Messungen an Millimeterwellen mit einem Vektor-Netzwerk-Analysator (VNA) sind zunehmend auch für höhere Frequenzen bis 220 GHz notwendig. Doch die entsprechende Messtechnik muss mithalten können.

Rohm hat mit der Serienfertigung zweier 650-V-GaN-HEMTs begonnen. Die beiden neuen Typen GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z wurden gemeinsam mit Ancora Semiconductors entwickelt.

Bei Infineon in Villach starten heute zwei europäische Forschungsprojekte mit einem Gesamtvolumen von 130 Millionen Euro und 98 Partnern aus 18 Ländern. Projektziele sind leicht integrierbare, effiziente GaN-Chips und Künstliche Intelligenz für ressourcenschonende Fertigung und optimiertes Lieferkettenmanagement.

In Systemen mit Spannungen über 100 V können hohe Inrush-Ströme nicht nur zu Schäden an Kabeln oder Steckverbindern, sondern auch zum ungewollten Ansprechen von Sicherungen führen. Vermeiden lassen sich diese Ströme durch das Vorladen des Systems. Welche Vorteile bringen hier Halbleiterrelais?

Die Vorteile von Galliumnitrid-Halbleitern in PFC-Stufen mit Totem-Pole-Konfigurationen sind offensichtlich. Im Power-Tipp erklären wir, welche Vorteile bei Leistungsdichte und Energieeffizienz Galliumnitrid gegenüber Silizium und Siliziumkarbid bringt.

Seine besonderen physikalischen Eigenschaften machen Galliumarsenid als Material für HF-Transistoren für 5G- und 6G-Mobilfunknetze interessant. Nun wurde der Mechanismus hinter der Ionenimplantation zur elektrischen Isolierung von GaN-Transistoren, so genannten HEMT, entschlüsselt.

Die Verwendung von GaN und digitalen Reglern trägt in Server-Stromversorgungen zur Verbesserung der Leistungsdichte, des Umwandlungs-Wirkungsgrads und des Ansprechverhaltens sowie zu mehr Zuverlässigkeit bei.

Künstliche neuronale Netze sind zentraler Bestandteil von Deep-Learning-Algorithmen. Die Grundlage in der Architektur der künstlichen neuronalen Netze bilden künstliche Neuronen, die in mehreren Schichten – sogenannten Layers – aufeinander folgen.

Eine brückenlose PFC-Schaltung als Gleichrichterstufe in Totem-Pole-Topologie, bestückt mit Wide-Bandgap-Bauelementen auf der Basis von GaN oder SiC, ermöglicht einen deutlich höheren Wirkungsgrad als mit anderen brückenbasierten oder brückenlosen PFC-Topologien.

Power-IC-Primus Infineon will das kanadische Unternehmen GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar übernehmen. Damit will der deutsche Konzern sein Galliumnitrid-Portfolio erweitern – neben Siliziumkarbid eine zukunftsträchtige Technik für Leistungskomponenten.