Das Bordladegerät (On-Board Charger, OBC) ist ein zentrales Element eines jeden Elektrofahrzeugs. Zur Platz- und Gewichtsreduzierung wird hier oft auf Wide-Bandgap-Halbleiter wie Galliumnitrid (GaN) zum Implementieren der Leistungswandlung zurückgegriffen.

Das Halbleiterunternehmen ON Semiconductor, kurz onsemi, hatte bereits im Jahr 2023 beschlossen, die Produktionskapazitäten für Siliziumkarbid-Halbleiter auszubauen. Zur Debatte standen die USA, Europa und Asien. Die Zusage gibt es nun für den europäischen Standort in Tschechien, gleich in der Nähe von potenziellen Automotive-Kunden für die Leistungshalbleiter.

Große Sprachmodelle benötigen fürs Training große Rechenzentren und sehr viel Energie. Generell ist eine KI-Abfrage energieintensiv, so sehr, dass sich inzwischen Sorgen darüber gemacht wird, ob uns KI nicht zu viel Strom kostet. Hardware-Entwickler nutzen die Gelegenheit und innovieren, was das Zeug hält; Infineon bietet etwa energieeffiziente Stromversorgung an.

Bei Energieeffizienz und Miniaturisierung stoßen traditionelle Silizium-Bauelemente an ihre Grenzen. Galliumnitrid-Transistoren, insbesondere die High Electron Mobility Transistoren, stellen eine revolutionäre Alternative dar. Durch Leistungsfähigkeit und Effizienz ermöglichen sie neue Dimensionen in der Leistungselektronik.

Vor 20 Jahren starteten der Distributor Schukat electronic und der Halbleiterhersteller Taiwan Semiconductor Europe ihre Zusammenarbeit mit der Zielsetzung, leistungsstarke und preisgünstige Halbleiterprodukte auf dem europäischen Markt zu etablieren.

Integrierte Lösungen werden immer wichtiger, um Motorsysteme schneller zu entwickeln, die Beschaffung der Bauteile zu vereinfachen, Kosten zu senken und ein zuverlässiges und effizientes System zu realisieren. Das Spektrum reicht hier von rein diskreten Konzepten bis hin zu vollintegrierten Lösungen. Doch welche Variante ist im Einzelfall das richtige?

Nach der Klage von Infineon gegen Innoscience vor dem Bezirksgericht im Northern District of California (USA) hat nun Innoscience Stellungnahme genommen. Im Detail bezog sich das Patent von Infineon auf eine Galliumnitrid (GaN)-Technologie.

Infineon Technologies hat vor dem Bezirksgericht im Northern District of California (USA) eine Klage wegen einer Patentverletzung eingereicht. Im Detail geht es hier um eine von Infineon patentierte Galliumnitrid (GaN)-Technologie.

Batteriebetriebene Industriefahrzeuge wie Gabelstapler oder automatische Lagerfahrzeuge benötigen Hochstrom-Wechselrichter zum Antrieb der Elektromotoren. Galliumnitrid (GaN) eröffnet dabei neue Möglichkeiten in Bezug auf Leistungsfähigkeit und vereinfacht dabei auch noch das Design des Wechselrichters.

Asahi Kasei Microdevices bringt seine Stromsensorenfamilie CZ39 in Serie. Diese eignen sich für Anwendungen in Elektrofahrzeugen. Dank ihrer Eigenschaften sind sie mit auf Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-basierenden Leistungsbauelementen kompatibel. So lassen sich mit den neuen Stromsensoren wesentlich kleinere, leichtere und genauere On-Board-Ladesysteme realisieren.