MOSFETs finden, gewusst wie: Im letzten Teil unserer Serie zu MOSFET-Anwendungen geht es um die Auswahl des richtigen MOSFETs für Hot-Swap-Anwendungen.

Energieeffizienz und Leistungsdichte sind mehr denn je im Fokus beim Schaltnetzteil-Design. Hierbei übernehmen Halbleiterhersteller eine neue Rolle für den Fortschritt bei Schaltnetzteilen.

Hochvolt-LEDs mit PFC-Verstärkung sind im Vergleich zu Kompaktleuchtstofflampen genauso wettbewerbsfähig. Wir stellen Ihnen die verschiedenen Vorteile vor.

In diesem Power-Tipp bestimmen wir die Anforderungen an die Streuinduktivität für die in einer SEPIC-Topologie verwendete gekoppelte Spule.

Hochintegrierte GaN-on-Si-Komponenten sorgen nicht nur für mehr Tempo im HF- und Netzwerkbereich, sondern ermöglichen auch effizientere Schaltungsdesigns. Das senkt die Systemkosten.

Wie schon im Power-Tipp Nr. 38 angesprochen, kann bereits eine geringe parasitäre Kapazität von 100 Femtofarad zwischen dem Schaltknoten und den Eingangsanschlüssen dazu führen, dass die EMI-Spezifikationen nicht mehr erfüllt werden. Wie muss man sich einen 100-fF-Kondensator vorstellen?

Die hier vorgestellte Schaltung ist eine Beispielanwendung für integrierte Sensorik mit 4/20-mA-Analogausgang und HART-Schnittstelle.

Intersil will sein umfangreiches technologisches Knowhow nutzen, um seinen Erfolg bei digitalen Power-Management-Lösungen weiter auszubauen. Hier erfahren Sie mehr über die Hintergründe.

Siliziumkarbid oder Galliumnitrid – welche der Technologien hat die Nase vorn? Die Massenproduktion der Wide-Bandgap-Halbleiter und weitere Kostenreduzierungen sind essentiell für ihren Breiteneinsatz.