Aufschwung für Leistungshalbleiter Der KI-Boom rettet die SiC-Industrie

Siliziumkarbid galt lange als Schlüsselmaterial für E-Autos, Solarwechselrichter und Batteriespeicher. Jetzt bekommt SiC einen neuen Wachstumstreiber: KI-Rechenzentren. In China steigen Nachfrage und Preise wieder. Nach dem ruinösen Preiskampf von 2025 hofft die Branche auf einen neuen Zyklus.

In China wird der Boom der künstlichen Intelligenz zum neuen Wachstumstreiber für Siliziumkarbid. SiC hatte seinen kommerziellen Durchbruch in Elektroautos, Solarwechselrichtern und Batteriespeichern. Jetzt entdecken ihn die Betreiber von Rechenzentren als Schlüsseltechnologie für ihre Stromversorgung; ein Trend, der sich nicht zuletzt auch auf der Computex und der PCIM 2026 bestätigte.

Noch vor einem Jahr steckte der Markt in einem zerstörerischen Preiskrieg, der vielen kleineren Anbietern das Genick brach und die Margen ruinierte. Doch jetzt steigen die Preise wieder, berichtet das chinesische Technologieportal 36Kr. „Im Jahr 2026 ist die Nachfrage nach Siliziumkarbid (SiC) sprunghaft gestiegen und hat eine Welle von Preiserhöhungen in der gesamten Branche ausgelöst, die die durch die Preiskämpfe von 2025 erzeugte Tristesse hinwegfegt“, schreibt 36Kr.

Es gibt die Hoffnung, dass ein neuer Wachstumszyklus für die Industrie begonnen hat. Der vorherige, der vor dem ruinösen Preiskampf des vergangenen Jahres stattgefunden hatte, war durch die Nachfrage aus der Energiewende getragen worden. In Elektroautos verbessern SiC-Transistoren den Wirkungsgrad des Antriebs, vergrößern die Reichweite und senken Gewicht und Bauraum. In Solaranlagen und Batteriespeichern verringern sie die Verluste bei der Stromwandlung. Auch in der Unterhaltungselektronik kam das Material zum Einsatz.

Elektromobilität, Photovoltaik und Energiespeicher hatten die Kommerzialisierung von Siliziumkarbid rasch vorangetrieben. Die aktuelle Welle neuer Nachfrage aber speist sich klar aus dem Boom der KI-Infrastruktur. In den Rechenzentren steigt die Leistungsdichte rasant, die Leistung einzelner Serverschränke klettert vom Kilowatt- in den Megawattbereich.

800 HVDC als Schlüssel

Um solche Strommengen effizient zu verteilen, stellt die KI-Branche ihre Architektur auf 800 Volt und auf Hochspannungs-Gleichstrom um, im Fachjargon HVDC für High Voltage Direct Current. Die physikalischen Eigenschaften, die SiC schon für immer anspruchsvollere Leistungselektronik attraktiv gemacht haben, machen es nun auch zum neuen Liebling für die Stromversorgung der KI-Branche. Das Material verträgt hohe Spannungen, verliert beim Schalten wenig Energie und hält hohe Temperaturen aus.

Immer mehr SiC-Halbleiter stecken daher in HVDC-Systemen, Halbleitertransformatoren, sogenannten Solid-State Transformers (SST), in den Netzteilen der Server und in der Stromverteilung der Rechenzentren. Ein Halbleitertransformator auf SiC-Basis kann die mittlere Wechselspannung aus dem Netz direkt in den 800-Volt-Gleichstrom umwandeln, den ein KI-Cluster braucht.

Die chinesische Investmentbank Kaiyuan Securities schätzt, dass auf die KI-Infrastruktur bis 2030 schon fast die Hälfte der gesamten SiC-Nachfrage entfallen könnte. Dasselbe Muster ist auf dem Weltmarkt zu beobachten. Der globale Markt für Siliziumkarbid wuchs 2024 um mehr als 28 Prozent auf knapp 3,8 Milliarden Euro und könnte bis 2030 auf rund 17 Milliarden Euro anschwellen, sagt die Marktforschungsfirma „Global Information“ voraus.

Von dem Trend profitieren daher die globalen Marktführer, darunter der deutsche Konzern Infineon, das europäische Unternehmen STMicroelectronics, Onsemi, Rohm und auch der amerikanische Pionier Wolfspeed, dem es zwischenzeitlich gar nicht gut ging.

Aufmerksame Konkurrenz

Zugleich aber wachsen die chinesischen Hersteller rasant und erobern immer größere Anteile. Bei den Substraten, dem technisch anspruchsvollsten Teil der Wertschöpfungskette, bestreiten die chinesischen Firmen SICC und TankeBlue bereits rund die Hälfte des globalen Marktes für Sechs-Zoll-Wafer, berichtet 36Kr. Der Umbruch zu Acht-Zoll-Wafern hat begonnen, doch derzeit gibt es vor allem in China noch eine enorme Nachfrage nach der vorhergehenden Generation.

Bei China Resources Microelectronics hat sich der Umsatz mit Leistungsbauelementen und Modulen aus Siliziumkarbid 2025 nach Angaben des Konzerns mehr als verdoppelt. Die SiC-Module von Shenzhen Basic Semiconductor stecken eigenen Angaben zufolge inzwischen in mehr als 50 Fahrzeugmodellen von mehr als zehn Autoherstellern. Und der Bahntechnikkonzern CRRC baut in Zhuzhou einen hochfrequenten SiC-Hilfsumrichter, der unter anderem in der Linie 5 der U-Bahn von Shenzhen zum Einsatz kommt.

Die Skalierung, die ihnen der Heimatmarkt ermöglicht, macht chinesische SiC-Hersteller auch international immer erfolgreicher. „Getrieben von der Nachfrage aus KI-Infrastruktur, Elektroautos, Solarenergie, Energiespeichern und Unterhaltungselektronik entwickeln sich Chinas Anbieter von Siliziumkarbid von einer Geschichte der Importsubstitution zu einer Geschichte globaler Wettbewerbsfähigkeit“, schreibt 36Kr.

Chinesische Unternehmen können sich in immer mehr Lieferketten durchsetzen, die noch vor wenigen Jahren von den internationalen Anbietern dominiert wurden. Insgesamt ist der Trend aber stark genug, um sowohl chinesische wie internationale Hersteller aus der Talsohle des vergangenen Jahres zu führen.

„Innerhalb von nur einem Jahr hat sich die Siliziumkarbid-Industrie aus den dunkelsten Tagen eines Preiskriegs zu den ersten Anzeichen eines neuen Aufschwungs bewegt“, schreibt das chinesische Technologieportal. Diesmal werde der neue Zyklus aber nicht mehr nur von Anwendungen wie E-Autos und erneuerbaren Energien getragen, sondern eindeutig vom „explosiven Wachstum der KI-Infrastruktur“. (sb)

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