Die Spannungsbelastung für die primärseitigen Schalter eines massebezogenen Sperrwandlers zu kontrollieren, ist eine durchaus vielschichtige Aufgabe.

Fraunhofer-Forscher konnten die Lichtleistung der LED weiter nach oben schrauben: Dazu haben sie einen Transistor auf Basis des Halbleiters Galliumnitrid entwickelt.

Zehn deutsche Forschungseinrichtungen und Unternehmen steigen in das milliardenschwere europäische Flaggschiffprojekt zum Halbleitermaterial Graphen ein. Das hat die EU-Kommission heute (Montag) anlässlich der Graphen-Woche 2014 in Brüssel verkündet.

Die hier vorgestellte DC/DC-Wandlergeneration namens Powerline Plus ist speziell für Applikationen mit extremen Anforderungen an die Betriebstemperatur konzipiert worden. Gerätebasis ist eine Technik, die der Hersteller als „Innovation in Converter Excellence“ bezeichnet (kurz ICE) und bis zu 92% Wirkungsgrad liefert. Es gibt die Wandler in zwei Gehäusegrößen, die den Leistungsbereich von 20 bis 50 W lückenlos abdecken. Standardmäßig integriert ist ein Class-B-Eingangsfilter.

Melexis hat einen Hochstrom-DC-Motorcontroller mit integriertem Flash-Speicher und CPU für Automotive-Anwendungen entwickelt. Steuerung, Diagnose und Schutz von DC-Motoren werden durch den Controller zusammen mit Leistungs-N-FETs vereinfacht. Der MLX81100 ist das erste Mitglied der MelexCM-Familie.

In bestimmten rauscharmen Anwendungen kann es erforderlich sein, die Restwelligkeit des Netzteils auf weniger als 0,1 % der Ausgangsspannung zu reduzieren. Die Forderung nach einer derart geringen Brummspannung kann den Einsatz von Filtern mit einer Dämpfung von deutlich über 60 dB erforderlich machen, die in einstufiger Ausführung praktisch nicht realisiert werden können.

IGBT-Module sind Schlüsselkomponenten der Leistungselektronik, weshalb ihre Weiterentwicklung maßgebend für die Erhöhung der Energieeffizienz von elektrischen Systemen ist.

Bei der Anwendung von A/D-Wandlern wird sehr oft eine externe Referenz-Spannungsquelle benutzt. Dazu gibt es am Markt eine breite Auswahl, angefangen mit günstigen Shunt-Referenzen über Serien-Referenzen bis hin zu Temperatur-kompensierten Referenzen.

Miniaturisierung im Fall der neuen HV-Multichip-Lösung µIPM bedeutet ein 8 mm x 9 mm x 0,9 mm kleines PQFN-Gehäuse, das eine vollständige Inverter-Lösung integriert und 60% weniger Platz braucht.

Durch umfassende Nutzung der spezifischen Eigenschaften von SiC-MOSFETs und ohne Verwendung von Freilaufdioden ist ROHM die Entwicklung eines SiC-Power-Moduls für 1200 V und 180 A gelungen.