Entwickler können jetzt auf SiC-Leistungs-MOSFET zugreifen, die in wesentlichen Merkmalen weiter verbessert wurden. Ihre Eigenschaften und die der GaN-Kollegen werden hier kurz verglichen. Hauptsächlich geht der Artikel detailliert auf die Maßnahmen ein, die zu den gesteigerten Eigenschaften der 1200 V SiC-MOSFETs von Microsemi führten, die jetzt mit einem Rdson von 80 mOhm (40 A) bzw. 50 mOhm (50 A) angeboten werden.

Haben Sie schon einmal eine einfache und kostengünstige Schutzschaltung benötigt? Bild 1 zeigt dieselbe, welche nur aus einfachsten Komponenten für nur wenige Cents besteht und die Stromversorgung dabei zuverlässig absichert.

Elektronische Schaltungen werden typischerweise an geregelten positiven Ausgangsspannungen betrieben, die häufig von Abwärts-Schaltreglern geliefert werden. Wird außerdem eine negative Ausgangsspannung benötigt, dann kann derselbe Abwärtsregler in einer Buck-Boost-Topologie konfiguriert werden.

Was wäre, wenn Sie den Lade-IC in Ihrer Schaltung als Black-Box behandeln könnten, die erst zum Schluss mit dem IC befüllt wird? Das würde Ihnen zumindest das Durchforsten zahlreicher Datenblätter ersparen. Wir stellen Ihnen einen Laderegler vor, mit dem das möglich ist.

Entwickler können jetzt auf SiC-Power-MOSFET zugreifen, die in den wesentlichen Merkmalen weiter verbessert wurden. Ihre Eigenschaften werden hier skizziert und den GaN-Bauteilen gegenübergestellt.

Für den Test und die Charakterisierung von Bauelementen kommen neben klassischen Messgeräten noch Nischenprodukte hinzu. Wir zeigen, worauf Sie künftig achtgeben sollten.

Der Wirkungsgrad von Hochfrequenz-Leistungselektronik wird immer wichtiger. Dies gilt für Low-Power-Systeme, in denen auch noch die letzte Minute an Betriebszeit aus einer Batterie herausgeholt werden soll, ebenso wie für Basisstationen hoher Leistung, die erhebliche Energiekosten verursachen können.

IsoVu ist ein galvanisch isoliertes Messsystem, mit dem sich Halbbrücken-Schaltungen optimieren lassen. Im Text wird gezeigt, wie sich Messungen der High-Side-Gate-Spannung verbessern lassen.

Liebe FET-Freunde, willkommen zum dritten Teil der Serie „MOSFET-Datenblätter richtig lesen“. In diesem Artikel geht es um die Strombelastbarkeit von MOSFETs und darum, inwieweit die entsprechenden Angaben der Realität entsprechen.

Infineon Technologies plant den Kauf der Cree-Geschäftseinheit Wolfspeed Power and RF für 850 Millionen US-Dollar in bar. Der Kaufvertrag mit Cree umfasst auch das Geschäft mit den dazugehörigen Siliziumkarbid-Rohscheiben für Leistungshalbleiter und HF-Leistungsbauelemente.