Partnerschaft für Multiple Sourcing Rohm-IGBTs in Leistungsmodulen von Semikron Danfoss verfügbar

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In seinen Low-Power-Leistungsmodulen setzt Semikron Danfoss jetzt auch Bare Dies der 1200-V-RGA-IGBTs von Rohm ein. Damit wollen die Unternehmen in der aktuell angespannten Versorgungslage den Herstellern eine zusätzliche IGBT-Option bieten.

Starkes Wachstum bei Elektrifizierungsanwendungen führt seit einiger Zeit zu einer starken Nachfrage nach Leistungsmodulen. Und oft begrenzt das knappe Angebot an Leistungselektronik-Chips die Verfügbarkeit der Module. Die Chiphersteller investieren enorme Summen in Produktionskapazitäten, aber noch bleibt die Versorgungslage angespannt.

Vor diesem Hintergrund kooperieren Semikron Danfoss und Rohm Semiconductor bereits seit über zehn Jahren bei der Implementierung von Siliziumkarbid (SiC) in Leistungsmodule. Vor kurzem hat Semikron Danfoss nun sein Angebot an Low-Power-Modulen um Modelle erweitert, in denen Bare Dies von Rohms neuem 1200V-RGA-IGBT verbaut sind.

Laut Kazuhide Ino, Mitglied des Rohm-Vorstands, sind die Leitungs-, Schalt- und thermischen Eigenschaften dieses neu entwickelten Light-Punch-Through-Trench-Gate-IGBTs mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175°C für industrielle Antriebsanwendungen im niedrigen bis mittleren Leistungsbereich optimiert. Damit kann das Bauteil das transiente Überstromverhaltens bei Überlast in Motoranwendungen verbessern. Gleichzeitig soll der RGA mit bestehenden IGBT-Lösungen der siebten Generation für industrielle Anwendungen kompatibel bleiben und einen Multiple-Source-Ansatz ermöglichen.

„Die Leistungselektronikindustrie erholt sich weiter und zieht ihre Lehren aus den Versorgungsproblemen der letzten Jahre. Es ist klar, dass eine Diversifizierung bei der Herstellung von Halbleiterchips und -modulen erforderlich ist, um echte 'Multiple Source'-Leistungsmodule bereitzustellen", sagt Claus A. Petersen, Präsident von Semikron Danfoss. Sein Unternehmen bietet den 1200V RGA IGBT in seinen Modulen der MiniSKiiP-Familie in einer Vielzahl von Nennstromklassen von 10 A bis 150 A an.

Das MiniSKiiP-Format in einheitlicher Bauhöhe ohne Bodenplatte und mit Federkontakt ist bereits fest im weltweiten Antriebsmarkt etabliert und wird auch als Multiple-Source-Gehäuse angeboten. Mit der nun geschaffenen alternativen IGBT-Quelle erweitern beide Unternehmen die Lieferkette.

Für Press-fit-/Lötanwendungen wird das Industriestandard-Gehäuse Semitop E auch in Pin-kompatiblen Konfigurationen zu bestehenden IGBT-Modulen der siebten Generation erhältlich sein. Beide Gehäusefamilien werden Sixpack- („GD“) und Converter-Inverter-Brake- („DGDL“) Schaltungskonfigurationen umfassen. (cg)

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