Chia Liang Myway Hsu (links) und ELEKTRONIKPRAXIS-Redakteur Thomas Kuther im Epistar Lab. (Sonja Yang)

Epistar – Licht aus Halbleitern

1996, Jahrzehnte bevor die Halbleiterbeleuchtung zum allgegenwärtigen Gut und zu den mit Spannung erwarteten Lichtquellen wurde, gründeten eine Handvoll Visionäre Epistar, um das LED-Zeitalter einzuleiten. Wissen und Einsicht aus erster Hand führten den Marktneuling Epistar zu hochmodernen Produktions- und Ingenieurinnovationen in der Epitaxie.

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Bild 1: Vergleich der Schaltverluste der verschiedenen Leistungshalbleitertechnologien. (Microsemi/Eurocomp)
Wide-Band-Gap Halbleiter

SiC-Leistungs-MOSFETs weiter verbessert

Entwickler können jetzt auf SiC-Leistungs-MOSFET zugreifen, die in wesentlichen Merkmalen weiter verbessert wurden. Ihre Eigenschaften und die der GaN-Kollegen werden hier kurz verglichen. Hauptsächlich geht der Artikel detailliert auf die Maßnahmen ein, die zu den gesteigerten Eigenschaften der 1200 V SiC-MOSFETs von Microsemi führten, die jetzt mit einem Rdson von 80 mOhm (40 A) bzw. 50 mOhm (50 A) angeboten werden.

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