Halbleiterhersteller investiert in US-Standort SK hynix bringt Advanced Packaging nach Indiana

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Die Verantwortlichen des südkoreanischen Halbleiterherstellers SK hynix haben mit der Führung des US-amerikanischen Bundesstaats Indiana eine Vereinbarung über das Investment in einen Advanced-Packaging-Standort beschlossen. Mehr als 3,5 Milliarden Euro fließen in das Werk.

SK hynix ist heute einer der weltweit führenden Hersteller von Speicherchips wie DRAM (Dynamic Random Access Memory) und NAND-Flash-Speicher. Die Verantwortlichen des Unternehmens strecken ähnlich wie weitere Halbleiterhersteller ihre Fühler aus, um weitere Produktionsorte außerhalb Asiens zu erschließen und sich somit einen Vorteil in bestimmten Bereichen der Halbleiterproduktion zu sichern.

Mit dem US-Bundesstaat Indiana hat sich nun ein Partner gefunden, um ein neues Werk hochzuziehen, bei dem Advanced Packaging und Forschung und Entwicklung für Produkte für die Künstliche Intelligenz im Fokus stehen. Errichtet wird der neue Standort in West Lafayette. „Das Projekt, das erste seiner Art in den Vereinigten Staaten“, so heißt es aus dem Unternehmen, „soll die Innovation in der KI-Lieferkette des Landes vorantreiben und gleichzeitig mehr als tausend neue Arbeitsplätze in der Region schaffen.“

Zusammenarbeit mit Purdue University

Die Wahl fiel nicht ohne Grund auf den nördlichen US-Bundesstaat. Die Regierung kommt dem Unternehmen mit Subventionen und Infrastrukturplänen entgegen. Und während SK hynix mit der Fabrik vornehmlich DRAM produzieren will, soll in der Forschungsabteilung für Advanced Packaging mit Talenten von der Purdue University gearbeitet werden. Der Plan sieht vor, dass in dem Werk ab dem zweiten Halbjahr 2028 mit der Massenproduktion begonnen werden kann.

Das Unternehmen plant die Zusammenarbeit mit der Purdue University und dem Ivy Tech Community College, um Ausbildungsprogramme und interdisziplinäre Studiengänge zu entwickeln, die Hightech-Arbeitskräfte fördern und eine zuverlässige Pipeline neuer Talente aufbauen sollen.

Fokus auf Advanced Packaging

Innovationen bei Speicherchips treiben nicht nur die Leistung von Computern weiter in die Höhe, sondern auch den Stromverbrauch. Der Trend zur Miniaturisierung und anderen Hardware-Verbesserungen ist allerdings nicht mehr lange fortzusetzen; sie stoßen langsam an ihre Grenzen. Deswegen ist es mittlerweile wichtig, neue heterogene Integrationstechnologien zu entwerfen, um Dichten und Leistungen erhöhen zu können. Damit soll dem Kapazitäts- und Energiehunger von Zukunftstechnologien wie Künstlicher Intelligenz und High-Performance-Computing die Stirn geboten werden.

Beim Advanced Packaging werden mehrere Chips oder verschiedene Komponenten in einem Paket kombiniert, um die Leistung, Funktionalität und Effizienz zu verbessern. Zu den Techniken des Advanced Packagings gehören 3D-Integration, System-in-Package (SiP), Wafer-Level-Packaging (WLP) und weitere fortschrittliche Methoden, die es ermöglichen, kleinere, schnellere und energieeffizientere Elektronikprodukte herzustellen. SK hynix hat eine eigene Chiplet-Packaging-Technologie entworfen, die sich als vielversprechend erwiesen hat.

„Wir freuen uns, als erstes Unternehmen der Branche eine hochmoderne Advanced-Packaging-Anlage für KI-Produkte in den Vereinigten Staaten zu errichten, die dazu beitragen wird, die Widerstandsfähigkeit der Lieferkette zu stärken und ein lokales Halbleiter-Ökosystem zu entwickeln“, wird Kwak Noh-Jung, CEO von SK hynix zitiert. „Wir hoffen, dass wir mit dieser neuen Anlage unserem Ziel näher kommen, KI-Speicherchips anzubieten, die den Bedürfnissen unserer Kunden entsprechen.“

Wachstum in Korea

Gleichzeitig intensiviert SK hynix auch seine Bestrebungen, seine Position im eigenen Land zu festigen. Wie wir bereits berichteten, erweitert SK hynix mit einer Investition von rund 80 Milliarden Euro seinen Standort im Chip-Mega-Cluster Yongin. Das Unternehmen plant den ersten Spatenstich für die erste von insgesamt vier Fabs im März 2025 und die Fertigstellung für Anfang 2027. Außerdem wird eine Minifabrik für die Verarbeitung von 300-mm-Wafern gebaut, um Halbleitermaterialien, Komponenten und Ausrüstung zu testen. (sb)

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