Amazon setzt neuronale Netzwerke auf die Modewelt an: Der Versandhändler arbeitet an selbstlernenden Algorithmen, die aktuelle Modetrends erkennen und auf deren Basis selbsttätig moderne Kleidungsdesigns erzeugen sollen.

Ein Schutzbaustein, der Stromkreise bei 210 °C unwiderruflich unterbricht, aber dennoch zuvor bei 260 °C gelötet werden kann, ohne zu öffnen? Der Trick: die Scharfschaltung nach dem Reflow-Löten.

Es ist fast ein Quantensprung in der Leistungselektronik: Semikrons neue Aufbautechnik für Leistungshalbleiter ersetzt althergebrachte Bonddrähte durch eine Folie und Sinterverbindungen! Der Nutzen: beispielweise doppelte Stromdichte und zehnfach höhere Lastwechselfähigkeit.

Die Halbleitertechnik ist die Triebfeder für Entwicklungen bei hohen Spannungen, teilautonomen Systemen in der Automobiltechnik und Robotik, bei intelligenten Gebäude- und Stadtkonzepten sowie persönlichen Elektronikgeräten.

In diesem Kapitel werden die grundlegenden physikalischen Beziehungen erörtert, die das Eigenrauschen eines Operationsverstärkers bestimmen. Es wird erläutert, welche Kompromisse der IC-Entwickler zwischen Rauschen und anderen Parametern des Operationsverstärkers eingehen muss. Außerdem wird erklärt, wie anhand typischer Datenblattangaben Maximalwerte (bei Raumtemperatur und höherer Temperatur) abgeschätzt werden können.

Wie schneidet die Siliziumtechnologie im Vergleich zu SiC und GaN ab? Der Beitrag zeigt die Unterschiede der Technologien hinsichtlich Herstellung, Leistung und Preis.

Das belgische Nanoelektronik-Forschungsinstitut imec bekommt Verstärkung: Am 1. Juli hat Siltronic eine Kooperation zur Zusammenarbeit bei der Entwicklung von Silizumwafern mit Galliumnitrid-Schicht (GaN-on-Si) geschlossen.

Beim letzten Mal haben wir uns angesehen, wie sich Spannungsspitzen am Ausgang von Gleichrichtern bei einem Einschaltvorgang im Durchflusswandler bedämpfen lassen. Heute wollen wir uns mit der Unterdrückung von Transienten beschäftigen, die beim Ausschalten der FET-Spannung im Sperrwandler entstehen

Dieses All-SiC-Power-Modul besteht aus SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Dioden in einer Halbbrücken-Schaltung mit 50 mm. Die maximale Sperrschicht-Temperatur beträg...

Die Zündbausteine ZB1/10 - 1000 - CNY66, ZB1/10 - 3500 LWL, ZB21 - LWL - P1 sind ausgelegt für größte Thyristoren. Diese haben bei Spannungen UDRM größer 1000...