Am 13. November 2018 öffnet die electronica in München ihre Pforten. Es gibt vier Fachkongresse, 16 Fachforen, das neue Format „electronica Experience“ und jede Menge interessanter Produkte. Wir stellen unsere Highlights vor.

Ich begrüße alle FET-Fans zum zweiten Teil der Serie „MOSFET-Datenblätter richtig lesen“. Als Produktingenieur für Leistungs-MOSFETs erreichten mich zum SOA-Diagramm mehr Fragen als zu irgendeinem anderen Aspekt im Datenblatt eines FET. Und deshalb ist das SOA-Diagramm das Thema des nächsten Teils unserer MOSFET-Datenblatt-Reihe.

Ich begrüße alle FET-Fans zum zweiten Teil der Serie „MOSFET-Datenblätter richtig lesen“. Als Produktingenieur für Leistungs-MOSFETs erreichten mich zum SOA-Diagramm mehr Fragen als zu irgendeinem anderen Aspekt im Datenblatt eines FET. Und deshalb ist das SOA-Diagramm das Thema des nächsten Teils unserer MOSFET-Datenblatt-Reihe.

Die Verlustleistung in CMOS-Logiksystemen steht hauptsächlich mit der Taktfrequenz, der Eingangskapazität der verschiedenen Gatter innerhalb des Systems und der Versorgungsspannung in Zusammenhang. Da die Größe der integrierten Transistoren und damit die Versorgungsspannung reduziert wurden, konnten bei der Senkung der Verlustleistung auf Gatterebene signifikante Steigerungen erreicht werden.

Eine Totem-Pole-Schaltung mit integrierter PFC, ein Referenznetzteil und das Demoboard für PV-Wechselrichter nutzen EZ-GaN-HEMT- Bauteile, um die Performance-Vorteile von GaN zu evaluieren.

Eine komplexe Angelegenheit: GSM-Handys können bis zu vier Sende-(Tx-) und vier Empfangs-(Rx-)Pfade aufweisen. Die Erweiterung um Single- oder Dual-WCDMA-Bänder erfordert einen oder

Eingänge von Präzisionsverstärkern sind empfindlich gegen Überspannungen. In diesem Beitrag beschreiben wir verschiedene Schutzmethoden sowie eine bereits integrierte Lösung zum Schutz der Bauteile.

Die Halbleiterbranche wird in den kommenden Jahren weiter mit Herausforderungen beim Energiemanagement konfrontiert sein. Dave Heacock, Senior Vice President TI über drei Trends, bei denen die Entwicklungen im Sektor Power Management in den kommenden Jahren am meisten bewegen wird.

Die HF- und Mikrowellenindustrie steht an der Schwelle zu einer großen technischen Veränderung. Die Vorteile von GaN werden die Entwicklung nicht nur in der HF-Branche massiv beeinflussen.

Die Gleichspannungswandlung kleiner Signale ist problematisch. Um hier die Genauigkeit zu verbessern, kann man entweder den Dynamikbereich verschieben oder einen Offset erzeugen. Mit dem AD8436 lässt sich das Low-Level-Eingangsproblem einfach lösen.