Farnell erweitert sein Portfolio um neue Nexperia-Produkte

Beschaffung Farnell erweitert sein Portfolio um neue Nexperia-Produkte

10.09.2025 Von Margit Kuther 1 min Lesedauer

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Farnell GmbH

EBV Elektronik GmbH & Co. KG

ROHM Semiconductor GmbH

MEV Elektronik Service GmbH

Jedes Jahr erweitert Nexperia sein Produktsortiment um circa 800 neue Produkttypen.Auch Farnell hat sein Angebot entsprechend dem wachsenden Produktportfolio erweitert und präsentiert einige Neuerungen.

Produktvielfalt: Farnell erweitert sein Nexperia-Portfolio.(Bild: Farnell) — Produktvielfalt: Farnell erweitert sein Nexperia-Portfolio.
(Bild: Farnell)

Nexperia bietet unter anderem diskrete Bauelemente, Leistungs- und Logik-ICs an und hat erhebliche Investitionen in die Fertigung getätigt. Dazu zählt eine Investition in Höhe von 200 Millionen US-Dollar in SiC- und GaN-Technologie am Standort in Hamburg. Die Investition liefert nun Ergebnisse mit einem schnell wachsenden Portfolio, das Leistungs-MOSFETs, Wide-Bandgap-Halbleiter, IGBTs sowie analoge und Power-Management-ICs umfasst. Mit der Erweiterung seines Produktangebots an Leistungsprodukten von Nexperia auf Lager zeigt sich Farnell bemüht, die Nachfrage danach zu erfüllen.

Farnell liefert unter anderem folgende neue Produkte

Leistungs-MOSFETs – für Kfz-Elektronik qualifizierte Leistungs-MOSFETs, Kleinsignal-MOSFETs und anwendungsspezifische MOSFETs von 20 V bis 100 V. Diese Bauelemente bieten eine ausgezeichnete Schaltleistung und Robustheit in Kupferclip-Gehäusen (LFPAK, CCPAK) und Micro-Lead-Gehäusen (MLPAK).

Diskrete 650-V-IGBTs der H-Serie (Hochgeschwindigkeit) und der M-Serie (Motorantrieb) bieten Robustheit, eine hohe Zuverlässigkeit und eine verbesserte Wechselrichter-Leistungsdichte für industrielle Anwendungen mit mittlerer und hoher Spannung.

SiC-Dioden bieten eine temperaturunabhängige kapazitive Abschaltung und ein Zero-Recovery-Schaltverhalten in Kombination mit einer hervorragenden Gütezahl (Qc x VF).

SiC-MOSFETs mit ausgezeichneter RDSon-Temperaturstabilität, hoher Schaltgeschwindigkeit und hoher Kurzschlussfestigkeit für industrielle Hochleistungs- und Hochspannungsanwendungen.

E-Mode-GaN-FETs für niedrige Spannung, 650-V-E-Mode-GaN-FETs, bidirektionale 40-V-GaN-FETs und 650-V-Cascode-GaN-FETs für eine verbesserte Leistungsdichte durch reduzierte Leitungs- und Schaltverluste in Wandleranwendungen mit niedriger oder hoher Leistung

Leistungsgleichrichter, die eine hohe Leistungsdichte bei gleichzeitiger Minimierung von Sperrerholzeit und Verlusten bieten

Das neue Sortiment an Leistungsprodukten von Nexperia ist jetzt erhältlich bei Farnell in der EMEA-Region, bei Newark in Nordamerika und bei element14 in der APAC-Region.

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Stand: 08.12.2025

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