Schaltnetzteile finden sich überall. Dass hohe Wirkungsgrade und Leistungsdichten heute selbstverständlich erscheinen, ist jedoch das Ergebnis einer jahrzehntelangen Entwicklung. Erst das Zusammenspiel vieler Entwicklungen machte das Schaltnetzteil zu dem, was es heute ist.

Efficient Power Conversion (EPC) und Renesas Electronics Corporation bündeln ihre GaN-Kompetenz – und greifen damit die Effizienzgrenzen des Siliziums frontal an. Die Allianz könnte Power-Architekturen grundlegend verändern.

Höhere Schaltfrequenzen verkleinern magnetische Komponenten, erhöhen aber gleichzeitig die Anforderungen an Verluste, Wärme und EMV. Elytone adressiert diese Anforderungen mit erprobten Produktdesigns und kundenspezifischer Entwicklung für Stromversorgungen, E-Mobility, Energiespeicher und KI-Infrastruktur.

Was bewegt die Leistungselektronik in nächster Zeit? Am PCIM-Stand von Navitas stehen neue Wandlerarchitekturen für KI-Rechenzentren, Solid-State-Transformer für die Energieinfrastruktur und der bewusst enge Produktfokus auf Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter im Mittelpunkt.

GaN- und SiC-Transistoren senken die klassischen Schaltverluste durch bisher unerreichte Schaltfrequenzen. In realen Designs verschiebt sich jedoch das Problem vom Halbleiter hin zur Induktivität, die unter den schnellen Flanken zur neuen Verlustquelle wird.

Ein neuer GaN-Leistungstransistor zeigt, wie sich niedriger Einschaltwiderstand, geringe Gate-Ladung und gute Thermik erstmals konsequent kombinieren lassen. Das hat direkte Auswirkungen auf die Auslegung kompakter DC-DC-Wandler und moderner Netzteile.

Intel Foundry präsentiert ein Galliumnitrid-Chiplet, das Leistungstransistoren und Silizium-Logik auf einem 19 Mikrometer dünnen Baustein vereint. Die Technologie richtet sich an den steigenden Platzbedarf und Energiehunger aktueller Elektronik.

Von passiven Stromnetzen zu aktiven Energiesystemen: Europas Transformation der Energiesysteme eröffnet enorme Wachstumschancen für die Elektronikindustrie. Gefragt sind Lösungen für Steuerung, Schutz und Flexibilität. Warum Halbleiter dabei zur zentralen Enabler-Technologie werden und wie EBV Elektronik als Technologiepartner dabei Hersteller unterstützt, ihre Lösungen schneller auf den Markt zu bringen, beleuchtet dieser Beitrag.

Was 1966 als Wissen über magnetische Verkettung, Streufluss und Gegeninduktivität beschrieben wurde, bestimmt noch heute die Auslegung von Transformatoren. Bei modernen Schaltnetzteilen entscheiden diese Effekte immer noch über die Qualität.

Mehr Leistung, weniger Platz – klassische DC-DC-Wandler stoßen dabei an ihre Grenzen. Eine 3-Level-Architektur reduziert Verluste und Hitze deutlich und ermöglicht Wirkungsgrade über 98 %. Damit wird hohe Leistungsdichte erstmals ohne thermische Kompromisse realistisch.