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Diamant-MOSFETs: Diese Bauelemente arbeiten energieeffizienter und können wesentlich höheren Durchbruchsspannungen standhalten. Jetzt ist die Herstellung von Diamant-MOSFETs gelungen. (Bild: Samuel Faber auf Pixabay)
Halbleitertechnik

Weltweit erster n-Kanal Diamant-FET

Ein amerikanisches Forschungsteam hat den weltweit ersten n-Kanal-MOSFET aus Diamant entwickelt. Das ist ein wichtiger Schritt auf dem Weg zu integrierten CMOS-Schaltungen für Anwendungen in rauen Umgebungen und zur Entwicklung von Leistungselektronik-Komponenten aus Diamant.

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