Als weltweit erstem Hersteller ist es Infineon gelungen, Infineon ist es gelungen, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik in skalierbarer Massenfertigung zu entwickeln.

TTI Europe unterstützt die Entwicklung von Ladestationen für mobile Industrie- und Serviceroboter mit AC/DC-Netzteilen mit Einzelausgang der Artesyn-LCM-Serie von Advanced Energy. Diese robusten und zuverlässigen Geräte sind für das schnelle und effiziente Aufladen der Batterien von Fahrerlosen Transportfahrzeugen (AGV) und Autonomen Mobilen Robotern (AMR) an Ladeanlagen ausgelegt.

Computerchips aus Silizium haben uns mehr als ein halbes Jahrhundert lang gute Dienste geleistet. Die kleinsten Merkmale der aktuell fortgeschrittensten Chips sind etwa 3 nm groß – eine verblüffend geringe Größe, wenn man bedenkt, dass ein menschliches Haar etwa 80.000 nm breit ist.

Bei der Oszilloskop-Familie DLM3000HD bietet Yokogawa ab sofort eine vertikale Auflösung von 12 Bit an. Auch beim Speicher rüstet der Hersteller auf. Zugeschnitten sind die Oszilloskope für die Leistungselektronik.

In modernen hybriden und batterieelektrischen Fahrzeugen wird immer mehr Elektronik verbaut. Damit einher gehen komplexere Testszenarien für die Halbleiterprüfung. Auch mit Blick auf die höheren Spannungen und schnelleren Schaltzeiten sind die Grenzen des Tests schnell erreicht.

Galliumnitrid (GaN) in den letzten Jahren erheblich an Bedeutung gewonnen. Während diskrete GaN-HEMT-Bauelemente weit verbreitet sind, kommen nun auch integrierte GaN-Lösungen. Diese integrierten Lösungen bauen auf den Vorteilen von GaN auf und haben das Potenzial, noch mehr Leistung zu liefern.

Der belgische Halbleiterchip-Hersteller BelGaN übernahm einst die Produktions- und F&E-Einrichtung für Silizium- und GaN-Chiptechnologien in Oudenaarde von Onsemi. Die Zukunftstechnologie hat dem Unternehmen keinen Erfolg und vor allem nicht genügend Investoren eingebracht, denn Ende Juli 2024 musste BelGaN Insolvenz anmelden.

Aluminium-Yttriumnitrid heißt der neue Halbleiter, der enormes Potenzial für energieeffiziente Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik für Informations- und Kommunikationstechnologien verspricht. Wissenschaftlern am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik ist jetzt ein Durchbruch bei der Herstellung gelungen, die auch für die Großserienproduktion geeignet ist.

Einer der vielversprechendsten Fortschritte in der Welt der Künstlichen Intelligenz ist die sogenannte generative KI. Was verbirgt sich hinter dem Begriff, welche Technik steckt dahinter und wie wird sie genutzt?

Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) sind kaum noch wegzudenken, dennoch bleibt Silizium ein wesentlicher Bestandteil der Halbleiter-Industrie. Doch warum ist das so?