Bild 1: Gegenüber einer diskreten GaN-Implementierung (Variante a, oben) ergeben sich bei einer integrierten GaN-Leistungsstufe (Variante b, unten) deutlich weniger parasitäre Effekte.  (Bild: TI)
Power-Tipp

GaN-Chips im TOLL-Gehäuse für kleinere Stromversorgungen

Eine der größten Herausforderungen bei der Entwicklung von Stromversorgungen besteht darin, immer höhere Leistungen bei minimalen Verlusten und einer hohen Packungsdichte zu erzielen. Das TOLL-Gehäuse bringt einen GaN-Chip in einen gängigen Formfaktor. So reduziert sich der Aufwand für zusätzliche Beschaltungen und komplizierte Leiterplattenlayouts.

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Die Power of Electronics 2025 bietet an zwei Kongresstagen einen Themenmix aus  Wärmemanagement, Leiterplattentechnik, Relais und Leistungselektronik. Workshops zu EMV und Messtechnik runden das Programm ab.  (Bild: Stefan Bausewein)
Entwicklerkonferenz

Eintauchen in die Welt der Elektronikentwicklung

Zwei Tage geballtes Wissen rund um die Elektronikentwicklung. Die „Power of Electronics 2025” präsentiert Trends aus Wärmemanagement, Leiterplattentechnik, Relais und Leistungselektronik. Abgerundet wird das Programm durch spezialisierte Workshops und eine Podiumsdiskussion zum Thema „Werden Wide-Bandgap-Halbleiter zur strategischen Technologie für Europa?“

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Bild 2: 
Der AMC0106M05 verringert die benötigte Leiterplattenfläche um 50 %. (Bild: TI)
Analogtipp

Strom- und Spannungsmessung für extrem präzise Roboter

Bei humanoiden Robotern und Cobots hat Genauigkeit oberste Priorität. Fortschritte bei der Strom- und Spannungsmessung verbessern die Fähigkeit von Robotern, diffizile Tätigkeiten zu übernehmen und Bewegungen menschenähnlicher auszuführen. Funktionsisolierte Wandler ermöglichen hier zudem eine präzisere Motorsteuerung bei kleineren Abmessungen.

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Bildergalerien

Bild 1: 
Ansprechen des Überstromschutzes nach benutzerdefinierter Verzögerungszeit. (Bild: TI)
Power-Tipp

Integrierter 48-V-Hot-Swap-Baustein für KI-Rechenzentren

Der zunehmende Leistungsbedarf moderner Rechenzentren insbesondere für KI-Anwendungen hat zur Folge, dass die zugehörigen Stromversorgungen immer größer, komplexer und ineffizienter werden. Traditionelle Hot-Swap-Controller mit diskreten FETs stoßen hier schnell an ihre Grenzen. Eine Alternative sind die 48 V Hot-Swap eFuse-Bausteine TPS1689 und TPS1685, die die Lösungsabmessungen um bis zu 50 Prozent reduzieren.

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