In modernen hybriden und batterieelektrischen Fahrzeugen wird immer mehr Elektronik verbaut. Damit einher gehen komplexere Testszenarien für die Halbleiterprüfung. Auch mit Blick auf die höheren Spannungen und schnelleren Schaltzeiten sind die Grenzen des Tests schnell erreicht.

Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) sind kaum noch wegzudenken, dennoch bleibt Silizium ein wesentlicher Bestandteil der Halbleiter-Industrie. Doch warum ist das so?

Aluminium-Yttriumnitrid heißt der neue Halbleiter, der enormes Potenzial für energieeffiziente Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik für Informations- und Kommunikationstechnologien verspricht. Wissenschaftlern am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik ist jetzt ein Durchbruch bei der Herstellung gelungen, die auch für die Großserienproduktion geeignet ist.

900 mAh hatte der Akku des legendären Nokia 3310. Legenden sagen, dass Millionen dieser Geräte noch heute fast voll in den Kellern diverser Haushalte liegen. Das Samsung Galaxy Fold 6 hingegen kommt mit 4.400 mAh daher und lädt in unter 2 Stunden. Doch was steckt an Ladetechnik in solch einem modernen Gerät?

GaN-Schalter haben ihren Siegeszug in der Leistungselektronik angetreten. Sie bieten Vorteile bei Effizienz und Leistungsdichte. Dadurch sind sie nicht nur für die Spannungswandlung interessant, sondern auch für Elektromotoren und Class-D-Audio-Verstärker. Mit neuen, optimierten Treibern ist auch die Ansteuerung einfach und zuverlässig realisierbar.

Um die Produktionsinfrastruktur am Hamburger Nexperia-Standort für die Herstellung von Leistungshalbleitern sowie die Silizium-Waferfertigung auszubauen, wollen die Verantwortlichen des Unternehmens 184 Millionen Euro investieren. Seit Juni 2024 werden in Hamburg Si-, SiC- und GaN-Technologien entwickelt und produziert.

Bei der Entwicklung von effizienten und kompakten Leistungselektronik-Modulen sind ein hoher Wirkungsgrad und die perfekte Integration der Schaltungsteile entscheidend. Der Schlüssel hierzu sind analoge Power ICs. Doch nicht jede Variante bietet einen vergleichbaren Funktionsumfang.

Aluminiumnitrid (AlN) ist vielen noch nicht so bekannt, wie beispielsweise Galliumnitrid oder Siliziumkarbid. Die Eigenschaften sind jedoch hervorragend. Eine breite Bandlücke von 6,2 eV, eine sehr hohe elektrische Isolierung und nahezu ideale thermische Eigenschaften sind nur einige der vielen Vorteile.

Infineon hat eine neue Mikrocontroller-Produktfamilie vorgestellt, die für Motorsteuerung und Leistungsumwandlung in Industrie- und Verbraucheranwendungen gedacht ist. Diese MCUs basieren auf dem Arm- Cortex-M33-Kern und bieten Funktionen zur Optimierung und Beschleunigung von Strommessung, Wellenformerzeugung und Echtzeitoperationen. Das Produkt kommt im ersten Quartal 2025 auf den Markt.

Die europäischen Halbleiterhersteller sind führend bei der Herstellung von Automobil-Chips. Bisher dominieren Infineon, ST und NXP ein Drittel des weltweiten Marktes. Derzeit leiden sie massiv unter der zyklischen Krise der Automobilindustrie. Sind Stellenstreichungen wie die 1.400 bei Infineon der Ausweg aus dem Dilemma?