Imec, ASML und TSMC haben einen 300-mm-Prozess für Transistoren aus 2D-Materialien vorgestellt. Er soll n- und p-FETs mit 50 nm CPP auf industrierelevante Wafergrößen übertragen.

Weg von aufwendiger Optik, hin zu CMOS-kompatibler Halbleitertechnik: Das Forschungszentrum Imec hat die Echtzeit-Detektion von Biomolekülen mithilfe von Kohlenstoffnanoröhren-FETs im Wafer-Maßstab demonstriert. Das ist ein entscheidender Schritt für massentaugliche Lab-on-a-Chip-Systeme.

Moderne Stromversorgungssysteme müssen kompakter und effizienter werden. Die Kombination aus Flying-Capacitor-Multilevel-Wandler (FCML) und GaN-FETs zeigt hier besondere Stärken. Wird das die neue Schlüsseltechnologie in der Leistungselektronik?

GaN ermöglicht hohe Schaltfrequenzen, minimale Verluste und maximale Leistungsdichte. Doch genau diese Stärken werden im System zur Herausforderung. Wie lassen sich Dynamik, EMV und Stabilität in den Griff bekommen?

Breitbandige Motorregelung, GaN-Leistungsstufen und Edge-KI verbessern die Bewegungsqualität humanoider Roboter – trotz begrenztem Bauraum und im Rahmen wachsender Safety-Anforderungen.

Im Patentstreit bezüglich GaN-Technologien hat sich Infineon nun auch in den USA erfolgreich durchgesetzt: Die US-Handelskommission bestätigt eine Patentverletzung und stoppt den Vertrieb von Innoscience-Produkten in den Vereinigten Staaten.

Wide-Bandgap-Anwendungen fordern die Messtechnik heraus. Isolierte Stromsonden von Tektronix nutzen HF-Modulation, um Schaltverluste in SiC- und GaN-Designs mit einer bisher nicht erreichbaren Präzision zu analysieren.

GaN revolutioniert die Antriebstechnik humanoider Roboter, doch die Herausforderungen gehen weit über kompakte Gelenke hinaus. Ein leistungsfähiges Nervensystem aus Ethernet und quantenresistenter Hardware-Sicherheit entscheidet über den Erfolg der Maschinen.

SiC- und GaN-Halbleiter ermöglichen deutlich höhere Schaltfrequenzen, weswegen die Anforderungen an Kondensatoren steigen. Low-ESL-Trockenfilm-Kondensatoren sollen parasitäre Effekte reduzieren und hohe Frequenzen beherrschbar machen.

Infineon koordiniert das EU-Flaggschiffprojekt Moore4Power – ein 91-Millionen-Euro-Konsortium aus 15 europäischen Ländern, das die nächste Generation intelligenter Leistungselektronik entwickeln soll. Im Mittelpunkt steht die heterogene Integration von Si, SiC und GaN auf Systemebene.