(Archiv: Vogel Business Media)
Eigenrauschen in Operationsverstärkerschlaltungen – Teil 7

Rauschen im Verstärker

In diesem Kapitel werden die grundlegenden physikalischen Beziehungen erörtert, die das Eigenrauschen eines Operationsverstärkers bestimmen. Es wird erläutert, welche Kompromisse der IC-Entwickler zwischen Rauschen und anderen Parametern des Operationsverstärkers eingehen muss. Außerdem wird erklärt, wie anhand typischer Datenblattangaben Maximalwerte (bei Raumtemperatur und höherer Temperatur) abgeschätzt werden können.

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Bild 1: Zur Verringerung der CU²-Verluste schalten Quasiresonanz-Sperrwandler den FET nur ein, wenn dessen Drainspannung ihr Minimum erreicht. (Bild: TI)
Power-Tipps von TI, Teil 49

Runderneuerung für das Steckernetzteil

Der weltweite Absatz von Mobiltelefonen nähert sich der Marke von zwei Milliarden Stück. Und so rücken die Größe, der Preis und der Wirkungsgrad der Ladegeräte für diese Produkte zunehmend ins Visier. Unter anderem Amazon und Apple haben in Sachen Größe und Ästhetik neue Maßstäbe gesetzt und gleichzeitig die Verlustleistung und den Preis der Ladegeräte geringer Leistung gesenkt.

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