Die Rauschanalyse beschreibt, welchen Beitrag die Bauteile zum Gesamtrauschen leisten. Die Angaben sind jedoch oft verwirrend oder sogar falsch. Wir nehmen die elf hartnäckigsten Mythen zum Rauschen unter die Lupe.

Ein Pyrosensor erkennt bewegte Objekte an der abgestrahlten Wärme. Das macht ihn gerade für die Personenerkennung interessant. Wir zeigen Ihnen im Text den Aufbau sowie die Vorteile des Detektors.

Das folgende Schaltungsbeispiel beschreibt, wie eine Ladungspumpe bei einem RS232-Baustein verwendet werden kann, um einen N-Kanal MOSFET zu steuern, der bei einem Abwärtswandler die positive Versorgungsleitung vollständig trennt. Damit lässt sich im Stand-by-Betrieb Energie sparen.

Eisen-Pulver-Legierungen sorgen für beachtliche Steigerung der Leistungsdichte und verkürzen den Boxenstopp von Elektroautos erheblich.

Thermisches Durchgehen stellt in der Elektronik, wo immer mehr Leistung auf immer kleinerem Raum gepackt wird, eine ernste Bedrohung dar. Eine Lösung bieten SMD-Thermosicherungen.

Auch für die Zukunft hat Silizium genug Entwicklungspotenzial. Geschickte Schaltungstopologie erlaubt Designs mit weiter reduzierten Schaltverlusten. Die A-SRB-Technik von Toshiba ist dazu ein Beispiel.

Die Cooling Days der ELEKTRONIKPRAXIS vom 22. – 24. Oktober 2013 bieten eine einmalige Gelegenheit, Ihre Kenntnisse im Wärmemanagement von Elektronik auf den Stand der Technik bringen. Alle Infos finden Sie unter www.cooling-days.de. Eine Einführung in aktuelle Cooling-Trends bietet dieser Beitrag.

Die optimale Stromverteilung in akkubetriebenen Portabelgeräten stellt Systementwickler vor echte Herausforderungen. Wir zeigen Ihnen, wie sich diese Aufgabe mithilfe einer hochintegrierten Stromsteuereinheit einfach bewältigen lässt.

Wandelt man den Fotodiodenstrom in eine differenzielle Spannung, profitiert man von einer höheren Rauschimmunität und besseren Dynamik. In diesem Tipp zeigen wir, wie das geht.

Texas Instruments introduced the industry's first 80-V, 10-A integrated gallium nitride (GaN) field-effect transistor (FET) power-stage prototype, which consists of a high-frequency driver and two GaN FETs in a half-bridge configuration.