Hochfrequenzsysteme benötigen Leistungsverstärker mit hoher linearer Ausgangsleistung. Mit der Umstellung auf Modulationsverfahren höherer Ordnung müssen die Systeme auch zwischen Spitzen- und Durchschnittsleistung eine hohe Linearität und Effizienz bieten. Hier bieten sich GaN-on-SiC-MMIC-PA an.

Die Anforderungen an Batteriemanagementsystemn, insbesondere für Anwendungen mit hohen Strömen und großen Spannungen, steigen. Das MBMxxS-P100-x-System von MPS (Vertrieb: Endrich) ist eine zuverlässige Komplettlösung.

Je kleiner die Anwendungen werden, desto kleiner werden im besten Fall auch die dazugehörigen Bauelemente. Infineon ist es nun gelungen, einen Silizium-Dünnwafer für Leistungshalbleiter herzustellen, der nur ein Viertel so dick ist, wie ein menschliches Haar – und halb so dick, wie die aktuell fortschrittlichsten Wafer.

Als weltweit erstem Hersteller ist es Infineon gelungen, Infineon ist es gelungen, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik in skalierbarer Massenfertigung zu entwickeln.

Um die Zukunft der SiC-Technologie in die Wege zu leiten, versucht Wolfspeed zum einen 750 Millionen USD Förderung über den CHIPS and Science Act zu ergattern, zum anderen gibt es Zusagen über 750 Millionen USD von einer Investmentgruppe. Diese und weitere in Aussicht gestellte Gelder sollen die inländische Produktion von Siliziumcarbid für saubere Energiesysteme und weitere Technologien der Leistungselektronik fördern.

TTI Europe unterstützt die Entwicklung von Ladestationen für mobile Industrie- und Serviceroboter mit AC/DC-Netzteilen mit Einzelausgang der Artesyn-LCM-Serie von Advanced Energy. Diese robusten und zuverlässigen Geräte sind für das schnelle und effiziente Aufladen der Batterien von Fahrerlosen Transportfahrzeugen (AGV) und Autonomen Mobilen Robotern (AMR) an Ladeanlagen ausgelegt.

Computerchips aus Silizium haben uns mehr als ein halbes Jahrhundert lang gute Dienste geleistet. Die kleinsten Merkmale der aktuell fortgeschrittensten Chips sind etwa 3 nm groß – eine verblüffend geringe Größe, wenn man bedenkt, dass ein menschliches Haar etwa 80.000 nm breit ist.

Galliumnitrid (GaN) in den letzten Jahren erheblich an Bedeutung gewonnen. Während diskrete GaN-HEMT-Bauelemente weit verbreitet sind, kommen nun auch integrierte GaN-Lösungen. Diese integrierten Lösungen bauen auf den Vorteilen von GaN auf und haben das Potenzial, noch mehr Leistung zu liefern.

Bei der Oszilloskop-Familie DLM3000HD bietet Yokogawa ab sofort eine vertikale Auflösung von 12 Bit an. Auch beim Speicher rüstet der Hersteller auf. Zugeschnitten sind die Oszilloskope für die Leistungselektronik.

Der belgische Halbleiterchip-Hersteller BelGaN übernahm einst die Produktions- und F&E-Einrichtung für Silizium- und GaN-Chiptechnologien in Oudenaarde von Onsemi. Die Zukunftstechnologie hat dem Unternehmen keinen Erfolg und vor allem nicht genügend Investoren eingebracht, denn Ende Juli 2024 musste BelGaN Insolvenz anmelden.