Forscher haben erstmals polares Niobium-Aluminium-Nitrid mit Wurtzitstruktur auf GaN hergestellt. Als zusätzliche Barriereschicht erhöhte das Material die Elektronendichte an der AlN/GaN-Grenzfläche um mehr als das Dreifache.

Imec, ASML und TSMC haben einen 300-mm-Prozess für Transistoren aus 2D-Materialien vorgestellt. Er soll n- und p-FETs mit 50 nm CPP auf industrierelevante Wafergrößen übertragen.

48-V-Systeme bringen neue Herausforderungen für die redundante ORing-Versorgung in Stromverteilungsstufen. Im Tipp wird eine kaskadierte Konfiguration mit idealen Dioden mit einem Transienten-Klemmennetzwerk für den Erdungspfad vorgestellt. Dies ermöglicht ein Systemdesign mit für 60 V ausgelegten FETs und eine ausreichende Spannungsreserve für Schalttransienten.

GaN-Leistungsstufen ermöglichen hohe Schaltfrequenzen. Bei Motorantrieben steigert dies Effizienz und Regelpräzision. Entscheidend ist dabei das optimale Zusammenspiel von Leistungshalbleitern, Sensorik, Wärmemanagement und Software.

Kühlung, Schaltfrequenz, Bias-Versorgung und Induktivität beeinflussen den Wirkungsgrad eines Abwärtswandlers je nach Last unterschiedlich. Ein Referenzdesign mit GaN-Technik zeigt, welche Verlustmechanismen bei 48 V Eingangsspannung dominieren.

SiC, GaN und hohe Lasten bringen die klassische Messtechnik an ihre Grenzen. Mit der passenden Messtechnikstrategie lassen sich jedoch der Wirkungsgrad und das dynamische Schaltverhalten von WBG-Halbleitern fehlerfrei validieren.

Wolfspeed verklagt Navitas wegen mutmaßlicher Patentverletzungen bei GaN- und SiC-Leistungshalbleitern. Der Rechtsstreit trifft auf einen boomenden Markt – und kommt für Wolfspeed zu einem strategisch bemerkenswerten Zeitpunkt.

Mit 2.200 V stößt GaN erstmals in Spannungsbereiche vor, die bislang als Domäne von Siliziumkarbid galten. Warum Power Integrations trotzdem nicht SiC ersetzen will und welche Anwendungen von der neuen Technologie profitieren sollen.

Weg von aufwendiger Optik, hin zu CMOS-kompatibler Halbleitertechnik: Das Forschungszentrum Imec hat die Echtzeit-Detektion von Biomolekülen mithilfe von Kohlenstoffnanoröhren-FETs im Wafer-Maßstab demonstriert. Das ist ein entscheidender Schritt für massentaugliche Lab-on-a-Chip-Systeme.

KI-Server treiben die Leistungsdichte in Rechenzentren nach oben. GaN-Leistungshalbleiter ermöglichen effizientere und kompaktere Stromversorgungen für künftige 800-V-Architekturen. Eine integrierte Gate-Schnittstelle soll dabei die Ansteuerung vereinfachen.