Als Hersteller von Leistungshalbleitern für den Mikrowellen- und HF-Markt setzt MACOM besonders auf seine 4. Generation der GaN-on-Si-Technologie für Mobilkommunikation und HF-Energie.

Entwickler von leistungselektronischen Baugruppen können jetzt auf SiC-Power-MOSFET und -Module zugreifen, die aus Systemsicht preislich fast mit reinen Silizium-Typen konkurrenzfähig sind.

Mit Chip-on-Heatsink hat CeramTec ein Verfahren entwickelt, in dem die Wärmequelle, etwa der Leistungshalbleiter, direkt auf eine metallisierte Wärmesenke per Löten oder Ag-Sintern montiert wird.

Zur Leistungsfaktorkorrektur in Netzteilen bietet die Totem-Pole-PFC-Schaltung Vorteile. Allerdings muss man die Spannungsspitzen beim Nulldurchgang in den Griff bekommen. Hier erfahren Sie, wie das geht.

Das Laden von hochkapazitiven Kondensatorbatterien an Bordnetzen erfordert Buck-Boost-Wandler. Moderne digitale Signalprozessoren lösen bei SYKO nun die bislang analogen Lösungen ab.

Seit der Entdeckung von Graphen stehen zweidimensionale Materialien im Fokus der Materialforschung. Mit ihnen ließen sich unter anderem winzige, leistungsstarke Transistoren bauen. Forscher der ETH Zürich und der EPF Lausanne haben nun aus 100 möglichen Materialien 13 vielversprechende Kandidaten entdeckt.

TI arbeitet am Design eines umfassenden Qualitätsprogramms auf der Basis der Grundlagen von GaN sowie anwendungsrelevanter Tests. Ziel dieser Maßnahmen ist es, zuverlässige GaN-Lösungen anzubieten.

Derzeit gibt es weltweit noch keinen Massenmarkt für GaN-Halbleiter. Auf dem Weg zur Industriereife sind Aufgaben zu lösen, die vor allem die Themenbereiche Langlebigkeit und Qualität betreffen.

Das Batterie-Balancing ist ein wirksames Mittel, um die Kapazität und Lebensdauer von Batterien zu steigern. Zu hohe Ausgleichsströme lassen sich mithilfe eines keramischen PTC-Elements unterbinden. Die Design Note beschreibt anschaulich, wie die Ausgleichsströme auf der Basis der vorliegenden Schaltungswiderstände und der PTC-Kennlinie berechnet werden können.

Derzeit gibt es weltweit noch keinen Massenmarkt für GaN-Halbleiter. Auf dem Weg zur Industriereife sind Aufgaben zu lösen, die vor allem die Themenbereiche Langlebigkeit und Qualität betreffen.