fünf parallel laufenden Thementracks, praxisnahen Workshops und richtungsweisenden Keynotes.

Mit neuen Topologien, 300-mm-Fertigung und wachsender Nachfrage aus KI-Rechenzentren und Elektromobilität wird GaN zur Schlüsseltechnologie der nächsten Energie-Generation. Doch hinter den schillernden Wafern entscheidet sich ein harter Wettlauf um Kostenführerschaft, Fertigungskapazitäten und Systemkompetenz.

GaN- und SiC-Transistoren senken die klassischen Schaltverluste durch bisher unerreichte Schaltfrequenzen. In realen Designs verschiebt sich jedoch das Problem vom Halbleiter hin zur Induktivität, die unter den schnellen Flanken zur neuen Verlustquelle wird.

Ein neuer GaN-Leistungstransistor zeigt, wie sich niedriger Einschaltwiderstand, geringe Gate-Ladung und gute Thermik erstmals konsequent kombinieren lassen. Das hat direkte Auswirkungen auf die Auslegung kompakter DC-DC-Wandler und moderner Netzteile.

Bis Juli 2027 will TSMC seine GaN-Produktionslinien schließen, das wurde im Sommer 2025 bekannt. Die Verantwortlichen von Globalfoundries sehen darin eine Chance und haben jetzt im November 2025 die 650-V- und 80-V-GaN-Technologie des weltgrößten Fertigers lizenziert.

Was bewegt die Leistungselektronik in nächster Zeit? Am PCIM-Stand von Navitas stehen neue Wandlerarchitekturen für KI-Rechenzentren, Solid-State-Transformer für die Energieinfrastruktur und der bewusst enge Produktfokus auf Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter im Mittelpunkt.

Intel Foundry präsentiert ein Galliumnitrid-Chiplet, das Leistungstransistoren und Silizium-Logik auf einem 19 Mikrometer dünnen Baustein vereint. Die Technologie richtet sich an den steigenden Platzbedarf und Energiehunger aktueller Elektronik.