Vor zehn Jahren wurde die Component Obsolescence Group Deutschland gegründet. Für den Vorsitzenden Ulrich Ermel ein willkommener Anlass, das Thema Obsoleszenz, also das Ende der Verfügbarkeit von Bauteilen, im Zeitenwandel zu durchleuchten.

Dieser Beitrag beschreibt, wie ORing-MOSFET-Controller und Leistungs-FETs anstelle von ORing-Leistungsdioden den Stromverbrauch in Verteilersystemen mit hohen Strömen verringern können.

Zukünftige Fahrzeuggenerationen werden noch stärker vernetzt sein. Ziel ist es, weniger Kabel und Steuergeräte zu verbauen. Dies kann mit einer zonenbasierten Architektur und leistungsfähigen Komponenten erreicht werden.

Derzeit gibt es weltweit noch keinen Massenmarkt für GaN-Halbleiter. Auf dem Weg zur Industriereife sind Aufgaben zu lösen, die vor allem die Themenbereiche Langlebigkeit und Qualität betreffen.

Das erneute Aufflammen der COVID-19-Pandemie in China führt zu erneuten Produktionsstörungen in der Halbleiterindustrie. On Semiconductor setzt seine Produktion in Shenzhen vorläufig aus, Micron fordert Entwicklungsingenieure in Shanghai auf, zu Hause zu bleiben.

Der erste direkte Nachweis von Gravitationswellen aus den ersten Momenten des Universums hat Anfang der Woche für großes Aufsehen gesorgt. Ohne eine extrem leistungsfähige Messtechnik wäre die Entdeckung nicht möglich gewesen.

Der iPhone-Konzern Apple setzt verstärkt auf ICs, die in seinem Heimatland entwickelt und gefertigt werden. Im Fokus stehen Chips für Funktechniken und FBAR-Signalfilter.

Ausgestattet mit Arms Helium-Technologie für mehr DSP- und KI/ML-Leistung sollen die neuen RA8-MCUs von Renesas Electronics die Leistungslücke zwischen MCU und MPU im eigenen Portfolio schließen. Vielfältige Security-, Schnittstellen- und Power-Managementfunktionen machen die Bausteine besonders für smarte Edge-Anwendungen interessant.

Mit COM-HPC hat die PICMG eine Spezifikation für Computer-on-Modules geschaffen, die speziell auf die kommenden Performance- und Bandbreitenanforderungen der digitalen Transformation ausgelegt ist. Christof Wilde, PR-Manager bei Congatec, informiert.

Forschende am Paul Scherrer Institut (PSI) haben nun erstmals den Elektronen in Leistungstransistoren aus Galliumnitrid beim Fließen zugeschaut. Das Ergebnis: Wenn man den Galliumnitrid-Transistor im Hochspannungsbetrieb untersucht, bewegen sich die Elektronen in bestimmte Richtungen effizienter.