Die DRAM-Technologie stößt an ein Skalierungsproblem. Die Lösung könnten kondensatorlose IGZO-DRAMs sein: Anstelle traditioneller Speicherzellen ermöglichen IGZO-basierte Dünnschichttransistoren eine höhere Dichte und Effizienz.

Die Einführung von 2D-Materialien in den Leiterbahnen fortschrittlicher CFET-Architekturen gilt als vielversprechende Option, um die Roadmap der Logikelektronik weiter auszubauen, ist aber von der industriellen Anwendung noch weit entfernt. Das imec-Institut verfolgt einen einzigartigen Ansatz, um die Kosten-/Aufwandsbarriere zu senken: Die Einführung von nicht ganz so leistungsstarken, planaren 2D-Material-basierten Bausteinen erfolgt zu einem früheren Zeitpunkt in der Roadmap.

Dieser Tipp beschreibt die Theorie der parasitären Oszillation und gibt einen Leitfaden zur korrekten Implementierung. Damit lässt sich eine unnötige Layoutänderung der Baugruppe vermeiden.

Technologische Durchbrüche wie sehr kompakte, zuverlässige Leistungselektronik und funktionale Verbesserungen vereinfachen elektronische Antriebssysteme und sparen Platz und Kosten im Fahrzeug. Wie ist der Stand der Technik bei intelligenten Antriebsystemen?

Eingebettete Systeme steuern zentrale Funktionen in Elektronikdesigns. Das reicht von der Leistungselektronik bis hin zur drahtlosen Kommunikation. Mit geeigneter Messtechnik können Effizienz, EMV-Verträglichkeit und Signalintegrität sichergestellt werden.

Rechenzentren benötigen AC/DC-Netzteile mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. In diesem Artikel werden die Umwandlungstopologien untersucht, die eingesetzt werden können, um dies zu erreichen, und es wird beleuchtet, wie Siliziumkarbid-SiC-FET-Schalter dabei effektiv zum Tragen kommen können.

ROHM intensiviert seine Bemühungen im Bereich der analogen Halbleiter. Der Schlüssel zum Erfolg liegt in der Entwicklung von „Best-in-Class“-Analog-ICs. Aber wie können solche Produkte hergestellt werden? Um einen Einblick in die damit verbundenen technischen und produktbezogenen Strategien zu erhalten, sprachen wir mit Sumihiro Takashima, Leiter der LSI-Geschäftseinheit von ROHM.

Die Universität von Birmingham und Partner Paragraf, ein Unternehmen, das sich auf die Massenproduktion von Elektronik basierend auf Graphen konzentriert, erhalten über mehrere staatliche Fördertöpfe Zuschüsse. Das Ziel: die Massenproduktion von 6-Zoll-Graphen-Wafern.

Der Hochspannungsteiler VT1005 erweitert die Produktpalette für Leistungsmessungen und ermöglicht in Verbindung mit einem Leistungsanalysator Leistungsmessungen bis 5 kV. Für Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen mit SiC- und GaN-Halbleitern bietet er eine höhere Genauigkeit als bisher verfügbare Systeme mit differentiellen Tastköpfen. Mit einer Bandbreite von 4 MHz eignet er sich auch für Verlustmessungen an Hochfrequenzspulen und -transformatoren.

ROHM war das erste Unternehmen der Branche, das SiC-Leistungs-MOSFETs auf den Markt brachte. Jetzt verstärken wir unsere Bemühungen, die Spitzenposition auf dem Markt für SiC-Leistungshalbleiter zu sichern. Wir sprachen mit Tsuguki Noma, Corporate Officer und Direktor der Power Device Business Unit, um die Strategien zu besprechen, die eingesetzt werden, um sich in der hart umkämpften Branche zurechtzufinden.