Galliumnitrid (GaN)-Lösungen bieten deutliche Vorteile für kritische Anwendungen. (Bild: EPC Space)
300-Volt-GaN-FET

Raumfahrt: Fortschritt in der Energieversorgung

In der Raumfahrt sind Bauteile besonders anfällig für Strahlungseffekte wie Single-Event-Burnout (SEB) oder Single-Event-Gate-Rupture (SEGR). Durch die fehlende Atmosphäre ist die Strahlungsintensität deutlich höher. Galliumnitrid (GaN)-Technologie bietet bauartbedingt große Vorteile in Bezug auf Robustheit und Zuverlässigkeit.

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Messtechnik und Inspektion: In den vergangenen vier Jahrzehnten führte die Weiterentwicklung der Logiktechnologie-Roadmap zu einer Diversifizierung der Mess- und Inspektionswerkzeuge in den Fertigungsanlagen. (Bild: imec)
Halbleiter-Messtechnik

Qualitätssicherung an den Grenzen der Physik

Die fortschreitende Miniaturisierung der Elektronik wäre ohne hochpräzise Messtechnik und Inspektion auf Wafer-Ebene zum Stillstand gekommen. Die Fortschritte in der Messtechnik sind mit den kritischen Phasen der Halbleiter-Roadmap verknüpft. Ein Rückblick auf 40 Jahre Innovationsgeschichte und Ausblick auf die künftigen Herausforderungen der 3D-Integration.

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