Neue FD-SOI-Technologie aus Sachsen Globalfoundries will Chips mit 7-nm-Leistung in Dresden fertigen

Ab 2028 planen die Verantwortlichen von Globalfoundries in Dresden Chips auf Basis der neuen FD-SOI-Plattform FDX Fusion zu fertigen. Damit sollen digitale Logik, Analogtechnik, HF-Funktionen und Speicher auf einem Chip vereint werden. Dafür wird das Dresdner Werk erweitert.

Gute Nachrichten gibt es für den Halbleiterstandort Deutschland, denn nicht nur will das Unternehmen Globalfoundries künftig eine neue Generation hochintegrierter Chips fertigen, sondern es nimmt dafür auch Investitionsgelder in die Hand, um die Fab in Dresden für die Zukunft fit zu machen. Am 9. Oktober 2026 hat Glofo mit der FD-SOI-Plattform FDX Fusion angekündigt, digitale Leistungsfähigkeit auf dem Niveau von 7-nm-Technologien mit analogen und hochfrequenten Schaltungen sowie integrierten Speicherfunktionen zu verbinden. Der Produktionsstart in Dresden ist für 2028 vorgesehen.

Die Ankündigung erfolgte anlässlich des Richtfests für das Erweiterungsprojekt Sprint. Im Zuge dieses Projekts investiert Globalfoundries rund 1,1 Milliarden Euro, um die jährliche Fertigungskapazität in Dresden bis Ende 2028 auf mehr als eine Million 300-mm-Wafer zu erhöhen. Damit soll der Standort nach Unternehmensangaben zur größten Foundry Europas werden.

Stand 2026 beschäftigt das Unternehmen in Dresden bereits rund 3.000 Menschen und verfügt über etwa 60.000 Quadratmeter Reinraum- und Laborfläche. Die bestehende Fertigungskapazität liegt abhängig vom Produktmix bei bis zu 950.000 Wafern jährlich.

FD-SOI statt FinFET

Globalfoundries hatte im Jahr 2018 die Entwicklung der damaligen 7-nm-FinFET-Technologie eingestellt und sich anschließend auf spezialisierte Fertigungsprozesse konzentriert. Mit FDX Fusion plant das Unternehmen jetzt wieder, eine digitale Leistungsfähigkeit zu erreichen, die es mit der 7-nm-Klasse vergleicht. Allerdings setzt die neue Plattform nicht auf FinFET-Transistoren, sondern auf Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI).

Bei dieser Technologie befindet sich die aktive Siliziumschicht auf einer isolierenden Oxidschicht. Dadurch lassen sich unter anderem Leckströme reduzieren und die elektrischen Eigenschaften der Transistoren gezielt beeinflussen. Das macht FD-SOI besonders für energieeffiziente Schaltungen interessant. Mit FDX Fusion soll eine mehr als doppelt so hohe Logikdichte gegenüber der ersten Generation der FDX-Technologie von Globalfoundries erreicht werden. Umsetzbar wird das nach Herstellerangaben durch Weiterentwicklungen der SOI-Substrate, der Transistorstrukturen und der Verdrahtungsebenen.

Die Bezeichnung 7-nm-Klasse ist dabei nicht automatisch gleichzusetzen mit der Transistordichte von etablierten 7-nm-FinFET-Prozessen. Die Klasse beschreibt die angestrebte digitale Leistungsfähigkeit und nicht zwangsläufig die tatsächlichen Strukturgrößen. Konkrete Angaben zu Strukturabmessungen, Leistungsaufnahme oder Fertigungskosten hat das Unternehmen bislang nicht veröffentlicht.

Digitale Logik, Analogtechnik und HF auf einem Chip

Der besondere Ansatz von FDX Fusion liegt in der Integration unterschiedlicher Funktionen. Neben dichter digitaler Logik soll die Plattform analoge und Mixed-Signal-Schaltungen, nichtflüchtige eingebettete Speicher sowie In-Memory-Computing unterstützen. Für Hochfrequenzanwendungen stellt Globalfoundries Transistoren mit HF-Kennwerten (fT/fmax) von bis zu 0,5 THz in Aussicht. Damit richtet sich die Technologie unter anderem an Entwickler von Radarsystemen, drahtloser Kommunikation, industrieller Sensorik und intelligenter Steuerungstechnik.

Statt für Signalverarbeitung, Sensoranbindung, Kommunikation und Steuerung mehrere spezialisierte Chips einzusetzen, könnten künftig mehr Funktionen in einem einzigen System-on-Chip zusammengeführt werden. Das soll den Integrationsaufwand, die Leistungsaufnahme und die Latenz reduzieren. Für die Entwicklung entsprechender Systeme will Globalfoundries auch Prozessor-IP aus seinem MIPS- und ARC-Portfolio sowie auf Basis der RISC-V-Befehlssatzarchitektur bereitstellen.

Deutsche Industrie zeigt Interesse

Dass die neue Technologie für die europäische Industrie relevant sein könnte, zeigen die Stellungnahmen mehrerer Unternehmen im Rahmen der offiziellen Mitteilung. BMW, Bosch, Infineon, NXP und Siemens unterstützen die technologische Ausrichtung von FDX Fusion. Besonders konkret äußert sich Infineon: Der Halbleiterhersteller arbeitet nach eigenen Angaben mit Globalfoundries daran, künftige Technologien der 7-nm-Klasse für Radar- und drahtlose Kommunikationsprodukte zu definieren und zu untersuchen.

Die Stellungnahmen sind allerdings noch keine verbindlichen Produktionsaufträge. GlobalFoundries arbeitet nach eigenen Angaben bereits mit mehreren Kunden an der frühen Entwicklung und Bewertung der Plattform, nennt aber bislang weder konkrete Produkte noch zugesagte Fertigungsvolumina.

Erste Testchips für 2027 geplant

Ob FDX Fusion tatsächlich eine wirtschaftlich attraktive Alternative zu etablierten FinFET-Prozessen wird, hängt allerdings nicht allein von der erreichbaren Leistung und Integrationsdichte ab. Entscheidend werden auch die Fertigungsausbeute, die Kosten und ein ausgereiftes Design-Ökosystem mit EDA-Werkzeugen, Bibliotheken und qualifizierten IP-Blöcken sein.

Der Zeitplan sieht erste Demonstrator-Chips für die Kundenbewertung Anfang 2027 vor. Ein erstes Process Design Kit (PDK), mit dem Entwickler ihre Schaltungen auf den neuen Fertigungsprozess auslegen können, soll Mitte 2027 folgen. Die Fertigung in Dresden ist für 2028 geplant.

Das Ausbauprojekt wird im Rahmen des European Chips Act von der EU, dem Bund und dem Freistaat Sachsen unterstützt. Für die Entwicklung von FDX Fusion ist zudem eine Förderung über das geplante IPCEI Advanced Semiconductor Technologies vorgesehen, deren Genehmigung noch aussteht. (sb)

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