Voll integrierter GaN-Leistungswandler in die Leiterplatte eingebettet

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IBR Leiterplatten GmbH & Co. KG

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AT&S Austria Technologie & Systemtechnik AG

Embedding von Komponenten direkt in die Leiterplatte

Das Einbetten von Komponenten in die Leiterplatte hat sich als Konkurrenz zu traditionellen Gehäusetechnologien für wichtige Applikationen erwiesen und bietet spezielle und quantifizierbare Vorteile im Sinne der Miniaturisierung, Integration, Verlässlichkeit und Leistungsfähigkeit.

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Beim Einbetten werden Leiterplattentechniken für die 3-D-Integration aktiver und passiver Elemente genutzt, um SiPs (System in Package / System im Gehäuse) herzustellen.

Genau wie MEMS (Micro Electro-Mechanical System / mikro-elektromechanische Systeme) und IPD (Integrated Passive Device / integrierte passive Bauelemente) aus den Standardprozessen der Halbleiterherstellung hervorgegangen sind und dann angepasst wurden, um besondere Anforderungen zu erfüllen, ist auch der Embedding-Prozess auf bewährten Techniken aufgebaut, um eine neue Klasse von Einhausungen zu schaffen.

Neue Möglichkeiten für die Leistungselektronik

„Wir sind begeistert von der ECP-Technologie von AT&S und sehen mit dieser Aufbautechnik völlig neue Möglichkeiten gerade auch bei komplexeren monolithisch integrierten GaN-Leistungsschaltkreisen, wie bei unserem Multilevel-Konverterchip“, sagt Richard Reiner, Wissenschaftler beim Fraunhofer IAF. „Mit einer konventionellen Aufbautechnik konnten wir den leistungsfähigen Chip kaum einsetzen bzw. evaluieren.“

„Die Leistungselektronik ist ein wichtiger Anwendungsbereich und Fokus für die Embedding-Technologie von AT&S,“ betont auch Dietmar Drofenik, CEO der Business Unit Advanced Packaging bei AT&S. „Gerade für den Einsatz von Halbleiterwerkstoffen mit großem Bandabstand, auch „Wide Bandgap Semiconductor“ genannt, wie GaN ermöglicht die Embedding-Technologie innovative miniaturisierte Power-Packages für höhere Wirkungsgrade, bessere Wärmeabfuhr und höhere Leistungsdichten. AT&S hat beispielsweise zusammen mit Partnern bereits verschiedene GaN-Leistungsschaltungen realisiert, die sich durch ausgezeichnetes Schaltverhalten und hohe Effizienz auszeichnen.“

AT&S Technologieforum

Eingebettete Komponenten in der Leiterplatte

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