Infineon sichert sich 200-mm-SiC-Wafer von Wolfspeed

Leistungshalbleiterfertigung Infineon sichert sich 200-mm-SiC-Wafer von Wolfspeed

16.10.2026 Quelle: Pressemitteilung 2 min Lesedauer

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Infineon und Wolfspeed erweitern ihre langjährige Zusammenarbeit um die Lieferung von 200-Siliziumkarbid-Wafern. Die Vereinbarung soll den Hochlauf der SiC-Fertigung unterstützen, Produktionskosten senken und die Lieferkette stärken.

Infineon setzt bei der Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern zunehmend auf 200-mm-Wafer. Eine erweiterte Liefervereinbarung mit Wolfspeed soll die Versorgung mit den größeren Substraten sichern.(Bild: Infineon Technologies) — Infineon setzt bei der Fertigung von SiC-Leistungshalbleitern zunehmend auf 200-mm-Wafer. Eine erweiterte Liefervereinbarung mit Wolfspeed soll die Versorgung mit den größeren Substraten sichern.
(Bild: Infineon Technologies)

Infineon Technologies und Wolfspeed haben eine mehrjährige Liefervereinbarung für 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer (SiC) geschlossen, wie beide Unternehmen am 15. Oktober 2026 mitgeteilt haben. Die beiden Unternehmen arbeiten bereits seit mehr als 20 Jahren zusammen. Die Neuerung: Bislang umfasste die Lieferbeziehung 150-mm-Substrate, künftig kommen 200-mm-Wafer hinzu. Damit unterstützt Wolfspeed die schrittweise Umstellung der SiC-Produktion von Infineon auf größere Waferdurchmesser.

Für Infineon ist die Vereinbarung Teil einer Multi-Sourcing-Strategie, mit der der Halbleiterhersteller seine Versorgung mit SiC-Substraten auf mehrere Lieferanten verteilt. Das soll die Abhängigkeit von einzelnen Bezugsquellen reduzieren und die Flexibilität beim Ausbau der Fertigungskapazitäten erhöhen.

Wirtschaftlichkeit für die SiC-Fertigung

Der Wechsel von 150-mm- auf 200-mm-Wafer bietet vor allem wirtschaftliche Vorteile. Rein geometrisch steht auf einem 200-mm-Wafer rund 78 Prozent mehr Fläche zur Verfügung als auf einem 150-mm-Wafer. Dadurch lassen sich bei vergleichbarer Chipgröße mehr Halbleiterbauelemente auf einem Wafer fertigen. Voraussetzung für tatsächliche Kostenvorteile sind allerdings ausreichend hohe Ausbeuten und eine entsprechend effiziente Fertigung. Infineon erwartet durch die größeren Substrate geringere Stückkosten und eine höhere Produktionseffizienz. Eine wichtige Rolle spielt dabei das Werk im malaysischen Kulim, das auf die Großserienfertigung von SiC-Leistungshalbleitern auf 200-mm-Wafern ausgelegt ist.

„Die Vereinbarung erweitert unsere etablierte Lieferantenbasis für die 200-mm-Hochvolumenfertigung und baut auf einer 20-jährigen Lieferbeziehung zwischen unseren beiden Unternehmen auf“, erklärt Alexander Gorski, Chief Operations Officer von Infineon. Damit sollen sowohl die Versorgungssicherheit als auch die Skalierbarkeit der Produktion verbessert werden.

Gefragte SiC-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid gewinnt insbesondere in Anwendungen an Bedeutung, bei denen hohe Spannungen, geringe Schaltverluste und eine effiziente Wärmeabfuhr gefragt sind. Dazu gehören Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen, Ladeinfrastruktur, Solarwechselrichter und industrielle Antriebssysteme. Als zusätzlichen Wachstumsmarkt sieht Infineon die Stromversorgung von KI‑Rechenzentren. Dort können SiC-Leistungshalbleiter in bestimmten Stufen der Energieumwandlung dazu beitragen, die Verluste zu reduzieren und die Energieeffizienz zu verbessern.

Nach einer von Wolfspeed zitierten Prognose von Yole Group soll der weltweite Markt für SiC-Leistungshalbleiter von 3,4 Mrd. US-Dollar im Jahr 2024 auf 11,1 Mrd. US-Dollar im Jahr 2031 wachsen. Mit der erweiterten Liefervereinbarung wollen die beiden Unternehmen die Voraussetzungen schaffen, um diesen Bedarf mit einer wirtschaftlicheren Großserienfertigung zu bedienen. (sb)

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Stand: 08.12.2025

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