Soll man einen Chiphersteller mit deutschen Steuergeldern subventionieren, der dem chinesischen Wingtech-Konzern gehört – an dem die Regierung der Volksrepublik mit fast einem Drittel beteiligt ist? Nein, hat das Bundeswirtschaftsministerium nun entschieden. Und Nexperia von der IPCEI-Liste förderwürdiger Firmen gestrichen.

Knapp ein Jahr nach der ersten Ankündigung geben STMicroelectronics und GlobalFoundries jetzt den formalen Abschluss einer Vereinbarung zum Bau einer gemeinsamen genutzten neuen Halbleiterfertigung im französischen Crolles bekannt. Und auch in China hat STMicroelectronics ein Fab-Joint-Venture gegründet.

Rohm hat mit der Serienfertigung zweier 650-V-GaN-HEMTs begonnen. Die beiden neuen Typen GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z wurden gemeinsam mit Ancora Semiconductors entwickelt.

Bei Infineon in Villach starten heute zwei europäische Forschungsprojekte mit einem Gesamtvolumen von 130 Millionen Euro und 98 Partnern aus 18 Ländern. Projektziele sind leicht integrierbare, effiziente GaN-Chips und Künstliche Intelligenz für ressourcenschonende Fertigung und optimiertes Lieferkettenmanagement.

Messungen an Millimeterwellen mit einem Vektor-Netzwerk-Analysator (VNA) sind zunehmend auch für höhere Frequenzen bis 220 GHz notwendig. Doch die entsprechende Messtechnik muss mithalten können.

In Systemen mit Spannungen über 100 V können hohe Inrush-Ströme nicht nur zu Schäden an Kabeln oder Steckverbindern, sondern auch zum ungewollten Ansprechen von Sicherungen führen. Vermeiden lassen sich diese Ströme durch das Vorladen des Systems. Welche Vorteile bringen hier Halbleiterrelais?

Die Vorteile von Galliumnitrid-Halbleitern in PFC-Stufen mit Totem-Pole-Konfigurationen sind offensichtlich. Im Power-Tipp erklären wir, welche Vorteile bei Leistungsdichte und Energieeffizienz Galliumnitrid gegenüber Silizium und Siliziumkarbid bringt.

Seine besonderen physikalischen Eigenschaften machen Galliumarsenid als Material für HF-Transistoren für 5G- und 6G-Mobilfunknetze interessant. Nun wurde der Mechanismus hinter der Ionenimplantation zur elektrischen Isolierung von GaN-Transistoren, so genannten HEMT, entschlüsselt.

Die Verwendung von GaN und digitalen Reglern trägt in Server-Stromversorgungen zur Verbesserung der Leistungsdichte, des Umwandlungs-Wirkungsgrads und des Ansprechverhaltens sowie zu mehr Zuverlässigkeit bei.

Eine brückenlose PFC-Schaltung als Gleichrichterstufe in Totem-Pole-Topologie, bestückt mit Wide-Bandgap-Bauelementen auf der Basis von GaN oder SiC, ermöglicht einen deutlich höheren Wirkungsgrad als mit anderen brückenbasierten oder brückenlosen PFC-Topologien.