Das belgische Forschungsinstitut imec hat auf dem Electron Devices Meeting 2020 eine neuartige DRAM-Zellenarchitektur vorgestellt, die zwei Indium-Gallium-Zinkoxid-Dünnschichttransistoren (IGZO-TFTs) enthält und komplett ohne Speicherkondensator auskommt. Die Forschenden erhoffen sich einen maßgeblichen Durchbruch bei der Speicherminiaturisierung.
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