Als einer von vier Finalisten wurde QPT für die Teilnahme an der „ABB Power Density Start-up Challenge 2023“ für Motorantriebsprodukte ausgewählt. Ziel des Wettbewerbs ist es, Motoren und Antriebe zu einer integrierten Lösung zu kombinieren.

Im Rahmen einer jetzt geschlossenen strategischen Partnerschaft wird Mitsubishi Electric SiC-Chips entwickeln und in Die-Form an Nexperia liefern, welche Nexperia wiederum für die Produktion eigener, diskreter SiC-Bauelemente nutzen wird.

Die Implementierung einer USB-C-Schnittstelle ist nicht trivial, da sie eine genaue Kenntnis der USB-Spezifikationen voraussetzt und mit hohem Hardware-Aufwand verbunden ist. In diesem Tipp verrate ich Ihnen, wie es wesentlich einfacher geht.

Mithilfe Künstlicher Intelligenz (KI) passt eine neuartige Soft-Switching-Architektur das Timing der Ein- und Ausschaltvorgänge in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge kontinuierlich den Randbedingungen an – und sorgt so für „echtes“ Soft-Switching.

SiC-Bauelemente bieten eine höhere Wärmeleitfähigkeit und eignen sich daher für anspruchsvolle Anwendungen. Im Gegensatz zu Siliziumbauelementen weisen SiC-Bauelemente jedoch strukturelle Unterschiede auf. Das wirkt sich auf die Zuverlässigkeitsprüfungen aus.

Powerbox hat das robuste 1.200 -W-AC/DC-Netzteil für raue Industrieumgebungen angekündigt.

Die Big-Data-Revolution braucht mehr Rechenleistung, als selbst modernste elektronische Hardware bereitstellen kann. Ein neuartiger, superdünner Sandwich-Transistor könnte das Problem lösen.

Am 17. Oktober lädt die ELEKTRONIKPRAXIS zum Leistungselektronik Forum nach Würzburg ein. Auch in diesem Jahr bietet das Vortragsprogramm Entwicklern und Anwendern wieder wertvolles Fachwissen für ihre tägliche Arbeit.

Angriff auf SiC-Marktführer Infineon: Autobauer SAIC Motor, Xpeng, Batteriehersteller CATL sowie Firmen aus dem Bereich „Neue Energien“ haben mit Halbleiterfertiger SMEC den Chiphersteller ChipLink Power gegründet. Dieser soll stark nachgefragte Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter und -module produzieren.

Schon kleinste parasitäre Induktivitäten des Eingangskondensators und des Platinen-Layouts können ungewollte HF-Spannungen bis über 200 MHz verursachen. Dies ist die dominante Ursache für die Gegentaktstörungen einer Schaltung aus EMV-Sicht. So lösen Sie dieses Problem.