Hohe Spannungen schnell schalten – aber womit?

Wie sich GaN- und SiC-Transistoren unterscheiden

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GaN- und SiC-Bauelemente ähneln sich in mancher Hinsicht, weisen aber auch signifikante Unterschiede auf. Das Whitepaper vergleicht die Technologien und bietet Informationen, die Ihnen bei Ihrer nächsten Entwicklung die Entscheidung erleichtern.

Seit Jahrzehnten dominiert Silizium die Welt der Transistoren. Aber derzeit ändert sich dies. Galliumnitrid-(GaN-) und Siliziumkarbid-(SiC-) Leistungstransistoren brechen in die bisher von Silizium-LDMOS-Leistungs-MOSFETs und Superjunction-MOSFETs besetzten Domänen ein.

Gerade in Anwendungen wie elektrischen Fahrzeugsystemen und Elektrofahrzeugen kommen sie aufgrund ihrer speziellen Eigenschaften und großen Vorteile zum Einsatz. Und dies, obwohl sie schwerer herzustellen und teurer sind. Aber worin unterscheiden sich SiC- und GaN-Transistoren eigentlich voneinander? Was haben sie gemeinsam?

Im englischsprachigen Whitepaper erfahren Sie,

welche Vorteile GaN- und SiC-Bauelemente gegenüber solchen aus Silizium bieten,
wie sich GaN- und SiC-Transistoren voneinander unterscheiden und
welche Subsysteme in einem Automobil besonders von diesen Hochleistungs-Schalttransistoren profitieren und warum.

Wir freuen uns über Ihr Interesse am Whitepaper! Mit nur einem Klick auf den Button können Sie sich das Whitepaper kostenfrei herunterladen. Wir wünschen interessante Einblicke.

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