Samsung will High-NA-EUV einem Bericht zufolge erst ab der 1-nm-Generation um 2030 einsetzen. Bis dahin setzt der Konzern bei fortgeschrittenen Prozessen weiter auf konventionelle EUV-Technik.

Das Forschungszentrum Imec hat erstmals ein Quantenpunkt-Qubit-Bauteil mittels High-NA-EUV-Lithografie gefertigt. Die auf dem ITF World präsentierten Strukturen von nur sechs Nanometern markieren einen wichtigen Schritt zur Massenproduktion.

Intel hat erstmals High-NA-EUV-Technologie in der Serienfertigung eingesetzt. Ausgewählte 18A-Lagen von Panther Lake erreichen dabei Ausbeuten auf dem Niveau bisheriger EUV-Systeme.

Das Forschungszentrum Imec hat eine Methode entwickelt, um den Durchsatz in der EUV-Lithografie zu erhöhen. Durch erhöhte Sauerstoffkonzentration während des Einbrennschritts nach der Belichtung lässt sich die erforderliche Belichtungsdosis von Metalloxid-Resists um 15 bis 20 Prozent reduzieren.

High-NA-EUV kann feinere Strukturen belichten, hat bislang aber einen Nachteil: Das nutzbare Belichtungsfeld ist kleiner als bei vielen EUV‑Systemen. ASML will gemeinsam mit Chipherstellern größere Masken entwickeln, sodass künftig auch Chips bis etwa 800 mm² mit High-NA gefertigt werden können.

TSMC-CEO C.C. Wei sieht den derzeitigen KI-Boom als einen mehrjährigen Stresstest für Fertigung, Lithografie und Lieferkette. Der Foundry-Weltmarktführer erhöht den Wafer-Output und will die Preise stabil halten. Doch der von KI getriebene Chipmangel dürfte noch auf Jahre bestehen bleiben.

Reuters zufolge hat China mit der Produktion eigener Immersions-DUV-Systeme begonnen. Belastbare Daten zu Durchsatz, Overlay und Kundenqualifikation fehlen jedoch weiterhin. Für deutsche OEMs und EMS-Dienstleister bleibt deshalb vorerst die bestehende ASML-Flotte in China der wichtigere Faktor für die Versorgungssicherheit.

Mit dem EXE:5200 bringt Imec High-NA-EUV in den 300-mm-Reinraum. Die modernste Anlage ihrer Art soll am Forschungsinstitut die Basis dafür schaffen, Sub-2-nm-Logik und künftige Speichertechnologien schneller in industrienahe Prozesse zu überführen.

Das US-Handelsministerium hat ASML darauf hingewiesen, dass High-End-Fertigungstechnologie des niederländischen Anbieters trotz Exportverbot nach China gelangt sein soll. ASML weist die Vorwürfe zurück.

Imec, ASML und TSMC haben einen 300-mm-Prozess für Transistoren aus 2D-Materialien vorgestellt. Er soll n- und p-FETs mit 50 nm CPP auf industrierelevante Wafergrößen übertragen.