Dank bidirektional sperrender Transistoren aus Galliumnitrid (GaN) wird ein beeindruckender Wirkungsgrad von 99 Prozent bei der Umwandlung von Wechselstrom zu Gleichstrom erzielt. Forschende des Fraunhofer-Instituts und der TU Berlin haben eine neuartige Schaltung entwickelt, die das Laden von Elektroautos revolutionieren könnte.

Rohm hat externe FET-Controller-ICs mit PWM-Stromregelung entwickelt, die für die AC/DC-Stromversorgung in verschiedenen industriellen Anwendungen optimiert sind. Die Massenproduktion wurde bereits für vier Varianten zur Ansteuerung einer breiten Palette von Leistungshalbleitern gestartet: BD28C55FJ-LB für Niederspannungs-MOSFETs, BD28C54FJ-LB für Mittel- bis Hochspannungs-MOSFETs, BD28C57LFJ-LB für IGBTs und BD28C57HFJ-LB für SiC-MOSFETs.

Die Verbesserung der Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge wird Fortschritte in verschiedenen Bereichen erfordern, wobei das Wärmemanagement ein Schlüsselbereich ist, der technologische Entwicklungen erfordert.

Obwohl der Rückgang des Geschäftsjahres 2023 bei 13 Prozent lag, blickt der japanische Halbleitertester optimistisch in die Zukunft. Die Markterholung liegt beim High Performance Computing und KI-getriebenen Technologien. Für 2024 erwartet man ein Wachstum von knapp 32 Prozent.

Vor zehn Jahren ging der Nobelpreis für Physik an drei Forscher, die die Grundlagen der blauen LED erforscht hatten. Rückblickend war dies eine technische und materialwissenschaftliche Meisterleistung. Heute sind blaue LEDs nicht mehr wegzudenken.

Je kleiner die Anwendungen werden, desto kleiner werden im besten Fall auch die dazugehörigen Bauelemente. Infineon ist es nun gelungen, einen Silizium-Dünnwafer für Leistungshalbleiter herzustellen, der nur ein Viertel so dick ist, wie ein menschliches Haar – und halb so dick, wie die aktuell fortschrittlichsten Wafer.

Die Anforderungen an Batteriemanagementsystemn, insbesondere für Anwendungen mit hohen Strömen und großen Spannungen, steigen. Das MBMxxS-P100-x-System von MPS (Vertrieb: Endrich) ist eine zuverlässige Komplettlösung.

Der Verbindungshalbleiter Galliumnitrid (GaN) gewinnt inzwischen auch im mittleren Spannungsbereich von 80 bis 200 V zunehmend an Popularität. Dies soll an vier Anwendungen verdeutlicht werden.

Um die Zukunft der SiC-Technologie in die Wege zu leiten, versucht Wolfspeed zum einen 750 Millionen USD Förderung über den CHIPS and Science Act zu ergattern, zum anderen gibt es Zusagen über 750 Millionen USD von einer Investmentgruppe. Diese und weitere in Aussicht gestellte Gelder sollen die inländische Produktion von Siliziumcarbid für saubere Energiesysteme und weitere Technologien der Leistungselektronik fördern.

Hochfrequenzsysteme benötigen Leistungsverstärker mit hoher linearer Ausgangsleistung. Mit der Umstellung auf Modulationsverfahren höherer Ordnung müssen die Systeme auch zwischen Spitzen- und Durchschnittsleistung eine hohe Linearität und Effizienz bieten. Hier bieten sich GaN-on-SiC-MMIC-PA an.