Im Gespräch berichten Markus Kohler und Hans Steiner, Vorstände des Messtechnikexperten dataTec, was ihr Unternehmen seit 40 Jahren erfolgreich macht. Neben strategischen Zielen und technologischen Herausforderungen bei neuen Halbleitermaterialien geht es auch um klare Unternehmenswerte: Leidenschaft, Mut und konsequente Kundennähe.

Moderne Satellitensysteme werden immer komplexer. Daher wächst der Bedarf an effizienten und platzsparenden Stromversorgungslösungen für Anwendungen im Weltall. Neue GaN-FET-Gatetreiber ermöglichen eine kompakte, leistungsstarke Energieverwaltung. So wird Größe, Gewicht und Energieeffizienz optimiert.

Moderne Leistungselektronik wird nicht nur effizienter, sondern auch kompakter. Ein spezielles Granulat unterstützt die Wärmeabfuhr und bietet mechanischen sowie elektrischen Schutz für Komponenten.

Forschende des MIT haben einen skalierbaren und kostengünstigen Ansatz entwickelt, um Hochgeschwindigkeitstransitoren aus Galliumnitrit nahtlos in einen Standard-Siliziumchip zu integrieren.

CMOS-kompatible Halbleiter, die auf Elementen der IV. Hauptgruppe basieren, bieten hohes Potenzial. Wissenschaftler haben jetzt eine stabile Legierung aus Kohlenstoff, Silizium, Germanium und Zinn hergestellt: CSiGeSn eröffnet neue Möglichkeiten für Anwendungen an der Schnittstelle von Elektronik, Photonik und Quantentechnik.

Im ersten Halbjahr 2025 sind die Investitionen in die chinesische Halbleiterindustrie insgesamt im Vergleich zum Vorjahr um 9,8 Prozent gesunken. Doch die Ausgaben für Produktionsanlagen in der Chipfertigung sind trotz des allgemeinen Rückgangs zugleich um über 53 Prozent gestiegen.

Siglent bringt zwei neue Oszilloskop-Familien auf den Markt: Die SDS5000X- und die SDS5000L-Serie bieten eine Bandbreite bis 1 GHz. Die X-Variante lässt sich dank Display direkt am Gerät bedienen, die L-Ausführung ohne Display ist für die Produktion und automatisierte Testumgebungen ausgelegt.

STMicroelectronics und Innoscience wollen in Sachen GaN-Technologie in Zukunft gemeinsame Sachen machen. Dabei entsteht eine Partnerschaft zur Entwicklung und Fertigung von Leistungshalbleitern für Automotive, Rechenzentren, Unterhaltungselektronik und industrielle Stromversorgung.

Damit die Transformation zur Elektromobilität klappt, müssen die Reichweiten und Ladegeschwindigkeiten der Akkus Werte erreichen, die nur mit hohen Spannungen und Stromstärken zu erzielen sind. Die höhere elektrische Leistung bringt konventionelle Regeltechnik aber rasch an ihre Grenzen. Die Power-Embedding-Technologien von AT&S lösen dieses Problem nachhaltig.

Der Hausgerätemarkt wird stark durch die Forderung nach Energieeffizienz und hoher Zuverlässigkeit geprägt. Bürstenlose Gleichstrommotoren und die GaN-Technologie können in dieser Hinsicht maßgebliche Verbesserungen bringen.