SiC-Power-MOSFET

Bewertung der Zuverlässigkeit des Z-FET-Bausteins für 1200 V

Aktuelle Weiterentwicklungen in der Gateoxid-Zuverlässigkeit von SiC-MOSFET haben die Voraussetzungen für die kommerzielle Einführung des 1200-V-Z-FET von Cree geschaffen. Der Beitrag beschreibt die wichtigsten Zuverlässigkeits-Resultate von Test-to-Failure-(TDDB) und Test-to-Pass-Prozeduren (HTGB und HTGS) der Familie. Diese zeigt im praktischen Einsatz niedrige Ausfallraten und einen stabilen Betrieb.

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